晶圆制造刻蚀工艺面试常见问题

请解释在刻蚀过程中常用的掩膜材料有哪些,以及它们各自的优缺点。如何应对刻蚀过程中产生的侧壁聚合物沉积问题?在刻蚀工艺中,为什么会出现刻蚀速率不均匀的现象?如何改善?影响干法刻蚀工艺中各向异性的主要参数有哪些?请描述化学机械抛光(CMP)和刻蚀工艺的关系以及如何协同工作。刻蚀工艺中,如何检测和控制刻蚀深度?

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

总的来说,干法刻蚀和湿法刻蚀各有优缺点,在半导体制造过程中,常常需要根据具体的应用需求和工艺要求选择合适的刻蚀方法。通过综合利用这两种刻蚀技术,可以实现高性能、高可靠性的半导体器件制造。#05刻蚀工艺的主要应用领域5.1、集成电路刻蚀工艺在集成电路制造中的关键角色集成电路(IC)的制造过程是高度复杂和精细...

刻蚀机深度报告:半导体国产替代最优赛道

刻蚀工艺是半导体加工的核心环节之一，多种技术途径各有优缺点，并行发展，先进芯片制造工艺对刻蚀设备的性能和数量上的要求均有提升。薄膜沉积、光刻和刻蚀是半导体制造的三大核心工艺。刻蚀是一种通过物理或化学的方法，有选择地去除部分薄膜层，从而在薄膜上得到所需图形的手段。当前，干法刻蚀占据市场规模的90%左右，...

2025-2030年中国掩膜版行业投资规划及前景预测报告

首先分析了中国掩膜版的发展环境及国内外掩膜版的发展状况;然后报告分析了掩膜版产业链上游的发展状况——玻璃基板、光刻机、刻蚀设备、光刻胶,并深入分析了掩膜版产业链下游的发展状况——半导体、平板显示、印刷电路板及触控;随后,报告分析了国内掩膜版主要企业的经营状况;最后,报告重点分析了中国掩膜版的投融资状况,...

玻璃通孔技术研究进展

等离子体法刻蚀TGV可以并行进行,同时进行大面积TGV刻蚀,且侧壁粗糙度小(<150nm),侧壁无损伤,拥有良好的可靠性保证。但是等离子刻蚀TGV的方法也还存在许多缺点。截至目前,阻碍干法刻蚀成孔大范围应用的的难点主要有:1)工艺复杂;2)成本高;3)刻蚀速率慢,速率小于1μm/min。

北方华创:公司前期已经发布了首台国产12英寸CCP晶边干法刻蚀设备...

同花顺(300033)金融研究中心9月17日讯,有投资者向北方华创(002371)提问,请问贵公司在国产晶边干法刻蚀设备有何突破?公司回答表示,您好,公司前期已经发布了首台国产12英寸CCP晶边干法刻蚀设备研发成功有关信息,目前已在客户端实现量产,其优秀的工艺均匀性、稳定性赢得客户高度评价(www.e993.com)2024年11月26日。感谢关注!

英杰电气:干法去胶和刻蚀设备均需要射频电源,公司目前有射频电源...

每经AI快讯,有投资者在投资者互动平台提问:董秘刘总,您好:贵司有无拓展半导体干法去胶设备电源?干法去胶设备原理与干法刻蚀设备原理相近,其配套电源也属于公司可以拓展领域。谢谢!英杰电气(300820.SZ)11月29日在投资者互动平台表示,干法去胶和刻蚀设备均需要射频电源,公司目前有射频电源在客户处试用,但目前主要应用...

投资者提问:请问贵公司在国产晶边干法刻蚀设备有何突破?

投资者提问:请问贵公司在国产晶边干法刻蚀设备有何突破?投资者提问:请问贵公司在国产晶边干法刻蚀设备有何突破?董秘回答(北方华创SZ002371):您好,公司前期已经发布了首台国产12英寸CCP晶边干法刻蚀设备研发成功有关信息,目前已在客户端实现量产,其优秀的工艺均匀性、稳定性赢得客户高度评价。感谢关注!

...美国泛林集团新兴刻蚀技术事业部副总裁撰写:《半导体干法刻蚀...

集成电路制造向几纳米节点工艺的发展,需要具有原子级保真度的刻蚀技术,原子层刻蚀(ALE)技术应运而生。《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》主要内容有:热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等,探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术,涵盖了定向和各向同性ALE的全新研究和进展。

一文读懂蓝宝石产业链:让高端手机青睐的蓝宝石,有哪些坑与投资机会?

对比各种长晶方法的优缺点可以看出,泡生法和热交换法之所以成为市场的主流技术,主要因为其比较适合大体积晶体的生长,但是该两种方法也有自身的缺陷,如泡生法操作较为复杂,热交换法虽然自动化程度高,但其坩埚不能重复利用,生产成本较高。目前,随着热交换法工艺的逐步改进,贵州皓天用HEM技术已经能生产出重达230公斤、大...