我国又一半导体关键技术突破 不亚于光刻技术
这一壮举标志着我国在半导体制造的关键领域——氢离子注入技术上,实现了核心技术和工艺的完全自主掌握,填补了国内半导体产业链的重要空白。氢离子注入作为半导体晶圆制造中仅次于光刻的关键环节,对于集成电路、功率半导体以及第三代半导体等多种类型产品的制造具有不可替代的作用。长期以来,由于该领域核心技术及装备工艺的...
【名额有限】超硅将分享《大硅片制造的前沿技术》,第七届半导体大...
公司专注于200mm至300mm单晶硅材料的制备技术,包括晶体生长装备系统、半导体材料及相关产品的研发、规模化生产与销售。公司的主要产品包括200毫米、300毫米集成电路抛光硅片、外延片、氩气退火片、SOI片等。公司拥有上海松江全自动智能化300毫米硅片(含薄层外延片)生产基地、重庆200mm硅片(含外延片、氩气退火片、SOI片等...
我国半导体制造核心技术突破 仅次于光刻的重要环节打破国外垄断
据国家电投介绍,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用,该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展,特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的技术突破,打破了国外垄断。核力创芯在遭遇...
开盘暴涨121%,深圳又一芯片关键产业链公司上市,超快登陆科创板
在不断追逐行业技术进步的过程中,龙图光罩不仅形成了大量的专有技术,也具备了较强的上下游匹配能力。龙图光罩上游原材料主要是石英基板、苏打基板以及光学膜,供应商主要是环球国际、璩玖科技、韶光芯材、微择科技、S&STECHCorp等企业。龙图光罩的客户,一方面涵盖芯片制造厂商、MEMS传感器厂商、先进封装厂商、芯片...
光刻技术的过去、现在与未来
光刻技术在半导体制造中的关键性在半导体工业中,光刻技术是制造芯片的基石。通过将设计好的微细图案精确地转移到硅片或其他半导体材料表面,光刻技术决定着芯片的结构和性能。它使得我们能够在微米甚至纳米级别上制造电路结构,成为各种电子设备的核心组成部分。每一代芯片制造都依赖于光刻技术的创新,因为其决定着芯片功...
将EUV扩展至14A的关键技术有哪些?
从这些和其他信息来看,EUV晶圆厂很可能准备采用金属氧化物光刻胶堆叠、新的随机还原策略、角度蚀刻以及可能的曲线掩模,以从2nm器件节点(22nm间距)过渡到10A节点(18nm间距、9nm关键尺寸),用于未来的大型AISoC和加速器芯片(www.e993.com)2024年9月18日。DRAM制造商预计将在10A节点范围内采用高NAEUV。
3D芯片,续写摩尔定律
3DIC关键技术,助力芯片纵向高密度互连1.TSV:打开芯片纵向延伸之路TSV为3DIC核心技术之一,铸造信号高速传输通道。硅通孔(ThroughSiliconVia,TSV)互连技术是指在硅中介板(Interposer)、晶圆或裸芯片上制作微通孔,然后填充导电材料以实现芯片之间的互连导通;载体、晶圆或裸芯片在硅通孔间进行相互连接即可成为硅...
...美国政府更新关键和新兴技术清单,半导体和微电子类别是哪些...
其中,在半导体和微电子分类中,主要包括七项技术:-设计和电子设计自动化工具-制造工艺技术和制造设备-超互补性金属氧化物半导体(CMOS)技术-异质集成和先进封装-用于人工智能、自然和恶劣的辐射环境、射频和光学元件、高功率器件和其他关键应用的专用/定制硬件元件...
中国台湾核心关键技术清单公布:包括14nm以下制造技术等,泄密可判...
12月5日,中国台湾地区科学技术委员会发布公告,公布了以具主导优势与保护急迫性的技术为主的22项核心关键技术清单,涵盖了防务、农业、半导体、太空、信息安全等5大领域。其中在半导体方面,14nm以下制程的芯片制造技术及其关键气体、化学品及设备技术;异质整合封装技术-晶圆级封装技术、硅光子整合封装技术及其特殊必要材料...
中国又一芯片技术突破,高端靶材打破美日垄断,它到底有多重要?
芯片作为信息技术的核心,决定了一个国家在人工智能、物联网、云计算等领域的竞争力和国家安全。然而,要在制造芯片时取得好的成果,就不仅需要先进的设备和工艺,还需要高质量的材料,其中最重要的就是靶材。靶材是制造薄膜的关键材料,通过高速荷能粒子轰击目标材料,利用激光和靶材的相互作用形成不同的膜层,从而...