测试液体/固体介质损耗、介质损耗因数、介质损耗角正切值的机器
极性液体介质(如蓖麻油、氯化联苯等)除了电导损耗外,还存在极化损耗。它们的tanδ与温度的关系要复杂一些,如图3-13所示。图中的曲线变化可以这样来解释:在低温时,极化损耗和电导损耗都较小;随着温度的升高,液体的黏度减小,偶极子转向极化增强,电导损耗也在增大,所以总的tanδ亦上升,并在t1=t2时达到极大值;在t1...
南昌大学采购选购我司介电常数ε、介质损耗角正切tanδ测量仪器
ZJD-C介电常数ε、介质损耗角正切tanδ测量仪器(中航时代仪器)固体电介质的极化1.介电常数的定义电介质的介电常数也称为电容率,是描述电介质极化的宏观参数。电介质极化的强弱可用介电常数的大小来表示,它与该介质分子的极性强弱有关,还受到温度、外加电场频率等因素的影响。电介质的相对介电常数为式中D、...
解析油介质损耗测定仪:绝缘油检测的关键技术
油介质损耗测定仪是一种用于测量绝缘油电气损耗特性的仪器,主要用于测试绝缘油的介质损耗因数(也称为介质耗散因数或介质损耗角正切,通常表示为tanδ)和电容量。这些测量指标对于评估绝缘油的质量和性能至关重要,尤其在电力系统中,如变压器和电容器等设备的维护和监测中非常重要。定义油介质损耗测定仪通过测定油样的...
用西林电桥测量绝缘的tanδ试验
因此,介质损耗是反映绝缘介质电性能优质程度的一项重要指标。介质损耗与外加电压、电源频率、介质电容C和介质损耗因数tanδ成正比。但是用介质损耗P表示介质品质的优劣是不方便的,因为P值和试验电压、介质尺寸(形状、大小、厚度等)等因素有关,不同设备间难以互相比较,因此也不能准确的反映电介质的绝缘状况。而当外...
小小的电容,也能写出一篇干货?
另一类多层陶瓷电容是C0G类,它的容量多在1000pF以下,该类电容器主要性能指标是损耗角正切值tgδ(DF)。传统的贵金属电极(NME)的C0G产品DF值范围是(2.0~8.0)×10-4,而技术创新型贱金属电极(BME)的C0G产品DF值范围为(1.0~2.5)×10-4,约是前者的31~50%。该类产品在载有T/R模块电...
串联谐振赫兹电力讲解电介质产生介质损耗或介质损失原因!
tanδ是反映绝缘介质损耗大小的特性参数,与绝缘的体积大小无关(www.e993.com)2024年10月17日。但如果绝缘内的缺陷不是分布性而是集中性的,则tanδ有时反映就不灵敏。被试绝缘的体积越大,或集中性缺陷所占的体积越小,集中性缺陷处的介质损耗占被试绝缘全部介质损耗的比重就越小,总体的tanδ就增加得也越少,这样tanδ测量就不灵敏。因此,测量各类...
【天风电子】创新与危机下看好高端电子陶瓷发展
高介电系数有利于实现小型化:谐振器的尺寸和电介质材料的介电常数的平方根成反比,微波介质陶瓷材料的高介电常数有利于微波介质滤波器的小型化。高稳定性:微波介质材料的谐振频率随温度变化较小,频率温度系数τf较小稳定性高。低损耗:微波介质材料Q值与介质损耗tanδ成反比关系Q(=1/tanδ)。Q值越大,滤波器的...
压电薄膜的特性、制备和应用
3、损耗角正切AlN压电薄膜的介质损耗角正切tanδ=0.003~0.005,ZnO薄膜的tanδ则较大,为0.005~0.01。这些薄膜的tanδ之所以有这样大,是由于这些薄膜中除了有电导过程以外,还存在着显著的弛豫现象。与介质薄膜类似,压电厚膜的tanδ随温度和频率的上升以及湿度的增大,都逐渐增大。另外,在薄膜厚度减少时,tanδ趋向于...
PCB设计覆铜板选材介绍
介电常数大表示讯号线中的传输能量就会有不少被储存在板材中,将造成“讯号完整性”的品质不佳,与传播速率的减慢,故材质的介电常数越低其讯号传输的品质越好。1.2.散失因数(Df)DisspationFactor即为讯号线中已漏失到绝缘板材中的能量与尚存在险种能量的比值,也称之为损失因数、介质损失或损失正切等...
一起220kV线路CVT二次接地缺陷的发现及原理分析
在对高压电容及中压电容进行电容量及介质损耗因数测试时,所采用的仪器为上海思创电器产HV9003B型介质损耗测试仪,对位于第一节瓷套内的高压电容C11进行测量时,C11顶端经一次引线接地,仪器采用低压屏蔽反接线法,测量电压10kV,屏蔽掉测量过程中流经C12的电流,测得高压电容C11的电容量及介质损耗因数tanδ11如表2所示。