关于碳化硅,把我知道的都告诉你

相比之下硅禁带宽度只有1.12eV,碳化硅有三倍于硅的禁带宽度,因此承受同样电压的器件,碳化硅器件的面积要比硅器件小的多,只有1/10,电压越高面积比越明显,或者说同样面积下,碳化硅的耐压比硅强很多。我们可以总结以下几点优点:1、宽禁带半导体材料的禁带宽度大,击穿电场强度高,大大增加了宽禁带器件能够承受的峰值电...

新能源汽车电驱动行业深度报告:行业加速扩张,格局持续优化

IGBT并联方案技术壁垒较高:1)电流一致性问题,需要使得每一个IGBT单管通过的电流完全相同,因为只要有一个单管出现问题,就会加剧其他管子的工作负荷,甚至失控;2)温度一致性问题,由于每个单管布臵位臵和参数一致性等问题,会导致单管温度不一致从而影响性能发挥。我们认为,两种方案在未来仍将处于共存的状态,但...

汽车芯片又短缺,怎么看?

这个其实是跟工艺有关的,工艺改进的大方向是成本优化,什么短路能力,安全工作区的概念不去考虑的话,总的来说功率器件的设计优化方向都是为了纵向减小元胞和横向降低电阻而努力。2.英飞凌的第五代和第六代IGBT是不是都相当于第四代的改进版?在第七代才有比较大的技术变化,那第五代和第六代是在哪些方面有明显...

武工大科研成果碳化硅陶瓷膜技术成功转化的启示:突破“0到1...

何况,他有足够的底气:多年来,学校在碳化硅陶瓷材料方面有深厚的专业积累和科研成果;碳化硅陶瓷膜具备耐酸碱、耐高温、通量大、易清洗的优异性能,应用十分广泛:不仅可处理工业废水,还能应用在饮用水、食品、医药、化学品、采矿等领域。立项,组织科研攻关,4年后,“碳化硅陶瓷膜产业化研究”成果瓜熟蒂落,产生了“一种...

英飞凌高管谈碳化硅

因为拥有这些特点，碳化硅器件能够拥有更高的温度和电压、更高的饱和速度、管子在开通和关断的速度也更快。再者，电源在工作过程中，不可避免地有损耗，从而产生热。而这个高热导率则可以把器件中的热带出来，让功率处理能力更强。SiC的以上这些特性可以让我们做出更加轻薄短小的功率器件。对电子设计工程师而言，那就...

MOSFET-走向SiC碳化硅等宽禁带器件之路

各大半导体企业不断推出新的SiC、GaN器件,而SiC碳化硅等宽禁带器件的应用也验证了其具有的优良特性,那么Si器件的瓶颈在哪里?SiC碳化硅等宽禁带器件相比于Si器件有什么不同?是什么原因造成其具有的更好的特性?开关器件的不理想性对于功率变换器来说,半导体器件工作在开关状态,即要么导通,要么关断,理想的电压电流...