吃透MOS管,看这篇就够了
2)、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系,由于输入容性特性的存在,使开关的速度变慢,但是在作为开关运用时,可降低驱动电路内阻,加快开关速度(输入采用了后述的“灌流电路”驱动,加快了容性的充放电的时间)。MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns...
超结MOS在全桥电路上的应用-REASUNOS瑞森半导体
(1)主要损耗构成:①MOS管的导通损耗直接由导通Rdson决定,要求MOS管的Rdson更低。②MOS管的开关损耗,由MOS管的米勒平台等参数决定,要求MOS管开关特性好,开关速度快,交越损耗小;(2)后端是感性负载,需要二极管反向续流,要求功率MOS二极管反向恢复特性较好,具有较短反向恢复时间trr。四、全桥电路MOS管选型根据不同...
给SiC“挖坑”,国产有机会吗?
一是槽角处容易高漏极电压下造成栅氧化层迅速击穿,同时对恶劣环境静电效应及电路高压尖峰耐受能力差;二是SiCMOSFET应用本就多在高压高频大电流领域,电路中寄生参数产生尖峰毛刺,造成瞬时过压或开关损耗,此外沟槽SiCMOSFET不具备抗浪涌电压自抑制能力和过压保护能力,需要在实际应用中设计复杂缓冲电路、浪涌电压抑制电路和...
芯片,复杂E/E架构进行有限收敛的关键
高低边驱动是根据MOS管的位置来区分的。高边驱动开关MOS位于电源和负载之间,低边驱动开关MOS位于负载和接地之间。器件选择来看,高边驱动需具备一定的耐压和大电流承受能力,因此多采用阻断电压高的PMOS器件。低边驱动需求的电压低,因此多选用NMOS器件。对比来看,由于NMOS器件导通电阻低,电路简单,低边驱动在成本方面存在一...
为什么MOS管需要提升关断速度?如何解决这个问题?
说起mos管关断,通常电压会比开通时高,所以关断的损失也会比开通时大,所以我们自然希望电路关断的速度能更快些。那么,咱咋能让mos管快些开关呢?咱们看看这张图在mos管开通时,电阻R1和R4限制了电流,这样就能给mos管电容充电;要注意的这儿,R1和R4的电阻值并非固定,而且,R1通常小于R4。
【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器
MOS管在低压侧被下拉至低电压电平,直到Vgs跨越阈值点(www.e993.com)2024年9月9日。低压段和高压段母线在相同电压水平下均变低。3、转换器的开关速度设计逻辑电平转换器时要考虑的另一个参数是转换速度。由于大多数逻辑转换器将在USART、I2C等通信总线之间使用,因此逻辑转换器切换得足够快(转换速度)以与通信线路的波特率相匹配非常重要。
MOS管在汽车LED 中的应用方案
1.功率和电压要求:根据LED的功率需求和工作电压确定MOS管的额定功率和耐压等级。确保MOS管能够稳定工作在LED的工作电压范围内。2.电流承受能力:LED驱动电路中需要MOS管来控制电流,因此需要选择能够承受所需电流的MOS管,以避免过载导致损坏。3.开关速度:LED驱动需要快速开关以控制亮度和频闪等特性,因此选型时需要考虑...
MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)
MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)功率管的最主要的应用是控制电流的通断,即在一定的电压条件下对流经器件的电流进行开关控制。首先,在可以承受的击穿电压的前提下(即器件的工作电压平台),器件导通电阻越低,其导通损耗就越低。其次,器件在开关状态间切换时,栅极电荷越小,器件的开关速度就越快,其动态...
如何让MOS管快速开启和关闭
一般认为MOSFET(MOS管)是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS管的G极和S极之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结电容,电感为电路走线的寄生电感:如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话,MOS管开关速度越快越好。因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中...
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法
电容充放电快慢决定MOS管开通和关断的快慢,为确保MOS管状态间转换是线性的和可预知的,外接电容C2并联在Cgd上,如果外接电容C2比MOS管内部栅漏电容Cgd大很多,就会减小MOS管内部非线性栅漏电容Cgd在状态间转换时的作用。外接电容C2被用来作为积分器对MOS管的开关特性进行精确控制。控制了漏极电压线性度就能精确控制冲...