CP测试与FT测试的区别

测试项目:CP测试一般包括一些基础的电气参数,比如阈值电压(Vt)、导通电阻(Rdson)、漏电流(Idss)、击穿电压(BVdss)等。这些都是半导体器件的基础参数,因为此时没有进行封装,设备限制了测试电压和功率,所以一些高功率测试项无法在CP阶段进行。比喻:可以将CP测试比作水果的初步筛选。例如,检测每个水果的颜色、大小、是否...

医疗器械测试标准详解:行业内的必知规范

1.电气安全测试：医疗器械通常涉及电气部件，因此电气安全测试是确保产品使用安全的关键环节。测试内容包括漏电流测试、绝缘电阻测试、耐压测试等，以确保设备在各种环境下的电气安全性。这些电气安全的医疗器械测试标准是全球范围内都高度重视的项目。2.性能试验：性能试验是验证医疗器械在实际使用中是否能够达到设计要求...

安规测试的四项检测项目

2、接地电阻测试接地电阻是电流由接地装置流入大地再经大地流向另一接地体或向远处扩散所遇到的电阻,包括接地线和接地体本身的电阻、接地体与大地的电阻之间的接触电阻以及两接地体之间大地的电阻或接地体到无限远处的大地电阻。接地电阻大小直接体现了电气装置与接地接触良好的程度。3、漏电流测试泄漏电流是指电气设...

【测试解读】ESD保护设计中的传输线脉冲TLP,怎么测?

1.使用TLPpulser发出脉冲,使用示波器和对应的探头、测试线缆、衰减器等测试DUT端对应的电压电流,描绘响应的曲线。TLPPulser打出指定电压V1的脉冲,示波器记录下电流I1。2.将测试线缆切换到SMU上测试DUT对应的漏电流。利用IFIM(ForceIMeasureI)功能,Force电流I1,测量得到Leakage1。3.重复上述步骤,描绘对应的...

为什么需要晶圆可接受测试WAT?

电学参数测试:测量晶圆上各个器件的电学特性,如阈值电压(Vth)、漏电流(Ioff)、驱动电流(Ion)、电阻、电容等。这些参数可以直接反映制造过程中掺杂、薄膜厚度、刻蚀等工艺的质量。工艺窗口评估:通过WAT来监控工艺参数的变动范围,确保在工艺控制范围内。工艺窗口的偏移可能导致芯片的性能下降或失效。

稳压二极管损坏如何判断

稳压二极管的损坏判断涉及多个步骤,包括外观检查、正向压降测量、反向击穿电压测试、漏电流测量、稳压电路功能测试、高温测试以及动态负载测试(www.e993.com)2024年11月15日。通过这些方法,可以有效地检测稳压二极管的工作状态,及时发现并排除潜在的故障。对于关键应用中的稳压二极管,建议定期进行这些测试,以确保电路的长期稳定运行。

半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏

从芯片的制造流程来看,需要的步骤包括生产晶圆、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、互连、测试、封装等。以硅片半导体为例,自然界中硅砂很多,但硅砂中包含的杂质太多,需要进行提炼后使用。将提炼后得到的高纯硅熔化成液体,再利用提拉法得到原子排列整齐的晶锭,再将其切割成一定厚度的薄片,切割后获得的薄片便是未经...

【综述】碳化硅中的缺陷检测技术

SiC中的点缺陷(空位)会缩短器件的载流子寿命,导致结漏电流并导致击穿电压降低。尽管点缺陷对电子设备有负面影响,但它们也有一些有用的应用,例如在量子计算中。Lukin等人发现,SiC中的点缺陷,如硅空位和碳空位,可以产生具有合适自旋轨道属性的稳定束缚态,作为量子计算的硬件平台选择。

MD+实验-Nature子刊:一种高达5V酯类溶剂电解液系统

为了证实这一点，在Li||LiNi0.5Mn1.5O4电池配置中进行了电化学浮动测试。电位阶跃为0.1V，范围为4.9至5.2V（相对于Li/Li+）。如图2b所示，1M-LPF-DMDOHD电解质在4.9V时保持稳定，漏电流最小，随着电压升至5.2V，漏电流的增加进一步最小，而1M-LPF-EC/DMC或1M-LPF-DMC配方显示出更大的漏电流，该...

耐压测试仪的操作方法和测试步骤

测试步骤:1.检查仪器的“电压调节”旋钮是否逆时针旋转到底,如没有,则将它旋转到底。2.将仪器的电源线插好,并打开仪器电源开关。3.选择合适的电压量程:将电压量程开关设置在“5kV”位置。5.选择合适的漏电流量程:将漏电流量程开关设置在“2mA”挡位置。