来自无锡!国产半导体技术关键突破,其价值不亚于光刻技术!
氢离子注入技术主要应用于半导体器件制造过程中的掺杂步骤,通过将氢离子精确地注入到硅片中,可以调节半导体材料的导电性能,这对于制造高性能的集成电路至关重要。从氢离子注入技术的关键环节来看,它包括离子源、注入系统、真空系统、温度控制系统等诸多环节,都需要高度精密的工艺和装备。在具体性能上,氢离子注入芯片相比...
国产半导体设备实现关键突破!
更多地去做开发;二是泛半导体设备,公司将借助现有技术积累,扩展布局显示、微机电系统、功率器件、太阳能领域的关键设备;三是进军光学检测设备,中微公司通过投资布局了第四大设备市场——光学检测设备,近期将尽快开发出电子束检测设备,这也是除光刻机以外最大的短板。
3D芯片,续写摩尔定律
最常见的TSV蚀刻工艺为时间多路复用交替工艺,也被称为Botch工艺,它交替进行侧壁钝化和蚀刻步骤。Botch蚀刻工艺的蚀刻速率为5~10μm/min,对光刻胶的选择性为50-100。该过程通过以下步骤进行:(1)利用六氟化硫作为蚀刻剂的Si蚀刻;(2)与C4F8气体结合,生成良好的钝化膜,在下一个硅蚀刻步骤中防止横向Si;(3)利用定向...
光模块焊接技术革新:激光焊锡机在PCBA组装中的应用
(七)自动化焊接提升效率:在单模类光模块的生产中,激光锡焊工艺的高自动化水平,使得大部分焊接步骤可以自动完成,这不仅提升了生产效率,也确保了焊接质量的一致性,从而在提升生产效率的同时,保证了产品的高标准和可靠性。总体而言,激光焊接技术在光模块PCBA上的应用,不仅提升了焊接的质量和效率,也为光模块的微型化和...
关于芯片那些事儿
光刻技术,是当前芯片制造中的关键环节,人们的目光也聚焦于此。从最初的干法光刻到湿法光刻,再到今天的极紫外光刻,每一次技术革新都极大地提高了芯片的集成度和性能。ASML的EUV光刻机在芯片制造中的应用,标志着芯片制造技术进入了一个全新的时代,实现了纳米级的精密制造。EUV光刻机是芯片制造领域最复杂、最昂贵...
东海研究 | 深度:光刻机:国产设备发展任重道远,零组件企业或将...
其二,改进设计结构可以使相同精度水平下设计出的芯片具有更好的性能,更低功耗(www.e993.com)2024年9月20日。但是无论是哪种改变,都需要以光刻机为核心的半导体设备进行支持,所以光刻是整个芯片制造过程中最关键的工艺之一,而光刻机又是光刻工艺环节中的核心设备。(2)光刻机工作原理类似胶片照相机,均是通过光线穿透将电路图形在晶圆表面成像,...
光刻技术的过去、现在与未来
1.3光刻技术在芯片制造中的崛起光刻技术在芯片制造中的兴起是现代半导体工业发展历程中的重要阶段。这一过程见证了光刻技术从最初的实验性应用,逐步成为芯片制造中不可或缺的关键步骤。1970年代,随着集成电路的发展,芯片制造进入了微米级别的尺度。光刻技术在这一阶段开始显露出其重要性。光刻技术的原理和应用方...
SiC关键工艺“大考”——离子注入
SiC高温高能离子注入工艺+高温退火工艺属于SiC功率器件制造过程中的一个关键步骤,共同为后续工艺打下了坚实的基础,确保了SiC功率器件的高性能和可靠性。而综合来看,国产SiC离子注入机不仅在技术上取得了一些突破,也在产业化应用方面通过了“大考”。而与国际先进水平相比,仍需在某些关键技术领域进行进一步的研发和突破...
关于芯片的8个关键疑问 我们和中科院微电子研究所王晓磊聊了聊丨...
据介绍,目前产业界已实现等效特征尺寸小至3纳米的器件,3纳米是头发丝直径1/10000,光刻机技术则是实现纳米级加工尺寸的重要工艺方法,目前是晶圆制造过程最复杂、最昂贵,也是最关键的工艺。晶圆测试包括在芯片制造工艺过程中的各种在线检查、测量,在芯片制造完成后用探针卡对集成电路芯片部分功能、性能的分检测试。
中国光刻机正式官宣,美国被打脸,美网友疑惑能研发光刻机吗
芯片制造过程非常复杂,但其中有两个关键步骤,需要借助两种设备来实现。一种设备是光刻机,负责绘制线条;而另一种则是蚀刻机,用于将光刻机所绘制的线条进行雕刻。这就好比木匠在制作木质配件。他们先使用墨斗在材料上划定线条,再借助不同的工具根据这些线条进行切割,最终得到所需的木制品。目前,中国已经完全掌握...