来自无锡!国产半导体技术关键突破,其价值不亚于光刻技术!
氢离子注入技术主要应用于半导体器件制造过程中的掺杂步骤,通过将氢离子精确地注入到硅片中,可以调节半导体材料的导电性能,这对于制造高性能的集成电路至关重要。从氢离子注入技术的关键环节来看,它包括离子源、注入系统、真空系统、温度控制系统等诸多环节,都需要高度精密的工艺和装备。在具体性能上,氢离子注入芯片相比...
「独家揭秘」半导体机架包胶工艺步骤及质量保障策略
正文:一、半导体机架包胶工艺的步骤表面处理在进行包胶工艺之前,首先要对机架表面进行处理,包括打磨、清洗、脱脂等步骤,以确保包胶材料能够与机架表面紧密粘合。涂覆底漆底漆的作用是提高包胶材料与机架表面的附着力,防止包胶层脱落。选择合适的底漆并确保其均匀涂覆是关键。包胶材料的选择与施工根据机架的使用环境和要...
超声扫描显微镜:半导体尖端制造的“守护者”
超声波扫描显微镜被广泛应用在生物学、医学、复合材料、新材料、半导体、集成电路、微电子、液晶显示、锂电池电解液、金属基板、焊接件、工业设备、航空航天零部件等精密检测领域,实现活体样本观察、材料结构分析、生产过程控制、封装测试、产品质量检测、产品研发、工艺升级等操作。1、半导体领域据统计,2021年全球半导体...
降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术
中段制程之后表面是平坦的,铜PVD和IBE可以在该步骤进行。●图3b:该图展示了用PVD/IBE制造每个金属层的步骤,并演示出在PVD和IBE存在局限的情况下为制造三个金属层探索工艺和集成路径的过程。每层都有相应配图分步解析制造流程,且都部分涉及柱状结构形成、铜PVD、化学机械抛光(CMP)、线与间隔的形成、氧化物填充、...
半导体情报,科学家提出室温下的氧化铟三维垂直集成新方法!
(1)实验首次在室温下实现了单片式三维垂直集成的氧化铟(In2O3)薄膜晶体管(TFT),采用了与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的方法。(2)实验通过堆叠十层n型通道的In2O3TFT,在不同层次制造了底栅、顶栅和双栅TFT,展示了多种结构的器件。作者的研究结果表明,双栅TFT器件在电性能上表现出显著的提升,包括最...
半导体专题篇:汽车半导体
2.1早期汽车半导体的应用(一)引入电子控制单元(ECU)引入电子控制单元(ECU)是汽车行业数字化转型中的关键步骤,它极大地提升了车辆的性能、安全性和效率(www.e993.com)2024年9月21日。以下是关于引入电子控制单元的详细介绍:(1)定义电子控制单元(ECU):定义:电子控制单元是一种集成了微控制器和其他电子元件的设备,用于控制和管理车辆的各种系统...
韩国半导体厂商研发 ALD 新技术,降低 EUV 工艺步骤需求
IT之家7月16日消息,韩媒TheElec报道,韩国半导体公司周星工程(JusungEngineering)最新研发出原子层沉积(ALD)技术,可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻(EUV)工艺步骤需求。IT之家注:极紫外光刻(EUV)又称作超紫外线平版印刷术,是一种使用极紫外光波长的光刻技术,目前用于7纳米以下的先进制程,于...
韩国成功研发原子层沉积技术 可减少EUV工艺步骤
据韩国半导体公司周星工程最新研发出原子层沉积(ALD)技术,能够在生产先进工艺芯片中减少对极紫外光刻(EUV)工艺步骤的需求。EUV又称作超紫外线平版印刷术,是一种使用极紫外光波长的光刻技术,目前广泛应用于7纳米以下的先进制程。周星工程董事长ChulJooHwang表示当前DRAM和逻辑芯片的扩展已经达到了极限,因此需要像NAND...
...专利技术能改善导电立柱的沉积难度并避免产生缝隙,简化工艺步骤
上述半导体结构制备方法能够改善导电立柱的沉积难度并避免产生缝隙,并简化工艺步骤。另外,通过此方法形成绝缘间隙能够减小器件的寄生电容并提高存储器的整体性能。
半导体后端工艺|第七篇:晶圆级封装工艺
首先在晶圆上涂覆一层被称为“光刻胶”的光敏聚合物,然后透过刻有所需图案的掩模,选择性地对晶圆进行曝光,对曝光区域进行显影,以绘制所需的图案或图形。该工艺的步骤如图2所示。图2:光刻工艺步骤在晶圆级封装中,光刻工艺主要用于在绝缘层上绘制图案,进而使用绘制图案来创建电镀层,并通过刻蚀扩散层来形成金属...