北京大学申请一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法专利,提高半导体...
该方法用半导体参数分析仪测量N型或P型DL。
功率管怎么检查好坏?
检查功率管的好坏可以通过使用万用表测量其电压是否正常来进行判断。下面是与功率管相关的一些重要信息:1.不同类型的功率管在正常状态下的电压值:IGBT温度检测电路中的U4的15脚电压值应为0.5V。锅具温度检测电路中的U4的14脚电压值应为0.38V。电源高低压保护电路中的U4的16脚电压值应为2.52V。过零检测...
电动汽车电机控制器的原理、故障诊断及定位思路
(2)旋变传感器检测方法:因为旋变传感器主要是由线圈构成,而测量的最好方法就是用电阻测量方法进行:励磁绕组参考电压:打开点火开关ON档测量插件端应有3—3.5V交流电压正弦绕组阻值:拔下插件测量传感器端子应有60Ω电阻±10Ω余弦绕组阻值:拔下插件测量传感器端子应有60Ω电阻±10Ω励磁绕组阻值:拔下插件测量传感器端...
中国台湾地区“芯片法案”正式实施
据phys网8月8日消息,韩国浦项科技大学(PohangUniversityofScienceandTechnology,POSTECH)的研究人员采用紫外辅助原子层沉积(UV-ALD)工艺将Al2O3介电薄膜沉积在石墨烯表面,制造出高质量的石墨烯场效应晶体管(GFET)。传统方法制造基于电极的晶体管需要沉积极薄的介电薄膜,该过程会导致石墨烯的电性能下降,且...
IGBT场效应管的工作原理以及极性判断、好坏判断方法
IGBT场效应管的工作原理以及极性判断、好坏判断方法一、前言IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET...
场效应管测量方法
4.有以下两种方法能够对MOS管的质量与性能好坏作出准确的判断:第一种方法:①用手指碰触G-D极,此时指针向右发生偏转,如图3所示(www.e993.com)2024年7月30日。手指松开后,指针略微有一些摆动。②用手指捏住G-S极,形成放电通道,此时指针缓慢回转至电阻∞的位置,如图6所示。图2所示MOS管的G-S间接有保护二极管,手指撤离G-D极后即使不去接...
IGBT场效应管的工作原理及检测方法
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备易于驱动、峰...
MIT:碳纳米管晶体管“工业化”生产方法
在实验室中构建CFNET的最有效方法之一是沉积纳米管,称为孵化。如图1所示,在基板底部预先金属栅极图案化,后进行高k栅极电介质沉积,然后将晶片浸入装有由悬浮在甲苯中的纯度高达≥99.99%的半导体性CNT组成的溶液槽中,经过一段设定的时间(“孵育时间”),然后将其取出,用溶剂喷雾冲洗并用氮气干燥。孵化方法虽然在工业上...
如何用万用表测量场效应管三极管的好坏
一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,万能表的使用方法视频此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管...
好坏全看设计 索泰全新理念5S主板来袭
就在产品定型前的最后几个小时内,索泰工程部接到采购部的电话,说能够提供一款超低振铃效应的超级电感。工程部马上对新样品进行测试,而测试结果出乎于想像。于是马上将即将定型的方案废除,重启调试与测试程序,经过两周的漫长等待之后,最终A.I.O电感方案通过所有测试并取得优良成绩,定型为最终物料方案。