...MOSFET 及制备方法专利,降低平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
金融界2024年9月18日消息,天眼查知识产权信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种多导电沟道的平面栅MOSFET及制备方法“,公开号CN202410945473.2,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,一种多导电沟道的平面栅MOSFET及制备方法,涉及半导体技术领域。在器件的的P体区和P+...
捷捷微电获得发明专利授权:“超低导通电阻分离栅MOSFET器件及其...
证券之星消息,根据天眼查APP数据显示捷捷微电(300623)新获得一项发明专利授权,专利名为“超低导通电阻分离栅MOSFET器件及其制造方法”,专利申请号为CN202010163194.2,授权日为2024年8月9日。专利摘要:本发明涉及超低导通电阻分离栅MOSFET器件及其制造方法,在N外延层内设有包围沟槽的Al4Si合金晶粒层,在沟槽的下段槽体...
多叉指MOSFET器件静电防护鲁棒性提升技巧
图3利用衬底触发技术的ESD防护电路4、多米诺型触发技术如图4所示为多米诺型多叉指器件触发技术。图中是漏极/源极的镇流电阻。每个叉指NMOS管中的电阻用来给相邻叉指的栅极提供偏置电压。多米诺型结构中任意一个叉指被触发后,其它叉指会像多米诺骨牌一样,依次开启。假设F2指最先开启,那么,最开始的ESD电流将...
新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和...
新型OptiMOS7MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率英飞凌科技股份公司正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS??7MOSFET产品组合,在40V产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件,并且推出了80V和100V型号的OptiMOS??7MOSFET。这些MOSFET针对各项标准和未来的48V汽车应用进行了优化,...
中国科学院:SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法
1.2阈值电压阈值电压是MOSFET器件的一个关键热敏感参数。通常它可以通过方程(5)给出的线性拟合方程来建模。其中Vth300是常温300K时的阈值电压,kvth是阈值电压的温度系数。对于所研究的芯片,实验提取的Vth300为2.78V,kvth为6.31mV。1.3导通电阻功率MOSFET器件的导通电阻Ron是指漏源电流Ids流过的所有区域的电...
SiC功率器件优势和AOS αSiC技术展望
在系统效率的对比测试中,无论在轻载还是重载情况下,AOS的碳化硅MOSFET在系统应用中都获得了不错的效率,特别是在重载情况下,AOS的效率是最高的(www.e993.com)2024年9月20日。AOS的碳化硅MOSFET具有优异的导通电阻和极低的温度系数,这两个因素的叠加使得在AOS碳化硅的应用系统中损耗最低,从而实现最佳的效率。客户不仅关心碳化硅MOSFET的性能,也...
昕感科技重磅首发业界领先超低导通电阻1200V/7mΩ SiC MOSFET器件...
近日,昕感科技面向新能源领域推出一款重量级SiCMOSFET器件新产品(N2M120007PP0),实现了业界领先的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。昕感新品基于车规级工艺平台,采用先进结构和制造工艺,兼容18V栅压驱动,配合TO-247-4LPlus封装,有力提升了国产碳化硅器件的性能。新产品瞄准新能源汽车主驱等亟需高压大电流与低损耗的...
爱仕特已量产3300V/60A高压大电流碳化硅MOSFET
近日,爱仕特已实现3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产和交付。为满足市场对碳化硅功率器件的更高电压、更高效率、更高功率密度的发展需求,爱仕特成功研制出耐压为3300V、导通电阻为58mΩ、可支持60A电流的碳化硅MOSFET。更高的输出功率,使得基于爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET开发的应用系统具备更高的可靠性。▲爱仕特...
MOSFET打开的过程
RGint是指MOSFET内部的栅极电阻。它包括了MOSFET结构中的寄生电阻,例如半导体材料的电阻、接触电阻等。因为在实际应用中总是存在感性负载,所以现在讨论在感性负载条件下的开关特性。图2.36为感性负载下MOSFET的导通波形图。导通状态的特性参数如下。要估算MOSFET打开的三个时段(开通延时时间td、上升时间tr...
MOSFET开关损耗简介
传导损耗是电流流过MOSFET沟道的非零电阻时消耗的功率。完全增强型MOSFET的漏极到源极电阻由RDS(on)表示。图1取自Onsemi的NDS351ANMOSFET的数据表,显示了沟道电阻如何随着栅极到源极电压的增加而降低。完全增强的状态对应于曲线的低斜率部分。Onsemi的NDS351ANMOSFET的沟道电阻与栅极-源极电压。