新洁能2024年半年度董事会经营评述
(2)500V优化特征导通电阻(Rsp)工程批已产出,特征导通电阻(Rsp)可以降低10%左右,后续将逐步进行平台展开;(3)第四代800V深沟槽SJMOS平台开始进入量产,并增加快速恢复体二极管设计,产品主要用于微型逆变器等市场;(4)第四代950V深沟槽SJMOS平台目前已经开始工程流片,该平台预计较第二代SJMOS900V平台特征导通...
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项,您知道吗?
安森美(onsemi)1200V碳化硅MOSFETM3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP(即RDS(ON)*Area),还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。此前我们描述了M3S的一些关键特性以及与第一代相比的显著性能提升,本文则将重点介绍M3S产品的设计注意事项和使用技巧。本文引用地...
会展动态丨TMC2024初步日程:聚集汽车动力系统全产业链创新技术
电驱总成高转速高导电低电阻导电油封关键技术浙江户润密封茶歇及展览参观电涡流电机位置传感器在智能底盘上的应用艾菲汽车油冷电驱系统开发流程、工程实践与验证海克斯康用于未来动力传动系统的经济和环保的热处理技术爱力德7月5日下午13:30-15:55EV传动技术创新用于EV传动系的多功能换挡系统安施德...
扬杰科技(300373)2023年年报点评:业绩稳健成长,海外布局持续深化
公司已开发上市G1、G2系SiCMOS产品,型号覆盖650V/1200V/1700V13mΩ-1000mΩ,已实现批量出货,其中1200VSiCMOS平台的比导通电阻(RSP)可对标国际水平。各类产品已广泛应用于新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。车载模块方面,公司自主开发的车载碳化硅模块已经研制出样,目前已经获得多家Tier1和终端车...
全面升级!安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析
M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP(即RDS(ON)*Area),还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化,如太阳能逆变器、ESS、UPS和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率和系统效率。本应用笔记将描述M3S的一些关键特性,与第一代相比的显著性能提升,以及一些实用...
ToF激光雷达的“命脉”:感算存一体、全数字化的SPAD-SoC
由于大面阵SPAD芯片的研发难度较高,因此,现阶段,在探测端采用SPAD技术的激光雷达厂商只好“退一步”,先在量产产品上采用了过渡形态的SiPM——SPAD输出的是数字信号,而由一组SPAD及电阻电容元件串并联而成的SiPM输出的则是模拟电路,这就没有将SPAD的优势充分发挥出来(www.e993.com)2024年9月20日。
碳化硅芯片设计公司「至信微电子」获数千万元A轮融资,剑指第三代...
在2023年6月的“第二届中国·南沙国际集成电路产业论坛”上,至信微重磅发布了主要应用于电动汽车主驱模块的1200v/16m??碳化硅MOSFET,该产品单位面积比导通电阻RSP达到惊人的2.8mΩ??cm2,跻身国际先进水平,客户反馈良好。供应链层面,至信微选择可靠的上游合作伙伴,与其形成稳定合作关系,同时采用先进设备及工艺...
针对高压应用优化宽带隙半导体器件
4H-SiCJBS二极管VBD=600-V基板和阴极欧姆接触电阻对总二极管导通电阻有很大影响。对于VBD大于1,200V的二极管,导电性有进一步发展的机会,如果二极管额定雪崩击穿电压而不是击穿漏电流,则可以满足这一要求。为了实现这一点,必须通过减少漂移层中的晶体缺陷来减少或完全消除缓冲层。
揭秘碳化硅芯片的设计和制造
根据图三A中的导通电阻示意图,我们可以得出Rdson=Rs+Rch+Ra+Rjfet+Rdrif+Rsub,在这里面Rch和Ra占比最大,超过60%以上,所以它们变成了设计和工艺优化的一个重点方向之一。不过也不是一味的减小开关单元栅极的宽度就可以减小Rsp,栅极的Wg宽度减小到一定范围,反而会导致Rsp变大,在设计的时候需要综合考虑以上的参数...
华创事件驱动早报12-25:MOSFET大厂宣布提价;MLCC厂商涨价或提前
日系厂商村田和太阳诱电分别为全球MLCC市场供货量第一和第三的厂家,产能占据绝对优势。两大厂家再次拉长交货周期,引发了市场对MLCC供应不足的担忧。5G基站、智能手机以及汽车应用的元件需求火热,均使MLCC、芯片电阻供应吃紧,甚至出现供不应求。业界预测,MLCC将提前至明年农历年后涨价,比原本的预期提前一季。