路灯白天灭,晚上自动亮,竟然是因为小小的光敏电阻
光敏电阻器为一种无结(PN结)器件,光敏特性主要利用了光导电体导电特性。当光敏电阻在受到光的照射时,如果光子能量大于本征半导体材料的禁带宽度,则价带中的电子吸收一个光子后就足以跃迁到导带,并产生一个自由电子和一个自由空穴,从而使其导电性能增加,电阻值下降。光照停止,自由电子与空穴逐渐复合,电阻又恢复原值。...
超越摩尔定律:基于加热载流子受激发射的晶体管创新
由中国科学院金属研究所(IMR)与北京大学合作开发的新型HOET由两个耦合的石墨烯/锗肖特基结组成。石墨烯以其原子厚度和优异的电学性能作为基材,而锗则作为发射极。在操作过程中,锗将高能载流子注入石墨烯基材。这些载流子随后扩散到发射极,在电场的作用下进一步加热,从而由于加热载流子的受激发射导致电流显著增加。性能...
半导体情报,中国科学家发明新型“热发射极”晶体管!
传统的热载流子生成机制,如载流子注入和加速,存在限制设备性能的不足,特别是在功耗和负微分电阻(NDR)方面。本文提出了一种基于双重混合维度石墨烯/锗肖特基结的热发射晶体管(HOET),利用加热载流子的受激发射机制,显著突破了传统机制的限制,实现了低于1毫伏每十年(decade)的超低亚阈值摆幅,并在室温下展现出大于100的...
中国科学家基于石墨烯等材料发明新型“热发射极”晶体管
石墨烯等低维材料凭借其原子级厚度、优异的电学与光电性能,以及无表面悬键等特性,易于与其他材料形成异质结,从而产生丰富的能带组合,为热载流子晶体管的发展提供了全新思路。基于此,中国科学家团队通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管,并提出一种全新...
我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
我国科学家发明新型“热发射极”晶体管近日,由中国科学院金属研究所刘驰、孙东明研究员和成会明院士主导,与任文才团队和北京大学张立宁团队合作使用石墨烯等低维材料,构建了一种既可以降低功耗、又具有“负电阻”等功能的热发射极晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路。相关成果以“一种基于载流子可控...
??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管
定时电容:在RC时间常数电路中与电阻R串联,共同决定充放电时间长短的电容(www.e993.com)2024年10月6日。缩短电容:在UHF高频头电路中,为了缩短振荡电感器长度而串联的电容。锡拉电容:在电容三点式振荡电路中,与电感振荡线圈两端并联的电容,起到消除晶体管结电容的影响,使振荡器在高频端容易起振。
面发射半导体激光器实现效率突破
这是因为:随着结数增加,多结VCSEL的增益成倍增加,而级联有源层共用一个谐振腔使得电阻和吸收损耗并没有成倍增加,因此,焦耳热和内损耗占比降低,效率提升。然而,对于多结EEL,其结构仅仅为单结EEL的空间堆叠,因此其不能实现效率提升,同时其增加的功率的也为非相关光束的叠加。
金属所/北大联手,最新Nature!
鉴于此,中国科学院金属研究所研究员成会明院士、刘驰、孙东明联合北京大学助理教授张立宁报告了一种基于双混合维石墨烯/锗肖特基结的热发射晶体管,该晶体管利用受激载流子的受激辐射实现亚阈值摆幅低于玻尔兹曼极限每十年1毫伏,并在室温下实现峰谷电流比大于100的负微分电阻。进一步展示了具有高反相增益和可重构逻辑状态的...
发光二极管的工作原理是什么?为什么可以发出不同颜色的光?
发光二极管的实际颜色取决于所发射光的波长,而该波长又取决于制造过程中用于形成PN结的实际半导体化合物。因此,LED发出的光的颜色不是由LED塑料体的颜色决定的,尽管这些塑料体略微着色以增强光输出并在其未被电源照亮时指示其颜色。发光二极管材料...
美海军发布《2024年海军科技战略》
该研究解决了高压输出与酸碱交叉相关的能源成本损失之间的长期权衡,为开发下一代水性氧化还原活性分子、具有高选择性的低电阻膜和长寿命pH解耦ARFB系统提供了方向。相关研究成果发表于《NatureEnergy》期刊。德国研究团队的三结钙钛矿太阳能电池转换效率突破24.4%...