100个基本知识,助您轻松掌握模拟电路入门!
33、晶体管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结正偏;工作在放大区时,集电结反偏,发射结正偏。34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,...
分析一个极简的电源电压检测电路
该电路设计要点在于选择合适的基极、集电结、发射结的电阻,使得三极管Q1处于饱和导通状态;假设三极管仍然处于放大状态,电源电压为Vin,MCU端口输出高电平为VO;B极电流为IB,C极电流为IC,BE极的压降为VF;电阻R1两端的电压为VE,三极管CE两端的电压为VCE,三极管C极的电流放大倍数为β,则有以下关系式成立:(1...
讲透三极管_手机新浪网
发射结加上正偏电压导通后,在外加电压的作用下,发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区,它们在基区(P区)的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述,少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结,所以,这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结...
怎么测量功率管的好坏?
首先,将万用表调整至R100或R1K挡,然后测量发射极和集电极的正向电阻。如果发现正向电阻值异常高或反向电阻值异常低,那么这通常意味着功率管已经损坏。相反,如果测得的发射结和集电结的正向电阻值都较低,这表明功率管处于良好状态。功率开关管是一种特殊的三极管,能够承受较大的电流,同时漏电流较小。它们具有...
电力晶体管-IC电子元器件|速度|电容|电阻|导通_网易订阅
电力晶体管由三个不同掺杂的P型和N型半导体材料构成,分别是发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector)。其中,发射极和基极之间是PN结,基极和集电极之间是PNP结。发射极和基极之间形成一个PN结的结电容,被称为发射结电容(Ces),基极和集电极之间形成一个PNP结的结电容,被称为集电结电容(Ccs)。
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基极电流近似于线性关系,三极管起到电流放大作用,相当于一个可调的电阻(www.e993.com)2024年9月11日。饱和区:当集电极电流增大到一定程度时,再增大基极电流,集电极电流也不会增大,集电结也正偏,三极管的电流放大系数变小,相当于一个闭合的...
基础知识之晶体管
VBE测定法硅晶体管的情况下基极-发射极间电压:VBE根据温度变化。图1.热电阻测量电路由此,通过测定VBE,可以推测结温。通过图1的测定电路,对晶体管输入封装功率:PC(max)。(假设1W晶体管的情况下,输入条件为VCB=10VIE=100mA)如图2:测定VBE的初始值VBE1...
几张动图搞懂三极管
当发射结正偏时,电荷分布会发生变化,发射结宽度会变窄;相当于给电子打开了一扇e到b的大门集电结反偏时,电荷分布会也发生变化,集电结宽度会变宽。相当于打开了阻碍电子从c级跑出去的大门,如下方动画所示:b级会接一个大电阻RB限制电流Ib的大小,跑到b极的那些多余的电子就只好穿越集电结,形成电流Ic,如下方动画...
NPN型晶体管-IC电子元器件|引脚|npn|集电极_网易订阅
其中N型半导体层被夹在两个P型半导体层之间。这三个半导体层按照一定的方式相互连接,形成了两个PN结。其中一个PN结称为发射结,另一个PN结称为集电结。发射结连接到NPN晶体管的发射极,集电结连接到NPN晶体管的集电极,而晶体管的基极连接到两个半导体材料之间。
我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
据介绍,这款新型晶体管由两个耦合的“石墨烯/锗”肖特基结组成。载流子由石墨烯基极注入,随后扩散到发射极,并激发出受电场加热的载流子,从而导致电流急剧增加。这一设计实现了低于1mV/dec的亚阈值摆幅,突破了传统晶体管的玻尔兹曼极限(60mV/dec)。此外,该晶体管在室温下还表现出峰谷电流比超过100的负...