我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路,研究成果8月15日在国际学术期刊《自然》上发表。该工作开辟了晶体管器件研究的新领...
中国科学院、北大团队发明新型“热发射极”晶体管,成果登上 Nature
据中国科学院金属研究所官方今日消息,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与北京大学的科研团队合作,采用了一种创新思路,通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的热发射极晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。该研究成果于8月15日以题...
晶体管家族增添新成员 我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
晶体管家族增添新成员我国科学家发明新型“热发射极”晶体管近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路,研究成果8月15日在...
晶体管家族增添新成员 我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路,研究成果8月15日在国际学术期刊《自然》上发表。该工作开辟了晶体管器件研究的新领...
中国科学家发明新型“热发射极”晶体管 有望提升集成电路功能
近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管。这种晶体管既可以降低功耗,又具有“负电阻”功能。该技术的应用有望设计出更高集成度、更丰富功能的集成电路。据悉,相关研究成果已于8月15日在国际学术期刊《自然》上发布。
功耗降低、性能提升!我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路(www.e993.com)2024年8月17日。据了解,此次研究成果新型晶体管由两个耦合的“石墨烯/锗”肖特基结组成。
A类功率放大器简介:共发射极PA
共发射极放大器,电源电压为12V,静态电流为750mA。图3.电源电压为12V、静态电流为0.75A的共发射极放大器。假设电源电压VCC=12V,静态电流ICQ=0.75A,RL的值是多少才能产生最大的输出功率?我们通过重写方程3求解RL,得到最佳负载电阻的公式。方程式11...
金属所/北大联手,最新Nature!
这些现象符合SEHC机制:在输出特性中,对于每一个负偏压Vb,随着负偏压Vc的增加,发射极-Gr处的热空穴被集电极收集,产生很大的负Ic,逐渐达到峰值电流;当Vc进一步增加时,基极-Gr/Ge结的偏压由正向偏压变为反向偏压,载流子注入过程停止,产生谷值电流。图3.负微分电阻...
收评:三大指数集体反弹 游戏板块全线走高
3、晶体管家族增添新成员我国科学家发明新型“热发射极”晶体管近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路,研究成果8月15...
聚和材料研究报告:进击的银浆龙头,N型时代乘东风扬帆起
银铝浆在烧结过程中依靠高温下Al/Si互溶形成的银铝尖刺实现金半接触,然而尖刺数量过多或颗粒过大会破坏发射极,造成严重的复合,需要结合硼扩和浆料工艺控制尖刺大小和数量,工艺控制精度要求高。实现正面电极低电阻接触始终是TOPCon电池提效的研究方向之一。激光增强接触优化(LaserEnhancedContact...