我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
该晶体管采用了两个由石墨烯和锗形成的“肖特基结”,在器件工作时,锗向石墨烯基极注入了高能载流子,它们随后扩散到石墨烯发射极并激发其中已被电场预加热的载流子,一起形成了突增的电流变化和负微分电阻。据了解,这项工作开辟了原创性的晶体管研究领域,为热载流子晶体管家族引入了新成员,展现了热载流子晶体管作为...
吃透MOS管,看这篇就够了
1).场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似,图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚,图1-6-B所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。图1-6-A图1-6-B2).场效应管是电压控制电流器件,由VGS控制ID,普通的晶体三极管是电流控制电流器...
翠展微:IGBT模块关断电阻对关断尖峰的非单调性影响
并且有研究表明,硅基IGBT的通态饱和压降存在理论上的最小值,要实现该最小值且不显著影响器件的关断损耗,N-基区中的通态存储载流子浓度分布需呈现出由发射极侧向集电极侧逐渐递减的特征。图6:各类IGBT载流子浓度分布图6为各类IGBT载流子浓度分布,其中平面栅型器件N-基区中的通态载流子浓度分布由发射极侧向集电极侧...
什么是共射放大器?手把手教你设计共射放大器
基极电流是通过将集电极-发射极电流除以β来计算的。耦合电容:交流耦合电容一般为10uF。注意输出级的耦合电容和下一级的输入阻抗会形成一个高通滤波器。通过交流分析的方法,可以得到所设计电路的一些特征参数,如输入输出阻抗、放大倍数等。输入阻抗:根据交流分析,输入阻抗是基极偏置电阻的并联值。在小信号分析中,...
碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法
整个电力半导体器件中变化最大的就是功率MOSFET,其中,硅基器件中SJMOSFET器件和IGBT器件在结构和工艺技术得到了较深的发展。SJ(超结)MOSFET采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降,在高压应用时优势尤其突出。但是,以宽禁带半导体(碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN))形式出现的新材料技术正在提供可改善电路设计人员选择的...
硬件工程师必知的几十个电路设计问答
答:基本放大电路按其接法的不同可以分为共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路,简称共基、共射、共集放大电路(www.e993.com)2024年9月11日。共射放大电路既能放大电流又能放大电压,输入电阻在三种电路中居中,输出电阻较大,频带较窄。常做为低频电压放大电路的单元电路。共基放大电路只能放大电压不能放大电流,输入电阻小,电压...
光伏电池片新技术逐步迭代,异质结降本增效进展迅速
异质结由于其非晶硅薄膜工艺的特殊性,加工过程需要在250度以下的温度环境完成,无法通过高温烧结将银浆与电池发射极熔融连接形成欧姆接触,低温工艺下为保证低电阻接触就需要将银颗粒直径做得更小、银的用量也需要更多,银浆耗量提升以及低温银浆成本高昂直接影响异质结的金属化成本,金属化也是生产成本中与PERC、TOPCon相差...
基础知识之运算放大器
运算放大器(OperationalAmplifier)是一种差分放大器,具有高输入电阻、低输出电阻、高开放增益(开环增益),并具有可放大+输入引脚与-输入引脚间的电压差的功能。每个电路由正侧电源引脚、负侧电源引脚、+输入引脚、-输入引脚、输出引脚等5个引脚构成。
干货| 图文解读电路中的27种电容
并接在三极管放大器的基极与发射极之间,构成负反馈网络,以抑制三极管极间电容造成的自激振荡。9、稳频电容在振荡电路中,起稳定振荡频率的作用。10、定时电容在RC时间常数电路中与电阻R串联,共同决定充放电时间长短的电容。11、加速电容接在振荡器反馈电路中,使正反馈过程加速,提高振荡信号的幅度。
2023-2029年太阳能电池片行业竞争格局及发展趋势预测报告
②在降低电流内部损耗方面:发射极方块电阻系衡量扩散效果的重要参数,发射极方块电阻越高,代表电流内部损耗控制和扩散工艺水平越高,从而电流内部损耗越低,光电转换效率越高。此外,A级率系反映电池片生产过程中产出A级片的比率,反映了电池片厂商对电池片产品生产及品质的把控能力,同样属于衡量电池片产品的关键...