入围2024年度全球电子成就奖四大奖项,这些产品有什么优势?
这是通过屏蔽栅极沟槽设计实现的,该设计具有超低栅极电荷和小于1毫欧的导通电阻RDS(on)。此外,软恢复体二极管和较低的Qrr有效地减少了振铃、过冲和电气噪声,从而确保了在压力下的最佳性能、可靠性和稳健性。采用T10,电子变流器可以设计为高效的分立方案,允许将栅极驱动器放置在MOSFET附近,使电流路径更短...
【雄心】王新潮:五年后长电科技可能全球第一
公司现已推出第三代DT-SJ工艺平台,每单元区域导通电阻(Rsp)为1.2ohm.mm2,技术参数达业界一流水平。作为国内唯一拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工厂,华虹宏力可为绿色能源应用提供从低功率到高功率的全系列解决方案。截至2017年2月,华虹宏力的功率器件累计出货量已突破500万片。随着人们对绿色、节能需求的日益提...
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项,您知道吗?
安森美(onsemi)1200V碳化硅MOSFETM3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP(即RDS(ON)*Area),还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。此前我们描述了M3S的一些关键特性以及与第一代相比的显著性能提升,本文则将重点介绍M3S产品的设计注意事项和使用技巧。本文引用地...
会展动态丨TMC2024初步日程:聚集汽车动力系统全产业链创新技术
低Rsp碳化硅平面栅MOSFET相关技术开发扬州扬杰电子碳化硅(SiC)外延与芯片制作关键技术南京百识基于多物理场耦合的新一代车规功率半导体设计仿真及试验验证上海芯华睿瓦克有机硅助力汽车电子先进封装瓦克化学7月4日下午13:30-17:30政策法规动态及燃料电池重卡最新发展与未来支持商用车绿色低碳政策的最新...
全面升级!安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析
M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP(即RDS(ON)*Area),还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化,如太阳能逆变器、ESS、UPS和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率和系统效率。本应用笔记将描述M3S的一些关键特性,与第一代相比的显著性能提升,以及一些实用...
新洁能2023年年度董事会经营评述
2)在现有量产的第四代超结平台上,针对600V和650V电压平台进一步创新进行特征导通电阻(Rsp)优化,相较于第四代产品,器件Rsp进一步降低12%,该系列新增加产品型号超过30款,已经进入量产阶段;3)搭载快速恢复体二极管的第四代800V深沟槽SJMOS平台140mΩ产品交直流参数已经达设计预期,器件Rsp相较于三代产品降低35%,产...
ToF激光雷达的“命脉”:感算存一体、全数字化的SPAD-SoC
而上图中的单光子测距引擎(RSP,RangingSignalProcessor),就是识光将测距算法固化在硬件上了。把量最大、消耗运算资源最多的那部分数据处理,在SoC芯片内部实现,这让百万级像元的SPAD面阵具备了实现的可能性,同时有助于减小系统的整体功耗。识光芯片上集成的测距算法解决了探测过程中同步、滤波、寻峰、降噪、...
碳化硅芯片设计公司「至信微电子」获数千万元A轮融资,剑指第三代...
在2023年6月的“第二届中国·南沙国际集成电路产业论坛”上,至信微重磅发布了主要应用于电动汽车主驱模块的1200v/16m??碳化硅MOSFET,该产品单位面积比导通电阻RSP达到惊人的2.8mΩ??cm2,跻身国际先进水平,客户反馈良好。供应链层面,至信微选择可靠的上游合作伙伴,与其形成稳定合作关系,同时采用先进设备及工艺...
至信微发布1200v/16m??碳化硅MOSFET,良率高达85%领跑行业
值得注意的是,此次新品1200v/16m??碳化硅MOSFET产品良率高达85%,属于行业翘楚。同时单位面积比导通电阻RSP达到惊人的2.8mΩ??cm2,跻身国际先进水平。既实现了产品高性能参数,又维持了该公司一贯以来的所有产品均一次性流片成功的优秀记录,令人称赞。究其原因是至信微一贯秉承“设计前移”的设计哲学。王仁...
揭秘碳化硅芯片的设计和制造
根据图三A中的导通电阻示意图,我们可以得出Rdson=Rs+Rch+Ra+Rjfet+Rdrif+Rsub,在这里面Rch和Ra占比最大,超过60%以上,所以它们变成了设计和工艺优化的一个重点方向之一。不过也不是一味的减小开关单元栅极的宽度就可以减小Rsp,栅极的Wg宽度减小到一定范围,反而会导致Rsp变大,在设计的时候需要综合考虑以上的参数...