MOS管常见的几种应用电路
当SDA低电平,D1的GS压差73.3V可以导通,VGA_SDA也是低电平。当SDA高阻抗状态,D1的S引脚有R2上拉到3.3V,MOS管GS截止。由于VGA_SDA由R5上拉到5伏,这时VGA_SDA就是5V。(2)分析SDA,信号从右向左当VGA_SDA低电平,由于D1中有体二极管的存在,S初始被R2上拉,当D极是0的时候,S极会被钳在导通电...
MOS管及其外围电路设计
该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个电压,当该电压高于mos管的门槛电压Vth时,mos管会误开通,为了防止mos管误开通,应当满足:式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和...
吃透MOS管,看这篇就够了
MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。其结构示意图:解释1:沟道上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mo...
如何让MOS管快速开启和关闭
因为MOS管栅极高输入阻抗的特性,一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通,所以建议在MOS管G极和S极之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗。如果担心附近功率线路上的干扰耦合过来产生瞬间高压击穿MOS管的话,可以在GS之间再并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管。TVS可以认为是一个反应速度很快的稳压管,其瞬间可以承受...
MOS管G极与S极之间的电阻作用
MOS管具有三个内在的寄生电容:Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现(规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替)。MOS管之所以存在米勒效应,以及GS之间要并电阻,其源头都在于这三个寄生电容。本文引用地址:httpseepw/article/202312/453804.htm...
干货| MOS管防护电路解析
由于栅极与源极的阻抗很高,漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压,此电压会使很薄的栅源氧化层击穿,同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿,所以要在MOS管栅源极并联稳压管(图中D903)以限制栅极电压在稳压管稳压值以下,保护MOS管不被击穿,MOS管栅源极并联电阻(图中...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
MOS管有最大栅源电压的要求,如果实际的Ugs大于这个最大值,MOS管将会过压损坏,所以,应限定Ugs。这里采用稳压二极管Z2来实现限幅,电阻R4给Z2提供合适的电流,使其工作在反向击穿稳压区。图6.限定栅源(GS)电压元件选型定参图7.电路拓扑定型1.选择比较器...
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法
也可用热敏电阻法来限制冲击电流,但由于DC/DC电源的输入电压较低,输入电流较大,在热敏电阻上的功耗也较大,一般不用此方法。3.2有源冲击电流限制法3.2.1利用MOS管限制冲击电流利用MOS管控制冲击电流可以克服无源限制法的缺陷。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点,在周围加上少量元器件就可以做成冲击电...
开关电源电路设计的10个经验
MOS管的驱动借用一个图,这个图是过欠压、过流保护的电路,分别通过两个光耦控制驱动信号,正常情况下光耦导通,MOS管导通,出现异常后光耦切断,MOS管断开,这个图至少有两个明显的错误,大家看看在哪里。(R6R7为1k,R25R26为10k)反馈电路中两个电阻的选择依据...
上汽集团取得脉冲信号边沿选择电路及控制电路专利,实现边沿选择...
金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻;第二电阻的第一端用于连接脉冲信号源;第二电阻的第二端通过第三电阻接地;第二电阻的第二端连接MOS管的栅极;MOS管的源极用于接地;MOS管的漏极连接第一电阻的第一端;第一电阻的第二端用于连接脉冲信号源;MOS管的漏极用于连接控制芯片的接收...