MOS管及其外围电路设计
该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个电压,当该电压高于mos管的门槛电压Vth时,mos管会误开通,为了防止mos管误开通,应当满足:式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和...
吃透MOS管,看这篇就够了
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...
要想快充能效高,就选这些饱受好评的威兆MOS管
威兆VS3622DB是一款双NMOS管,耐压30V,双管集成的形式有效提升性能,具备低栅极电流和低导通电阻特性,导阻分别为8.2m??及6m??,采用DFN3x3封装。这款器件无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于同步整流降压输出。1、充电头网拆解报告:aigo2A1C18WPD快充魔方插座(有线版)2、拆解报告:aigo魔方转换器MN331PD...
MOS管G极与S极之间的电阻作用
在GS之间并联一个电阻(阻值约为几K到几十K),可以有效保障MOS管正常工作。首先,门极悬空时DS之间电压不会导致MOS管导通损坏,同时在没有驱动时能将MOS管的门极钳在低位,不会误动作,能可靠通断。
MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)
图:MOS管外形MOSFET产品的核心指标的比较基础以及相互之间存在的制约关系如下:1)高压MOSFET产品性能的关键指标之一是导通电阻Ron与栅极电荷Qg的乘积优值FOM。相同导通电阻下,栅极电荷越小则优值越低,器件的动态损耗越小,整体性能越强。在电压为限定条件时,功率MOSFET的导通电阻与栅极电荷的乘积越小,该器件性能更...
英集芯入局功率器件市场!|MOS管|电流|电阻_新浪新闻
在30V的漏源电压条件下,该MOSFET可以承载8A的电流(www.e993.com)2024年9月17日。导通电阻在栅源电压为10V且漏极电流为5A时为14.5mΩ,而在栅源电压降低至4.5V且漏极电流为4A时,导通电阻略微增至17mΩ。该MOS管采用SOT23-3L封装。英集芯IP15N03M资料详细信息。充电头网总结...
如何让MOS管快速开启和关闭
因为MOS管栅极高输入阻抗的特性,一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通,所以建议在MOS管G极和S极之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗。如果担心附近功率线路上的干扰耦合过来产生瞬间高压击穿MOS管的话,可以在GS之间再并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管。
结型场效应管极性判断方法,帮你搞定jfet极性判断
这种方法也适用于测量MOS晶体管。为了保护MOS场效应管,需要握住绝缘手柄,用金属棒连接栅极,防止人体感应电荷直接加到栅极上,损坏晶体管。每次测量MOS管后,GS结电容上会有少量电荷,电压UGS就会建立起来。然后,如果继续测试,表笔可能不动,将GS极之间的电路短路即可解决问题。
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
Mos管发热,主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时,显现交流特性而具有阻抗,形成电流,有电流就有发热,并非电场型的就没有电流。另一个原因是当栅极电压爬升缓慢时,导通状态要路过一个由关闭到导通的临界点,这时,导通电阻很大,发热比较厉害。第三个原因是导通后,沟道有电阻,过主电流,形成发热。
干货| MOS管防护电路解析
由于栅极与源极的阻抗很高,漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压,此电压会使很薄的栅源氧化层击穿,同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿,所以要在MOS管栅源极并联稳压管(图中D903)以限制栅极电压在稳压管稳压值以下,保护MOS管不被击穿,MOS管栅源极并联电阻(图中...