芯锐能取得与BMS并联的外置均衡电路专利,实现电池或电池组的一致性

专利摘要显示,本申请提供了一种与BMS并联的外置均衡电路,包括均衡控制芯片U,均衡控制芯片U包括引脚1、引脚2、引脚3、引脚4、引脚5,引脚1与电阻R51连接,电阻R51与三极管Q的基极连接,三极管Q的发射极接地,三极管Q的集电极与电阻R50连接,电阻R50与引脚2连接,电阻R50与引脚2之间连接有电阻R49,电阻R49的另一端与电压...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

中和电容:并接在三极管放大器的基极与发射极之间,构成负反馈网络,以抑制三极管极间电容造成的自激振荡。定时电容:在RC时间常数电路中与电阻R串联,共同决定充放电时间长短的电容。缩短电容:在UHF高频头电路中,为了缩短振荡电感器长度而串联的电容。锡拉电容:在电容三点式振荡电路中,与电感振荡线圈两端并联的电容,起...

金属所/北大联手,最新Nature!|电阻|基极|晶体管|集电极|发射极...

这些现象可以总结为,最初发射极-Gr/p-Ge结和基极-Gr/p-Ge结都处于反向偏置,当基极偏置增加到临界值时,基极-Gr/p-Ge结充分正向偏置,因此发射极-Gr中大量的空穴会突然发射到Ge集电极中,而空穴会从发射极进入,以确保从发射极到集电极的连续电流。温度越高,这种现象越明显,间隙越短,临界基极偏置越小。最后,作...

成都华微取得负相输出电压高电源抑制比的线性稳压器专利,在低频和...

由M个NPN管并联构成,其中每个NPN管的基极和集电极接地,发射极通过第三电阻接第二输入端;误差放大器,其正相输入端接第一输入端,其反相输入端第二输入端,其输出端接第一NMOS管的栅极;第一NMOS管,其漏极接基准电压输出端,源极接低电平

【复材资讯】成会明院士团队Nature!石墨烯晶体管重大突破!

图3负微分电阻多值逻辑技术多功能HOET在各种应用中都有着广阔的前景。作者使用三个HOET(T1-T3)与共发射极、共集电极(Ge衬底)和独立基极1-3并联来制作电路,由等效电路和器件符号说明(图4a、b)。为了演示高反相器增益,作者使用一个基极电压作为输入信号(IN,以Vb3为例),并且集电极电流Ic为输出信号(OUT;图4c...

Colpitts振荡器原理分析,图文+案例

这种类型的晶体振荡器(如下图)是围绕一个公共集电极(发射极跟随)放大器设计的(www.e993.com)2024年11月4日。R1和R2电阻网络设置基极上的直流偏置电平,而发射极电阻RE设置输出电压电平。电阻R2设置得尽可能大,以防止负载到并联晶体。晶体管2N4265是一种通用NPN晶体管,连接在公共集电极配置中,能够以超过100Mhz的开关速度运行,...

吃透MOS管,看这篇就够了

1)、输入阻抗高,驱动功率小:由于栅源之间是二氧化硅(SiO2)绝缘层,栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻,一般达100MΩ左右,交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高,对激励信号不会产生压降,有电压就可以驱动,所以驱动功率极小(灵敏度高)。一般的晶体三极管必需有基极电压Vb,再产生基极电流Ib,才...

可控硅触发电路原理,图文+案例

它在B处提供一系列窄脉冲,当电容充电到UT的峰值电压(V_)时,UJT开启。这会在发射极–基极1结上放置一个低电阻,并且发射极电流流过脉冲变压器的初级,将栅极信号施加到可控硅SCR,可以通过增加C的值来增加输出信号的脉冲宽度。该电路的一个困难是,由于脉冲宽度窄,在去除栅极信号之前可能无法获得锁存电流。不过一个...

川仪股份获得实用新型专利授权:“一种用于APF或SVG的直流侧软启动...

所述继电器的线圈端连接一驱动电路,所述驱动电路包括三极管,所述三极管的发射极接地,所述三极管的集电极通过第一电阻连接电源正极,所述第一电阻两端并联继电器线圈端的两引脚,所述三极管的基极通过第二电阻连接控制信号端,所述控制信号端用于接收主控芯片的控制信号,解决APF或SVG的直流侧启动时瞬时电流过大的问题,有效...

什么是共射放大器?手把手教你设计共射放大器

共射极放大电路改进增加放大倍率低压电源电路差动输出电路调谐放大电路众所周知,晶体管是电流控制器件。例如,通过改变基极电流来控制集电极-发射极电流。在一般的电压放大场合,这种放大效果来自于使用电阻将电流转换为电压。在小信号模型中,基极电流的来源是输入电压与基极-发射极动态电阻(Rbe)的比值,通常为k...