...电容和使用场合的设计电压的改变量快速地求出最优化的驱动电阻值
金融界2024年7月9日消息,天眼查知识产权信息显示,杭州中恒电气股份有限公司取得一项名为“一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法“,授权公告号CN115166366B,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本发明属于电力技术领域,涉及一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法,步骤包括:S1、确定充电电量;S2、计算等效...
翠展微:IGBT模块关断电阻对关断尖峰的非单调性影响
这种现象就要求应用端进行电阻选取要试用更多、范围更大的电阻,因为增加电阻的单调性规律在Trench结构IGBT已经不再适用。Trench结构IGBT这样独特的特性,与它的设计密切相关。首先关注IGBT的基本结构(图3),一个IGBT在结构的上等效可以为一个MOS一个PNP管与一个NPN管,在正常应用环境下NPN管不起作用,在开通状态集电极电...
一文搞懂IGBT
3、IGBT开关参数的选择变频器的开关频率一般小于10kHz,而在实际工作的过程中,IGBT的通态损耗所占比重比较大,建议选择低通态型IGBT。4、影响IGBT可靠性因素:(1)栅电压IGBT工作时,必须有正向栅电压,常用的栅驱动电压值为15~187,最高用到20V,而棚电压与栅极电阻Rg有很大关系,在设计IGBT驱动电路时,参考IGBT...
电源设计必学电路之驱动篇
SiCMOSFET的驱动电压范围为-5~20V,其驱动电路设计应考虑驱动电平与驱动电流的要求,死区时间设定的要求,芯片所带的保护功能以及抗干扰性等。氮化镓晶体管与硅管相似,也是电压驱动,它的栅源极驱动电压范围为-5~6V。为了获得较小的驱动电阻,氮化镓晶体管驱动高电平一般设置在5V左右,考虑到高频工作条件下回路的寄生感...
了解这些 就可以搞懂 IGBT
IGBT是结合了MOSFET和双极晶体管优点的晶体管。MOSFET由于栅极是隔离的,因此具有输入阻抗高、开关速度较快的优点,但缺点是在高电压时导通电阻较高。双极晶体管即使在高电压条件下导通电阻也很低,但存在输入阻抗低和开关速度慢的缺点。通过弥补这两种器件各自的缺点,IGBT成为一种具有高输入阻抗、开关速度快(IGBT开关速度...
详解IGBT工作原理,几分钟搞定!
因此,在IGBT结构中存在另一个晶体管Q2作为n–pn+,因此,我们需要在近似等效电路中加入这个晶体管Q2以获得精确的等效电路(www.e993.com)2024年10月18日。IGBT的精确等效电路如下所示:IGBT的精确等效电路图该电路中的Rby是p区对空穴电流的流动提供的电阻。众所周知,IGBT是MOS管的输入和BJT的输出的组合,它具有与N沟...
纳芯微带主动米勒钳位和DESAT保护功能的隔离驱动在汽车电控系统中...
米勒钳位功能驱动芯片控制IGBT关断的过程如下图6所示,首先OUTL引脚打开,使栅极电压下降;当栅极电压降到CLAMP阈值以下时,开启CALMP引脚,使OULT引脚关闭。所形成的通路可以有效bypass栅极电阻,从而避免出现上下管导通的现象。值得注意的是,米勒钳位模块只在IGBT关闭的过程中才工作。
最新国产车规芯片厂商实力大PK
8、电容电阻电感等被动器件根据MordorIntelligence数据,2022年全球被动元器件市场规模预计约为422.49亿美元,预计到2027年将达到546.7亿美元,2022-2027年复合年增长率为5.29%,市场空间广阔。目前,车规被动器件主要厂商有风华高科、三环股份、宇阳科技、微容股份、顺络电子、法拉电子、鹰峰电子等。
中恒电气获得发明专利授权:“一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻...
证券之星消息,根据企查查数据显示中恒电气(002364)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法”,专利申请号为CN202210692177.7,授权日为2024年7月9日。专利摘要:本发明属于电力技术领域,涉及一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法,步骤包括:S1、确定充电电量;S2、计算等效寄生...
深度剖析IGBT栅极驱动注意事项
对于该情况而言,IGBT#2的典型Cgc为84pF,而阈值栅极电压为7.5V(在15A的条件下)。利用上述公式,该电路的最大总栅极电阻为:Rg<25.5Ω。因此,如果内部栅极电阻为2Ω,驱动器阻抗为5Ω,则所使用的绝对最大栅极电阻应为18Ω。实际上,由于IGBT、驱动器、板阻抗和温度的变化,建议采用...