中国科大在半导体深紫外LED研究中取得重要进展
其中的奥秘主要取决于III族氮化物这种直接带隙半导体材料:导带上的电子与价带上的空穴复合,从而产生光子。而光子的能量则取决于材料的禁带宽度,科学家们则可以通过调节AlGaN这种三元化合物中的元素组分,精密地实现不同波长的发光。然而,要想实现紫外LED的高效发光并不总是那么容易。研究者们发现,当电子和空穴复合时,并...
被朋友拉去听演唱会,可注意力全程被手里这个东西吸引
在复合的过程中,释放出的能量正是导带底与价带顶之间的能量差,即禁带宽度Eg(单位:电子伏特eV)。不同的禁带宽度,释放不同的能量,即产生不同颜色的LED。LED产生光的波长与禁带宽度的关系如下式所示而采用不同的半导体材料,获得不同的禁带宽度,就可以产生多种颜色的LED啦~不同半导体材料的禁带宽度及对应LED的颜色...
Nano Letters:双层石墨烯基超陡坡度低温晶体管!!
(a,b)在四种不同位移场下(参见面板b中的不同颜色和标签),电流作为栅极电压的函数,接近价带边缘(面板a)和导带边缘(面板b)。栅极漏电流以灰色曲线示例性显示,D/ε0=470mV/nm(参见图S4)。测量在Vds=0.1mV和T=0.1K下进行。(c)提取的最小反向亚阈斜率作为位移场的函数,分别对应价带(黑色)...
第三代半导体掀起全球扩产潮
第三代半导体主要指具有宽带隙特性(注:带隙主要指是指半导体材料中电子从价带跃迁到导带所需的最小能量,大于2.5eV为宽带隙,硅的带隙约为1.1eV,锗为0.66eV)的半导体材料,因此又称宽禁带半导体,主要包括碳化硅(SiC,带隙为3.2eV)、氮化镓(GaN,,带隙为3.4eV)。与第一代半导体硅(Si)和第二...
闪耀人类科学40年的技术!显示屏、光伏、生物医药均有应用!硬核...
量子点是把导带电子、价带空穴及激子在三个空间维度上束缚住的半导体纳米结构,粒径尺寸为1-10nm,大约是网球直径的6000万分之一。量子点具备优异的光电性能,通过对其施加一定的电场或光压,其会发出特定频率的光,并且光的频率会随着量子点材料尺寸的增大而降低。也就是说,通过调节量子点材料尺寸,就可以控制其发出光...
热电偶原理——塞贝克效应和塞贝克系数
今天,我们知道电场或热能可以将一些电子从导体的价带释放到导带(www.e993.com)2024年9月10日。虽然价电子与原子结合得太紧,无法对电流做出贡献,但导带中的电子有足够的能量在材料中自由移动。当金属棒两端存在温差时,热区会产生更多的自由电子。热端的电子也比导体冷端的电子受到更多的热搅动。这些热搅动的电子比低能电子扩散得更快。
下一代芯片用什么半导体材料?专家:未来方向必然是宽禁带半导体
所谓量子点是一类微小颗粒或纳米晶体,即直径在2-10纳米之间的半导体材料,是导带电子、价带空穴及激子在三个空间维度上束缚住的半导体纳米结构。除了在显示和照明领域的应用外,诺贝尔化学奖委员会称,未来量子点还有望在量子计算、柔性电子产品、微小传感器、更薄的太阳能电池等领域做出贡献。
中国科大在二维材料拓扑态研究方面取得系列重要进展
通过系统地利用电子输运特性研究、贝利曲率分析以及局域化长度计算,乔振华课题组与合作者发现了一种新型的量子反常霍尔效应在自旋反转杂质情况下的Anderson局域化的全新物理机制,即价带和导带对应的贝利曲率在杂质的作用下发生交换从而实现量子反常霍尔效应的局域化(见图一)。该工作于2016年7月29日发表在《物理评论快报》...
稳态强磁场实验装置在凝聚态物理学中的应用
到目前为止,人们已经发现了多种类型的拓扑半金属,其类型可以通过能带接触点的属性加以区分,例如接触点的简并度、接触点是否连成封闭曲线以及价带和导带在能量上是否有能量交叠等。这些属性的区分极大地扩展了拓扑半金属家族。在实验上证实了狄拉克半金属和外尔半金属的存在则将拓扑半金属的研究工作推到了凝聚态物理的...
钙钛矿电池能在太空中自我修复?是时候好好盘盘它啦!
由于半导体本身是不带电的,这种扩散运动会使PN结两侧形成电势差,产生电场。在硅中,PN结两侧会产生约0.6V至0.7V的势垒。当把具有PN结的太阳能电池置于阳光下时,P侧吸收的光子导致价带中的电子跃迁到导带,也就是从受缚电子成为自由电子。这个过程称为光激发。