第三代半导体掀起全球扩产潮
如果说PC、智能手机的普及是硅半导体的革命,目前在全球掀起扩产潮的第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)正在寻找下一个落地应用的风口。第三代半导体主要指具有宽带隙特性(注:带隙主要指是指半导体材料中电子从价带跃迁到导带所需的最小能量,大于2.5eV为宽带隙,硅的带隙约为1.1eV,锗为0.66eV)的半导体材料,...
研究揭示胶体量子阱中的热电子弛豫机制
随后,团队利用可见光脉冲探测热电子从n=2子带向n=1子带弛豫的过程。该策略巧妙地解决和避开了前人的研究中所遇到热电子初始状态定义不明确,以及价带上存在空穴,电子-空穴相互作用可能会干扰本征的热电子弛豫动力学等问题。团队发现,热电子从n=2子带发射声子弛豫到n=1子带,以及在n=1子带内的电子-电子散射过程会...
可见光下从价带内产生空穴以增强氧化电位
在此,课题组提出了一种在可见光照射下引发有机共轭分子晶体中价带内(intra-VB)空穴生成的通用方法。Fe3+诱导了价带边(side-VB)是空轨道的缺电子前驱体,这一状态允许电子能够从intra-VB跃迁到side-VB。通过研究五种典型的共轭光催化剂,证明了在可见光下会产生具有强氧化电位(相对于RHE高达3.85V)的空穴。对于PT...
隧道效应:现代穿墙术,从BSC理论聊到约瑟夫森效应
其中,靠近禁止能带下面的允许能带叫做价带,靠近禁止能带上面的允许能带叫做导带。在常温下,半导体的价带里的电子都被占满了,导带里的电子都是空的,所以半导体不会导电。但是,当半导体受到热或者电的刺激时,一部分价带里的电子就会跳到导带里,变成自由电子,同时在价带里留下一个空位,也可以看成是一个正电荷。这样,...
朱永法教授团队Chem:可见光诱导价带内强氧化空穴产生
Fe3+诱导了价带边(side-VB)是空轨道的缺电子前驱体,这一状态允许电子能够从intra-VB跃迁到side-VB。通过研究五种典型的共轭光催化剂,我们证明了在可见光下会产生具有强氧化电位(相对于RHE高达3.85V)的空穴。对于PTCDA分子晶体,intra-VB的空穴(位于HOCO-1β)与羰基耦合,形成空穴耦合羰基位点(-C=O+),...
从零开始读懂诺贝尔奖关键词“量子点”
物质里的电子仍然要按照泡利不相容原理从低到高填充每一个能带上的所有能级(www.e993.com)2024年9月10日。在有些材料中,最上层的那个能带没有填满,这些是金属材料。在大部分化合物,半导体和绝缘体材料中,最上层的能带刚好被其内部的所有电子填满。这样的能带叫价带,再上面有一个空的能带叫导带。之所以这么叫,是因为在填满的能带里,电子是无法...
半导体中的Ec,Ev,Ef之间是什么关系?
在半导体的世界里,Ec、Ev和Ef是描绘电子系统能量状态的三个关键概念。首先,Ec,又称导带,是电子系统中的高端状态,能量高于它,电子即能摆脱原子的束缚,成为自由电子,具备在电场中自由移动的能力,因此被称为导带。相反,Ev,即价带,处于系统低端,能量低于或等于它,电子被原子牢固地束缚,形成稳定的价键,因此得名。Ef,...
一种研究半导体缺陷的新实验方法
最重要的是,借助一种独特的实验方法,他们成功展示了这种电子结构如何依赖于自旋。像电荷一样,自旋是电子的内在属性,只能取两个值。通过他们使用圆偏振光的pol-PICTS方法,从价带移动到导带的电子主要具有给定的自旋,从而可以详细研究通过能隙态的复合如何对自旋敏感。结果表明,镓间隙缺陷在GaAsN中不仅引起一个而是三个...
光电二极管中的带隙之争:直接与间接材料的能量之战
直接带隙材料的光电二极管利用其电子从价带到导带的直接跃迁特性。当光子(光量子)击中材料并激发电子从价带跃迁到导带时,电子和空穴对会迅速分离并在电场作用下产生电流。这种跃迁过程不需要额外的动量,因此直接带隙材料在光电二极管中表现出高效的光电转换效率和快速的响应速度。例如,氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等直接带...
上海交通大学,又发Nature!
因此,显著的自旋分裂要么发生在导带(D<0),要么发生在价带(D>0),如图1c所示。在实验中,研究者的器件估计的IsingSOC强度λI约为1.7meV。在这里,研究者报道了通过静电掺杂在电子和空穴掺杂的BBG/WSe2器件中观察到的超导性和一系列风味对称性破缺相。观察到的超导性的强度可以通过施加垂直电场来调节...