吃透MOS管,看这篇就够了
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
Mos管也能工作在放大区,而且很常见,做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高...
方舟微MOS管获哈曼、摩米士等多家知名品牌采用
耗尽形MOS方舟微DMZ0615E方舟微DMZ0615E是一款耐压70V,导阻10Ω的耗尽形MOS,采用SOT-23封装,这款器件能够利用其次阈值特性稳定地为负载供电,具备改进的ESD能力以及超高Vth,损耗低,符合RoHS标准,无铅无卤素,适用于各种快充设备使用。1、拆解报告:mophie30WPD快充充电器2、拆解报告:摩米士140W2C1A氮化镓充...
MOS管-IC电子元器件
1、N沟道MOS管(NMOS):沟道区域为N型半导体,栅极电压为正时导通。2、P沟道MOS管(PMOS):沟道区域为P型半导体,栅极电压为负时导通。3、增强型MOS管(EnhancementMOSFET):栅极电压为正时导通,栅极电压为零时截止。4、耗尽型MOS管(DepletionMOSFET):栅极电压为负时导通,栅极电压为零时截止。5、压控型MOS管(V...
MOS管基础及选型指南
MOS管是FET的一种(另一种为JFET结型场效应管),主要有两种结构形式:N沟道型和P沟道型。根据场效应原理的不同,分为耗尽型(当栅压为零时有较大漏极电流)和增强型(当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流)两种。因此,MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、...
119家功率器件厂商汇总|晶体管|二极管|氮化镓|igbt|电子元器件|...
(ARK)成都方舟微电子有限公司成立于2008年,是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司(www.e993.com)2024年9月17日。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
这里就需要说明mos管的另外两个概念,即:**预夹断&夹断**。mos管的预夹断:对于N沟道增强型MOS,只要VGS>VGSth,mos管DS之间就会出现反型层(即mos管已经导通,并在DS间形成了一条通道,该通道形成是因为栅极电压VGS的增大,将电子吸引至耗尽层形成),然后这时我们在mos管的DS间设置电压,D端连接电源正极,S端连接...
一文了解方舟微历年拆解案例
充电头网最近在整理历年拆解案例时,发现方舟微旗下多款功率MOS进入哈曼、摩米士等多家厂商供应链,助力设备高效稳定输出,下面小编将为您介绍这些方舟微MOS管。耗尽形MOS方舟微DMZ0615E方舟微DMZ0615E是一款耐压70V,导阻10Ω的耗尽形MOS,采用SOT-23封装,这款器件能够利用其次阈值特性稳定地为负载供电,具备改进的...
详解集成电路中MOS管的基本原理和工作特性
如前面所说,我们研究I/V特性不是为了推导而推导,只是为了让我们更加清楚地了解MOS管的工作状态,在后续的表达中可以更加简洁精炼,因此我们本部分重点讨论MOS管的工作状态(主要讨论NMOS管,PMOS其实很多时候就是多一个负号,大家可以自行分析下),以及如何判断工作状态,附带地根据数学公式绘制出各个状态下的I/V特性。
一文了解MOS管寄生电容是如何形成的?
根据不通电情况下反型层是否存在,MOS管可分为增强型、耗尽型——寄生电容形成的原因1.势垒电容:功率半导体中,当N型和P型半导体结合后,由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中,因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区(该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行,最终使扩散运动达到平衡)...