MOS管开关电路设计,用三极管控制会烧坏?
我们一般会用一个三极管去控制,如下图!MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见,由于MOS管有一个寄生的二极管,如果CD5V的滤波电容过大,或者后端有别的电压串进来,会把前端给烧坏!电流路径如下:后端电流路径如何改善这个问题呢?有两个方式,一种是在后端串联二极管。防止后端电压电流串扰的电路优点,...
吃透MOS管,看这篇就够了
Mos管也能工作在放大区,而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高阻抗...
MOS管的安全工作区SOA详解(一)限制线介绍
顾名思义,SOA区——安全工作区,就是用来评估MOS管工作状态是否安全,是否有电应力损坏的风险的。只要使用的条件(电压、电流、结温等)不超出SOA圈定的区域,MOSFET必然能够按照我们想象的那样,任劳任怨的持续运行,反之,则可能烧掉。SOA图形是一个非常有用的图形,特别在一些热插拔,电机驱动,开关电源等用到开关MOS的场...
【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器
2、当低侧处于逻辑0当低侧处于逻辑0或低状态(0V)时。3、当高侧状态从1变为0或从高变为低(5V变为0V)时当低端为高电平时,即MOS管的源极电压为3.3V,由于未达到MOS管的Vgs阈值点,MOS管不导通。此时MOS管的栅极为3.3V,源极也为3.3V。因此,Vgs为0V,MOS管关闭。逻辑...
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
MOS管是指绝缘栅型场效应管,下面以增强型NMOS来介绍其工作原理。在P型半导体衬底上制作两个高掺杂浓度的N型区,形成MOS管的源极S和漏极D。第三个电极称为栅极G,通常用金属铝或者多晶硅制作。栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层(厚度极薄,在0.1μm以内)隔开。若在漏极和源极之间加上电压,而栅源电压VGS=0,则由于...
干货| 用 MOS管构建双向逻辑电平转换器电路
另一种工作状态是MOS管的高侧状态从高电平变为低电平时,这是漏极衬底二极管开始导通的时间,MOS管在低压侧被下拉至低电压电平,直到Vgs跨越阈值点(www.e993.com)2024年9月9日。低压段和高压段母线在相同电压水平下均变低。3、转换器的开关速度设计逻辑电平转换器时要考虑的另一个参数是转换速度。由于大多数逻辑转换器将在USART、I2C...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
Mos管也能工作在放大区,而且很常见,做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。
怎么设计反激式转换器?实际设计案例,手把手教你设计
反激式转换器有2个信号半周期:tON和tOFF,以MOSFET的开关状态命名(并受其控制)。在tON期间,MOSFET处于导通状态,电流从输入端流过初级电感,对耦合电感进行线性充电。在tOFF期间,MOSFET处于关断状态,耦合电感开始通过二极管退磁。来自电感的电流为输出电容充电并为负载供电。
一文搞懂IGBT
1、开关速度低于MOS管。2、因为是单向的,在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。3、不能阻挡更高的反向电压。4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题。04IGBT的主要参数1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大...
详解IGBT工作原理,几分钟搞定!
IGBT的近似等效电路由MOS管和PNP晶体管(Q1)组成,考虑到n-漂移区提供的电阻,电阻Rd已包含在电路中,如下图所示:IGBT的近似等效电路仔细检查IGBT的基本结构,可以得出这个等效电路,基本结构如下图所示。等效电路图的基本结构穿通IGBT、PT-IGBT:穿通IGBT、PT-IGBT在发射极接触处具有N+区...