mos管基础知识及选型需要注意哪些参数?
MOS管,即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件。和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。场效应...
??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管
当然管子按需要工作在线性范围的上拉电阻不能太小。当然也会用这个方式来实现门电路电平的匹配。一般作单键触发使用时,如果IC本身没有内接电阻,为了使单键维持在不被触发的状态或是触发后回到原状态,必须在IC外部另接一电阻。一般说的是I/O端口,有的可以设置,有的不可以设置,有的是内置,有的是需要外接,I/...
干货| 单片机I/O口驱动,为什么一般都选用三极管而不是MOS管?
3.3V电压肯定是大于Ube的,所以直接在基极串联一个合适的电阻,让三极管工作在饱和区就可以了。Ib=(VO-0.7V)/R2。图2驱动三极管示意图②驱动MOS管通过前面也了解到,MOS管的饱和电压>3.3V,如果用3.3V来驱动的话,很可能MOS管根本就打不开,或者处于半导通状态。在半导通状态下,管子的内阻很大,驱动小电流负...
超详细|开关电源电路图及原理讲解
当R5上的电压达到1V时,UC3842停止工作,开关管Q1立即关断。R1和Q1中的结电容CGS、CGD一起组成RC网络,电容的充放电直接影响着开关管的开关速度。R1过小,易引起振荡,电磁干扰也会很大;R1过大,会降低开关管的开关速度。Z1通常将MOS管的GS电压限制在18V以下,从而保护了MOS管。Q1的栅极受控电压为锯形波,当其占...
标金牌却是白金实力!全汉Vita GM 1000W ATX3.1电源拆解揭秘!
开关电源的核心当然就是开关电路了,其工作原理是上桥和下桥的MOS管轮流导通和关闭,实现储能和放能,从而将高压直流电变为高压脉动电。▼这一部分可以看到有独立的散热片,上面有PFC开关管,旁边还有一个竖直的PCB板。开关电路▼PFC开关管是由2个MOS管并联组成,型号为东芝TK31E60W,规格为30.8A@25℃,最大导通...
干货| 反激开关电源电路分析
开关电源是利用现代电子电力技术,控制开关管开通和关断的时间比率(www.e993.com)2024年7月12日。维持稳定输出电压的一种电源。开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。开关电源的类型线性稳压器所谓线性稳压器,也就是我们所说的LDO,一般有这两个特点:传输元件工作再线性区,它没有开关的跳变。
一文搞懂IGBT
MOSFET与IGBT在线性区之间存在差异(红框所标位置)。这主要是由于IGBT在导通初期,发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。06IGBT如何选型1、IGBT额定电压的选择三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电...
支持48/60/72V电池组,两河电子铅酸电池组充电保护均衡模块解析
在蓝牙模块上方为降压供电电路,右侧设有控制充电开关的MOS管,右侧为滤波电容,连接插座。在底部还焊接一块小板以及滤波电容。PCBA模块背面没有焊接元件。开关电源芯片上方设有散热片,通过焊接固定。焊接拆下开关电源芯片上方的散热片。开关电源芯片来自DK东科,型号DK112L,芯片内部集成高压启动电路,集成700V开关管,...
必看!IGBT基础知识汇总!
MOSFET与IGBT在线性区之间存在差异(红框所标位置)。这主要是由于IGBT在导通初期,发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。06IGBT如何选型1、IGBT额定电压的选择三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压...
如何确保MOS管工作在安全区
我们知道开关电源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。这里就衍生一个概念,安全工作区。