SiC,全民“挖坑”
具体来看,在垂直沟槽方向注入铝元素,使沟槽底部形成电场限制层,再通过其新技术斜向注入铝,形成连接电场限制层和源极的侧接地,并斜向注入氮元素,在局部形成更容易导电的高浓度掺杂层。电场限制层将施加在栅极绝缘膜上的电场降低到传统平面结构水平,保证耐压的同时,提高器件的可靠性。连接电场限制层和源极的侧接地,实...
40年晶体管技术最大突破 45nm制程工艺解析
源极是指晶体管中电流产生的部分,它包含涂层硅(dopedSi),漏极是指晶体管中电流流向的部分,这部分与源极一样,都参杂了一些杂质以降低电阻。不过晶体管是绝对对称的,则电流可以从源极流向漏极,也可以从漏极流向源极。栅极电极就是晶体管顶端的区域,其电流的状态决定晶体管是打开还是闭合,传统上栅的制作材料是多...
电动汽车充电逼近加油速度,要靠功率半导体了|洞见
功率半导体器件又称为电力电子器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件,包括MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、BJT(全程双极性结型晶体管,也就是三极管)、晶闸管、GTO(可关断晶闸管)等种类,目前应用最广泛的就是MOSFET、IGBT与BJT等采用开关模式电源器件。先来说...
深度揭秘硅片产业,巨大潜力成就半导体材料之王
区熔法(FZ):这种方法的硅片主要用在部分功率芯片中,市场占比约为4%;用FZ(区熔法)制作的硅片主要用作功率器件。并且硅片尺寸以8英寸,6英寸为主,目前约有15%的硅片使用区熔法制作。与CZ法制作的硅片相比,FZ方法最大的特点就是电阻率相对较高,纯度更高,能够耐高压,但是制作大尺寸晶圆较难,而且机...
半导体设备发展趋势与前景分析
在现有材料中,铜凭借其较低的电阻、更快的传输速度、较高的可靠性和性价比,且在先进制程微缩中铜导线可以随着晶体管尺寸进行缩放,取代原先的铝,成为了互连层之间的主流金属导线材料(主要以PVD制备),但铜互连的技术难度也随金属层数增加而提升:随金属层数增加,技术制备随着制程微缩而变难,在铜导线的制备过程中还需...
LDMOS结构特点和使用优势
LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波数字信号放大且失真较小(www.e993.com)2024年8月15日。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区,不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化。这种主要特性允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管二倍的功率,且线性较好。LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数,因此可以防止热耗散的影响。
英特尔45nm新旗舰四核QX9650解析测试
据了解,Penryn双核心版本内建4.1亿个晶体管,四核心则有8.2亿个晶体管,微架构经强化后,在相同频率下较上代Core产品拥有更高性能,同时L2Cache容量提升50%,明显提高数据读取执行的速率。此外,亦加入47条全新IntelSSE4指令,提高媒体性能和实现高性能运算应用。
微电子工艺专有名词(3)
双载子型IC的运算速度较快但电力消耗较大,制造工程也复杂,并不是VLSI的主流,而MOS型是由电厂效应晶体管(FET)集积化而成。先在硅上形成绝缘氧化膜之后,再由它上面的外加电极(金属或复晶硅)加入电场来控制其动作,制程上比较简单,,。也较不耗电,最早成为实用化的是P-MOS,但其动作速度较慢,不久更高速的N-...
深度揭秘硅片产业,巨大潜力成就半导体材料之王【附下载】| 智东西...
比如可以通过在P型硅片上生成一层N型硅外延层,这样就形成了一个低浓度参杂的PN结,为后续芯片制造中起到优化击穿电压,降低闩锁效应等等目的。外延层厚度一般根据使用场景不同而不同,一般逻辑芯片的厚度为0.5微米到5微米左右,功率器件由于需要承受高电压,所以厚度为50微米到100微米左右。
数学弱则芯片无:数学与芯片工业
随着半导体产业的突飞猛进,组件的尺寸越来越小,晶体管的数目越来越多,相对的研发的成本也越来越高,在此情况下,想要对每一种设计理念,包括不同的组件尺寸(DeviceGeometry)、组件材质(DeviceMaterial)、不同的偏压(Bias)、以及制程技术中的微影(Lithography)、参杂(Diffusion、Implantation)···等,都加...