小米汽车回应SU7起火事故!
我们配合交警/消防/保险对事故现场勘察,并结合车辆数据分析,初步确认,车辆在行驶过程中因路面湿滑,驾驶人操作不当,导致车辆冲出车道撞向隔离花坛区。车辆前杠和底盘区域撞上隔离带周边的连续方形石块(约28cm*30cm*50cm),撞击导致电池底部严重受损,怀疑电池内部受撞击发生局部短路,出现短时冒烟和明火,并向下泄压。事故...
MOS管G极与S极之间的电阻作用
t0→t1:当GS两端电压达到门限电压Vgs(th)的时候(可以理解为对Cgs进行充电),MOS管开始导通,这之前MOS管处于截止区;t1→t2:随着Vgs继续增大,Id开始增大,Vds开始下降,此时MOS管工作在饱和区(如何判断是在饱和区?直接通过公式可知:Vds>Vgs-Vth,Vds-Id输出特性曲线反着分析一遍),Id主要由Vgs决定,这个过程中Vds会稍...
开发者喜欢的国产车规芯片,有哪些?
LN10X46Q1支持3.5V到36V宽输入电压范围,集成上、下功率MOS管,最大输出电流为6A。该系列芯片采用瓴芯特殊设计的FCOL(FlipChiponLead)封装,能有效减小寄生参数,增强散热能力,并降低EMI发射;封装采用了wettableflanks工艺,可有效提高PCB焊接可靠性,并为AVI(自动视觉检查)提供了极佳的焊点可见性。
一文搞懂IGBT
IGBT的输出特性通常表示的是以栅极-发射极电压VGE为参变量时,漏极电流IC和集电极-发射极电压VCE之间的关系曲线。由于IGBT可等效理解为MOSFET和PNP的复合结构,它的输出特性曲线与MOSFET强相关,因此这里我们依旧以MOSFET为例来讲解其输出特性。其中当VDS>0且较小时,ID随着VDS的增大而增大,这部分区域在MOSFET中称为可...
电路设计篇:开关电源设计实例(二)
(从图上看很像两个单端正激式开关电源的组合)推挽式开关电源的优点是两个开关管容易驱动,电路的输出功率较大,一般在100~500W的范围,并且输出电流瞬态响应速度很高,电压输出特性很好,但是缺点是两个开关管需要很高的耐压,耐压值必须大于工作电压的两倍。
详解IGBT工作原理,几分钟搞定!
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,在实际应用中最流行和最常见的电子元器件是双极结型晶体管BJT和MOS管(www.e993.com)2024年9月21日。IGBT实物图+电路符号图你可以把IGBT看作BJT和MOS管的融合体,IGBT具有BJT的输入特性和MOS管的输出特性。与BJT或MOS管相比,绝缘栅双极型晶体管IGBT的优势在于它提供了比标准双极型晶体管...
VMOS管理结构及输出特性曲线电路图
VMOS管理结构及输出特性曲线电路图根据结构的不同,VMOS管分为两大类:VVMOS管,即垂直导电V形槽MOS管;VDMOS管,即垂直导电双扩散MOS管。
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试?
MOS管的输出特性可以分为三个区:截止区、恒流区、可变电阻区。当MOSFET工作在开关状态时,随着VGS的通/断,MOSFET在截止区和可变电阻区来回切换。当MOSFET工作于恒流区时,可以通过控制VGS的电压来控制电流ID。测试方法:同样的接线方式,在漏极D和源极S之间连接SMU1-IT2805(200V/1.5A/20W),提供扫描电压VDS。在...
干货|你的电路是抄来的还是算出来的?
总的来说,利用电阻或者MOS管构成的有源二极管作为负载无法实现高增益的放大特性。6电流源负载的共源级放大电路实现了电压的高增益放大、电路的大输出摆幅,但是也在一定程度上带来新的问题,可以看出,高增益源于等效的输出阻抗较大,大输出摆幅可以通过调节静态NMOS和PMOS的最低工作电压实现,但是GD的电容效应...
基于单片机控制IGBT的应用怎么实现,首先得了解IGBT是啥
IGBT是八十年代初出现的一种新型半导体功率器件,其电压控制输入特性伴随低阻通态输出特性可以在众多领域替代GRT和功率MOSFET等器件。另外IGBT还具有MOSFET的高输入阻抗,电压驱动,无二次击穿,安全工作区宽等优点,成为功率器件中强有力的竞争者。目前IGBT在国际上从军用如导弹、航天、卫星等到民用如汽车、电机驱动、焊机...