程华电子:降压恒压“芯”选择——欧创芯OC58655B 33V3A输出

OC58655B是一款支持宽电压输入的开关降压型DC-DC控制器,最高输入电压100V。芯片具有低待机功耗、高效率、低纹波、优异的母线电压调整率和负载调整率等特性。驱动外部MOS,支持大电流输出。OC58655B典型开关频率为150KHz。轻载时会自动降低开关频率以获得高转换效率。芯片内部集成软启动以及过温保护电路,输出短路保护...

一个高温引发的悲剧,你永远想象不到用户把你的产品用在哪里?

首先测量在常温下三个测试点得波形吧,第一点波形为隔离芯片ADuM1201输出引脚,其波形如下图所示,输出电压幅值为5V(忽略掉背景那个人影)。第二点波形为9013三级管基极控制电压,其波形如下图所示,输出电压峰值约为700mV,波动范围约为200mV,即当电平为0.7V时三极管导通,当电平为0.5V时三级管关断。第三点波形为90...

MOS管G极与S极之间的电阻作用

t0→t1:当GS两端电压达到门限电压Vgs(th)的时候(可以理解为对Cgs进行充电),MOS管开始导通,这之前MOS管处于截止区;t1→t2:随着Vgs继续增大,Id开始增大,Vds开始下降,此时MOS管工作在饱和区(如何判断是在饱和区?直接通过公式可知:Vds>Vgs-Vth,Vds-Id输出特性曲线反着分析一遍),Id主要由Vgs决定,这个过程中Vds会稍...

MOS管GS电阻有什么作用?

t0→t1:当GS两端电压达到门限电压Vgs(th)的时候(可以理解为对Cgs进行充电),MOS管开始导通,这之前MOS管处于截止区;t1→t2:随着Vgs继续增大,Id开始增大,Vds开始下降,此时MOS管工作在饱和区(如何判断是在饱和区?直接通过公式可知:Vds>Vgs-Vth,Vds-Id输出特性曲线反着分析一遍),Id主要由Vgs决定,这个过程中Vds会稍...

基于商用车24V整车电环境控制回路继电器选型研究

这种触点弹跳现象会造成两个后果:一是产生触点电弧烧蚀,造成继电器触点寿命缩短;二是造成输出波形杂波,对波形型号要求比较高的控制信号采样信号造成干扰,出现误判。这是基于电路控制特性选用继电器型号的重要依据之一。图2为触点电流的理论特性曲线和实测特性曲线,显示为基本相同。

LED驱动电源电路分析

U1的每个引脚功能,8脚为MOS输入端,6脚是空脚,5脚外接的电容是振荡电容,直接决定了RC时间常数,就是充放电时间,一般充电MOS管是接通时间,放电是断开时间,4脚是电压检测脚,通过对4脚的电压值控制输出脉冲的占空比,3脚接地端,2脚是U1供电脚,第1脚外接的电阻和第5脚的电容组成了RC电路,给U1内部提供振荡源,脉冲...

一文搞懂IGBT

由于IGBT可等效理解为MOSFET和PNP的复合结构,它的输出特性曲线与MOSFET强相关,因此这里我们依旧以MOSFET为例来讲解其输出特性。其中当VDS>0且较小时,ID随着VDS的增大而增大,这部分区域在MOSFET中称为可变电阻区,在IGBT中称为非饱和区;当VDS继续增大,ID-VDS的斜率逐渐减小为0时,该部分区域在MOSFET中称为恒流区,...

拆解报告:TEGIC特极客30W 42方块桌面充电器W-42

输入端整流桥来自深圳市沃尔德实业有限公司,型号为WRMSB30M,规格为3A1000V。这颗软桥通过较软的恢复曲线,比较平滑的关断特性,可以降低二极管结电容达到非常少的谐波振荡产生的效果。沃尔德WRMSB30M规格资料。充电头网拆解了解到,采用沃尔德WRMSB30M的还有即刻65W2C1A氮化镓快充充电器、摩米士65W2C1A氮化镓快充充...

详解集成电路中MOS管的基本原理和工作特性

MOS管的I/V特性如前面所说,我们研究I/V特性不是为了推导而推导,只是为了让我们更加清楚地了解MOS管的工作状态,在后续的表达中可以更加简洁精炼,因此我们本部分重点讨论MOS管的工作状态(主要讨论NMOS管,PMOS其实很多时候就是多一个负号,大家可以自行分析下),以及如何判断工作状态,附带地根据数学公式绘制出各个状态下...

干货|技术参数详解,MOS管知识最全收录

每一个MOS管都提供有三个电极:Gate栅极(表示为“G”)、Source源极(表示为“S”)、Drain漏极(表示为“D”)。接线时,对于N沟道的电源输入为D,输出为S;P沟道的电源输入为S,输出为D;且增强型、耗尽型的接法基本一样。图表2MOS管内部结构图从结构图可发现,N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上...