晶圆FAB厂BCD工艺技术难点|热处理|可靠性|dmos_网易订阅
层间应力:不同材料的热膨胀系数不同,热处理可能导致应力集中,进而影响器件的可靠性。3.掺杂浓度和分布控制在BCD工艺中,需要精确控制不同区域的掺杂浓度和分布。掺杂剖面:需要在不同区域实现不同的掺杂剖面,例如Bipolar区域需要高掺杂浓度的发射极和集电极,CMOS区域需要不同掺杂浓度的源极和漏极。隔离技术:需要...
华为公司申请半导体结构及其制备方法、射频电路专利,提供一种工艺...
半导体结构包括:衬底,包括埋藏于衬底内的集电区;本征基区,设置在衬底的表面,与集电区在衬底的表面接触;外基区,设置在衬底的表面,位于本征基区的外围,与本征基区接触;辅助层,具有开口;辅助层设置在外基区上;发射区,设置在辅助层上,通过开口与本征基区接触;内侧墙,设置在外基区与发射区之间。本文源自金融界...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基极电流近似于线性关系,三极管起到电流放大作用,相当于一个可调的电阻。饱和区:当集电极电流增大到一定程度时,再增大基极电流,集电极电流也不会增大,集电结也正偏,三极管的电流放大系数变小,相当于一个闭...
【趣味】接下来,跟随这篇文章一起科学拆家···电
一般来说,发射区的掺杂浓度高于集电区,集电区的面积要大于发射区,而基区的面积又小,浓度也低。根据外加电压方式的不同,三极管也存在三种状态:1截止区,2饱和区,3放大区。截止区,发射极电压小于开启电压,且集电结反偏;饱和区,集电结跟发射结处于正偏;放大区,发射结正偏,集电结反偏。但是,不管是PNP...
常用半导体器件-晶体三极管学习笔记
1)发射区:发射区掺杂浓度很高,用于发射自由电子2)基区:基区很薄而且杂质浓度很低,发射区发射扩散过来的自由电子一部分将和基区的空穴中和3)集电区:面积很大,自由电子经过基区后,多下来的自由电子由于漂移运动将到达集电区2晶体管的符号
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
·发射区向基区注入电子;·电子在基区的扩散与复合;·集电区收集由基区扩散过来的电子(www.e993.com)2024年7月7日。问题1:这种讲解方法在第3步中,讲解集电极电流Ic的形成原因时,不是着重地从载流子的性质方面说明集电区的反偏导通,从而产生了Ic,而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用,同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生...
常见电子元件的识别与检测
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信号的频率,C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
SiC IGBT研究进展与前瞻
在结构设计方面,业界针对器件集电区和发射极的结构改进已经做了很多工作,但超结SiCIGBT的设计相对较少,还有很大的研发空间;另外将SiIGBT的结构借鉴到SiCIGBT也是SiCIGBT研发的重要思路,但是在借鉴的过程中要重点注意Si材料和SiC材料特性的差别,这对异质结、肖特基结等结构与SiCIGBT的结合...
2022年半导体硅片指数研究报告
外延片:外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中,硅片最底层是P型衬底硅(有的加点埋层);然后在衬底上生长一层单晶硅,这层单晶硅称为外延层;再后来在外延层上注入基区、发射区等等。最后基本形成纵向NPN管结构:外延层在其中是集电区,外延上面有基区和发射区。外延片就是在衬底上做好外延层的硅片。
2022年中国外延芯片行业市场现状及竞争格局分析 外延芯片市场规模...
——外延芯片分为LPE、VPE、MOCVD外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中,硅片最底层是P型衬底硅(有的加点埋层);然后在衬底上生长一层单晶硅,这层单晶硅称为外延层;再后来在外延层上注入基区、发射区等等。最后基本形成纵向NPN管结构:外延层在其中是集电区,外延上面有基区和发射区。外延片就是在衬底...