MOS管的安全工作区SOA详解(一)限制线介绍

SOA示意图中蓝色的就是Rds(on)限制线,简单理解,就是MOS管完全导通的时候,会有导通电阻Rds(on),我们知道,此时MOS工作在欧姆区,有关系式Vds=Ids*Rds(on),在我们固定条件Vgs和温度的情况下,Rds(on)就是一个常数,所以我们会看到这条曲线是线性的。如下图是TI的PMOS管CSD25404Q3T,我们在Rds(on)限制线取量...

吃透MOS管,看这篇就够了

由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别,在应用上;驱动电路也比晶体三极管复杂,致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难,此文即针对这一问题,把MOS管及其应用电路作简单介绍,以满足维修人员需求。一、什么是MOS管MOS管的英文全称叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor),即金属...

MOS管及其外围电路设计

该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个电压,当该电压高于mos管的门槛电压Vth时,mos管会误开通,为了防止mos管误开通,应当满足:式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,...

功率半导体中超结MOS管基础知识

传统的平面MOSFET有一些固有的缺点,尤其是在高电压应用中。这些缺点主要体现在其导通电阻(R)和击穿电压(BV)的权衡关系上。简单来说,平面MOSFET在高电压下需要更厚的漂移区来承受高电压,但这也会导致更高的导通电阻,从而增加功率损耗。图:平面MOS结构

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)

图:MOS管结构对于功率MOSFET来说,导通电阻与栅极电荷互为权衡(trade-off)关系,因为对于同一个器件结构来说,可以通过并联更多重复单元来降低导通电阻,但会导致栅极电荷相应地增加;反之减少器件并联的重复单元数,可以使得器件的栅极电荷变小,但其导通电阻会增大(www.e993.com)2024年11月10日。因此,器件的导通电阻与栅极电荷的乘积优值(即品质因数,...

MOS管GS电阻有什么作用?

1.MOS管的米勒效应MOS管驱动之理想与现实理想的MOS管驱动波形应是方波,当Cgs达到门槛电压之后,MOS管就会进入饱和导通状态。而实际上在MOS管的栅极驱动过程中,会存在一个米勒平台。米勒平台实际上就是MOS管处于“放大区”的典型标志,所以导致开通损耗很大。由此可见,米勒效应是一个对电路不利的却又客观存在的现象...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时被称为绝缘栅场效应管,在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。1、MOS管的构造在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和...

干货| MOS管防护电路解析

功率MOS管自身拥有众多优点,但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力,特别是在高频的应用场合,所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。功率MOS管保护电路主要有以下几个方面:1)防止栅极di/dt过高:由于采用驱动芯片,其输出阻抗较低,直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断...

当开关电源输入过压,如何防护?

因此考虑到输入电压在305VAC基础上存在一定的波动而输入电压过压,选用规格为650V的MOS管在电路中工作,MOS管的应力还有一定的裕量,并且MOS管的电压应力可以通过进一步调整变压器和电路参数进行优化降低。因此当输入电压在305VAC稳态工作时,即使电网电压存在一定的波动,选用650V的MOS管,也是有一定的电压应力裕量,可以提高...