开关功率晶体管的选择和正确操作

当晶体管从OFF切换到ON或从ON切换到OFF时,晶体管将跨越其线性区域。由于MOSFET和JFET的跨导非常高,漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此,驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载,这会导致栅极电压保持在稳定状态。因此,除非驱动器可以提供几安培的电流,否则开关速度将大大减慢。如此强大的输出级需要...

功放的ABCD类|功率放大器_新浪科技_新浪网

如果Q点偏离中央而趋向饱和区或者截止区,则会出现下图所示的饱和失真或截止失真——Q点偏饱和区时为饱和失真,Q点偏向截止区的为截止失真。功率放大器与小信号放大器一样,在对信号放大的同时需保证输出与输入的一致性。所以,把Q点放到AC负载线中央对于ClassA放大器来说可以获得最大的输出信号且避免失真。如图所示是...

基础知识之晶体管

对晶体管输入功率,使PN结热饱和VBE的后续值:测定VBE2从这个结果得出△VBE=VBE2-VBE1。这里,硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mV/??C。(达林顿晶体管为ー4.4mV/??C)因此,根据由输入功率得出△VBE,可以由以下算式得出上升的结温。图2.进度表fT:增益带宽积、截止频率fT:增益带宽积...

科学家设计新型纳米结构,有望打造基于纳米天线的光学纳米晶体管

目前，该团队已经在单个纳米粒子内实现了高效光生电场，尺度在20-200nm级别，未来有望用于创建基于纳米天线的光学纳米晶体管、存储器和可编程逻辑器件等。据了解，作为一种强大的工具，电场一直被纳米芯片所用，并促进了光电纳米探测器件的发展。尽管通过外部电路针对微纳结构施加电压，也可以有效地控制光电信号。但是...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

硅碳化物(SiC):SiC的电子飘逸饱和速度可以达到107cm/s的量级,这使得SiC非常适合用于高功率和高频率的应用,如电动汽车的牵引逆变器和高频电源转换器。氮化镓(GaN):GaN在HEMT(高电子迁移率晶体管)结构中展现出极高的电子迁移率,其电子飘逸饱和速度也非常快,适合用于微波频率器件和快速开关应用。

集电极开路什么意思?集电极开路电路工作原理讲解

也就是说,在没有施加基极偏置电压的情况下,晶体管将完全关断,而当施加合适的基极偏置电压时,晶体管将完全导通(www.e993.com)2024年11月5日。因此,当晶体管在其截止区(OFF)和饱和区(ON)之间运行时,它不会像在其有源区受控时那样作为放大器件运行。晶体管在截止和饱和之间的切换允许集电极开路输出驱动外部连接负载的能力,这些负载需要比...

电子技术知识判断题精选|三极管|二极管|晶体管|放大器|集电极...

15、晶体三极管的输入特性是指当三极管的集电极与发射极之间电压UCE保持为某一固定值时,加在三极管基极与发射极之间的电压UBE与基极电流IB之间的关系。16、三极管的工作状态可以分成三个区域:截止区、放大区、饱和区。17、三极管电流放大作用的本质是把一个微小的电流变化直接扩大为一个较大的电流变化。

一文搞懂IGBT

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MO...

深度解析特斯拉Model 3 逆变器的构造

去饱和检测(DesaturationDetection):检测MOSFET是否进入线性区。过流检测的专用感应引脚(DedicatedSensePinforOvercurrentDetection)。两级关断输出(Output2-levelTurn-off)。VCE过电压保护(VCEOvervoltageProtection)。欠压锁定(UVLO,UndervoltageLockout)和过压锁定(OVLO,OvervoltageLockout)。

全球芯片正在破局……

北京大学电子学院、碳基电子学研究中心张志勇教授课题组在碳纳米管晶体管栅界面研究方向取得重要进展：基于优化栅工艺的碳基MOS器件首次实现了低至6.1×1011cm-2eV-1的界面态密度，可与硅基high-k栅界面比拟；通过器件仿真发现，理想的碳基MOS器件可以满足国际半导体器件与系统路线图（IRDS）所设定的栅控和性能目标...