全球首个氮化镓量子光源芯片成功研制

新研发的氮化镓量子光源芯片在关键性能指标上实现了重要突破——其输出波长范围从25.6纳米显著扩展至100纳米,并具备向单片集成方向发展的潜力。这一创新意味着未来的“量子灯泡”将能照亮更多的领域,从而使大容量、长距离、高质量的量子互联网成为可能。在本项目中,研究团队通过优化电子束曝光和干法刻蚀工艺,成功攻克了...

【IC风云榜候选企业261】英诺赛科:加快核心技术突破,引领氮化镓...

氮化镓(GaN)作为一种宽禁带半导体,近年来在应用端的价值被不断发掘,其高速、高频、高效率的特性不断推动着系统应用的革新。英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业,致力于硅基氮化镓(GaN-on-Si)的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地,当前产能15000片/月,产品设计及性能处于国际...

中微公司:刻蚀设备及MOCVD设备产品线介绍

ICP刻蚀设备中的PrimoNanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>100%的年均复合增长。图:中微公司的PrimoNanova产品装机情况,来自中微公司2023年中微推出了适用于更高深宽比结构刻蚀的NanovaVEHP和兼顾深宽比和均匀性的NanovaLUX两种ICP设备,极大地扩展了ICP刻蚀设备的验证工艺范围,在先进逻辑芯片、先进...

中微公司2024年半年度董事会经营评述

在追求更高刻蚀性能的同时,根据国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求,公司开发了PrimoMenovaAl刻蚀设备,并和多个客户开展铝线刻蚀工艺的合作开发。报告期内,公司ICP刻蚀设备产品部门持续攻克技术难点,开展技术创新,为推出下一代ICP刻蚀设备做技术储备,以满足新一代的逻辑、DRAM和3DNAND存储等芯片制造对ICP刻蚀的...

2025-2030年中国掩膜版行业投资规划及前景预测报告

首先分析了中国掩膜版的发展环境及国内外掩膜版的发展状况;然后报告分析了掩膜版产业链上游的发展状况——玻璃基板、光刻机、刻蚀设备、光刻胶,并深入分析了掩膜版产业链下游的发展状况——半导体、平板显示、印刷电路板及触控;随后,报告分析了国内掩膜版主要企业的经营状况;最后,报告重点分析了中国掩膜版的投融资状况...

华鑫证券:给予中微公司买入评级

华鑫证券有限责任公司毛正,张璐近期对中微公司进行研究并发布了研究报告《公司事件点评报告:刻蚀设备显著放量,盈利能力短期承压》,本报告对中微公司给出买入评级,当前股价为130.46元(www.e993.com)2024年11月19日。中微公司(688012)事件中微公司发布2024年半年度报告:2024年上半年公司实现营业收入34.48亿元,同比增长36.46%;实现归属于上市公司股东...

IPF2024|第二届碳化硅功率器件制造与应用测试大会会议进程通知...

2024年6月26-28日,由无锡市锡山经济技术开发区管委会、InSemiResearch主办的IPF2024第二届碳化硅功率器件制造与应用测试大会暨化合物半导体产业高峰论坛将在无锡锡山长三角工业芯谷会议中心举行。会议初步日程安排如下,诚邀行业朋友共聚!主办单位无锡市锡山经济技术开发区管委会...

国内又一批半导体产业项目上马

近日,福州新区集中签约38个重点项目,总投资超220亿元,其中2个项目涉及氮化镓,包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。据悉,芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目由福建芯睿半导体有限公司建设,芯睿半导体成立于2023年12月,注册资本50亿人民币。福州镓谷氮化镓外延片项目由福州镓谷半导体有限公司建设,主营第三代...

《炬丰科技-半导体工艺》ICP刻蚀氮化镓基LED结构的研究

发光二极管结构包括1.5μm厚的未掺杂氮化镓层、3μm厚的n-氮化镓层、0.15μm厚的InGaN-GaN多量子阱有源层、30μm厚的pAlGaN层和0.3μm厚的p-氮化镓层。采用等离子体增强化学气相沉积法在氮化镓表面沉积了一层480纳米厚的二氧化硅作为刻蚀掩膜。执行标准光刻工艺和湿法蚀刻以在二氧化硅膜上形成图案作为掩模。干...

华林科纳---外延成分对 N 面 GaN KOH蚀刻动力学的影响

通过各向异性蚀刻n面氮化镓的蚀增是当今生产蓝白发光二极管(led)的关键方面。表面积和表面角度的数量都增加了,有利于光从发光二极管芯片耦合输出。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的氮化镓叠层结构在非连续掺杂的铀-氮化镓体区发生了变化。2D和三维生长层的不同顺序导致位错密度的变化,这通过光致发光显微镜和x光...