黄仁勋希望SK海力士更早供应HBM4 较原计划提前6个月

英伟达希望SK海力士较原计划更早供应HBM4,是SK集团会长崔泰源,当地时间周一在首尔举行的SKAI峰会上透露的,他在演讲中提到,在最近一次和英伟达的CEO黄仁勋会面时,后者曾请求他们将HBM4的供应计划提前6个月。崔泰源在演讲中还透露,在黄仁勋提出较原计划提前6个月供货的请求后,他询问了一同参与会面的SK海力士总裁兼CEO...

SK海力士三季报营收、利润双创新高,HBM和eSSD成增长引擎

海力士在财报中表示,其营收、营运利润和净利润均为历史最高水平。今年以来,SK海力士的股价已经上升超38%,是英伟达的主要HBM(高带宽存储器)供应商。截至发稿前,SK海力士的股价为198200韩元/股,上涨1.12%。HBM和eSSD推动业绩增长SK海力士财报显示,三季度公司的两大产品线的营收规模均翻番。根据记者从财报数据中计算...

消息称 SK 海力士收缩 CIS 业务规模,全力聚焦 HBM 等高利润产品

IT之家10月17日消息,据韩媒ZDNETKorea当地时间昨日报道,SK海力士正缩减CIS(IT之家注:即CMOS图像传感器)等次要业务规模,全力聚焦高利润产品HBM以及CXL内存、PIM、AISSD等新兴增长点。SK海力士今年减少了对CIS业务的研发投资,同时月产能已低于7000片12英寸晶圆,不足去年一半水平。

下一代HBM离不开台积电了?

近期,台积电生态系统和联盟管理负责人DanKochpatcharin公开表示,台积电将与三星联手研发下一代HBM产品HBM4。这也是三星与台积电首次公开在HBM领域的合作。而HBM领域的另一位巨头SK海力士同样在此前发布公告称,将与台积电合作开发HBM4,预计在2026年投产。两大HBM供应商接连送上橄榄枝,台积电掌握了哪些“关键法宝”?

SK海力士宣布推出第六代10纳米(1c)工艺DDR5,年内量产

总体来说,海力士第六代10纳米(1c)工艺最终用于制造GDDR7显存(和HBM、LPDDR6等)只是时间问题,因此对于下一代GDDR7显存和搭载该显存的显卡的性能,未来可期。补充说明:图二和图三来自海力士官网,图三为样品图片,目前海力士未提供更多样品和资料展示图片。

SK海力士投建韩国龙仁半导体集群首座工厂

SK海力士投建韩国龙仁半导体集群首座工厂近日,全球第二大内存芯片制造商SK海力士在其官网上宣布,公司通过董事会决议,以约9.4万亿韩元(约合人民币492.56亿元)投资建设韩国龙仁半导体集群的首座厂房和业务设施(www.e993.com)2024年11月22日。SK海力士称,此举是为了夯实公司未来发展基础,并及时应对日益剧增的面向AI的半导体存储器需求。

SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存,基于 V9 TLC NAND 颗粒

IT之家8月9日消息,根据SK海力士当地时间昨日发布的新闻稿,该企业在FMS2024峰会上展示了系列存储新品,其中就包括尚未正式发布规范的USF4.1通用闪存。根据JEDEC固态技术协会官网,目前已公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0。UFS4.0指定了每个设备至高46.4Gbps的理论接口速度,预计...

SK海力士将年内完成第六代10纳米级DDR5 DRAM量产准备

SK海力士预计新的1C-DDR5芯片预计将于今年量产,2025年批量出货。SK海力士宣布,全球首次开发出采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5DRAM。

AI需求火爆,SK海力士计划投资超1000亿元扩产

钛媒体App4月24日消息,SK海力士今天宣布,计划扩大包括HBM在内的下一代DRAM的产能,以应对快速增长的AI需求。公司将投资约5.3万亿韩元(约279.84亿人民币)建设M15X晶圆厂,作为新的DRAM生产基地。该公司计划于4月底开工建设,目标于2025年11月竣工并尽早量产。随着设备投资计划逐步增加,新生产基地建设总投资长期将超...