下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试

氧化镓(Ga2O3)探测器是一种基于超宽禁带半导体材料的光电探测器,主要用于日盲紫外光的探测。其独特的物理化学特性使其在多个应用领域中展现出广泛的前景。探测器性能由于材料不同、结构不同、制备工艺以及应用场景的不同的区别会有较大的性能差异。而性能指标之间往往存在制约,例如暗电流和输出电流、灵敏度和响应度、...

鸿海布局第四代半导体跨大步 携阳明交大突破氧化镓技术

第四代半导体氧化镓(Ga2O3)因其优异的性能,被视为下一代半导体材料的代表。它拥有超宽能隙(4.8eV)、超高临界击穿场强(8MV/cm)等特性,较现有的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料具有显著优势,这些特性使得氧化镓特别适用于电动车、电网系统、航空航太等高功率应用场景。鸿海认为,氧化...

浙大自主研发大尺寸氧化镓单晶衬底,为国家重大需求提供有力支撑

作为一种新型的超宽禁带半导体材料，氧化镓具有很多卓越的电学特性，比如约为4.8eV的超宽带隙、高达8MV/cm的击穿电场强度等，广泛应用在电网、新能源汽车、轨道交通、5G通信的电力电子器件中。我国正大力开展相关研究，以获得更低成本、更高质量的氧化镓单晶及衬底。其中，浙江大学科研团队自主研发氧化镓专用晶体生...

氧化镓半导体器件领域研究取得重要进展

如何开发出有效的边缘终端结构,缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决,PN结相关的边缘终端结构一直是难点。龙世兵课题组基于氧化镓异质PN结的前期研究基础,将异质结终端扩展结构成功应用于氧化镓肖特基二极管。该研究通过合理设计优化JTE区域的电荷浓度,确保不影响二极管正向...

中国科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展

氧化镓作为新一代功率半导体材料,禁带宽带大、抗极端环境强,有望在未来功率器件领域发挥极其重要的作用。但氧化镓功率半导体器件推向产业化仍然有很多问题,包括边缘峰值电场难以抑制、增强型晶体管难以实现。该课题组针对这两个痛点分别做了如下工作:1、高耐压氧化镓二极管...

第四代半导体氧化镓蓄势待发!

资料显示,氧化镓作为第四代半导体材料代表,具备禁带宽度大、临界击穿场强高、导通特性好(几乎是碳化硅的10倍)、材料生长成本低等优势,这些特性使得氧化镓特别适用于电动汽车、电网系统、航空航天等高功率应用场景(www.e993.com)2024年11月15日。鸿海认为,氧化镓将有望成为具有竞争力的电力电子元件,能直接与碳化硅竞争。展望未来,鸿海研究院表示,随着...

铭镓半导体:实现大尺寸氧化镓衬底技术突破!

据北京顺义区融媒体中心发布消息,北京铭镓半导体有限公司(以下简称“铭镓半导体)在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面取得了重大突破,技术水平已领先国际同类产品标准。铭镓半导体董事长陈政委介绍,铭镓半导体在半绝缘型(010)铁掺衬底及其加导电型薄膜外延领域,目前国际上可做到25毫米×25毫米的尺寸,而铭镓...

异质集成氧化镓:下一代高性能功率半导体器件的新基石

在材料制备方面,氧化镓单晶可基于相对简单的技术合成,其缺陷密度相较碳化硅晶圆低至少3个数量级,可有效提升后续产品良率。同时,大尺寸氧化镓晶圆制备技术正在快速发展,目前国际上已突破6英寸晶圆尺寸,低成本、大尺寸晶圆技术有望成为氧化镓行业爆发拐点。尽管氧化镓半导体优势突出,但其应用于功率器件仍面临材料热导率...

新突破!镓仁半导体成功制备3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底

具体来说,(010)基底的热导率是最高的,这有助于提高功率器件的整体性能。此外,这种基底的外延生长速度也较快。更重要的是,基于(010)基底制造的器件展现出了更加卓越的性能表现。目前,镓仁半导体已经推出了其晶圆级的(010)氧化镓单晶基底产品,该产品主要面向科研市场,旨在满足科研界对(010)基底的需求,并推动产业...

中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破

近日,厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓(β-Ga2O3)外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展,为β-Ga2O3异质外延薄膜的大面积生长和高性能的器件应用提供了重要支持。β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254nm),简单二元组成,带隙可调,制备工艺简单等优势在日盲光电探测器领域...