Nano-Micro Letters:面向存储和存算一体的新型铁电AlScN综述

这个问题通常归因于氮缺陷、位错和非均匀畴。需要高真空沉积系统在具有高氮含量的环境中生长薄膜以抑制氮空位的形成。此外,合适的衬底是必不可少的,它不仅可以提供外延模板来抑制位错和非均匀畴,而且可以诱导适当的应变来平坦极化反转的能垒。此外,系统研究纤锌矿铁电薄膜存储应用中需要解决的唤醒效应、印记效应、疲劳...

华东师大Nano-Micro Letters:面向存储和存算一体的新型铁电AlScN...

这个问题通常归因于氮缺陷、位错和非均匀畴。需要高真空沉积系统在具有高氮含量的环境中生长薄膜以抑制氮空位的形成。此外,合适的衬底是必不可少的,它不仅可以提供外延模板来抑制位错和非均匀畴,而且可以诱导适当的应变来平坦极化反转的能垒。此外,系统研究纤锌矿铁电薄膜存储应用中需要解决的唤醒效应、印记效应、疲劳...

AI主桌上,不止有GPU,还会有新型存储

PCM相变存储对比原来NANDFLASH有更快的读写速度,几乎永久的使用寿命,存储密度极高,而且有特殊的抗辐照特性在国防军工领域有特殊应用,当然由于相变材料的原因功耗大于普通NAND,最大优点便是速度直逼DRAM,远超当下的NAND,让NAND的尾车灯都看不到的那种,同时在断电的情况下可永久保存数据,相当于DRAM和NANDFLASH功能二...

国产存储的困境,该如何破解?

FRAM(FerromagneticRAM):铁电存储器,结构与DRAM大致相同,基本单元由一个MOS管和电容组成,但DRAM电容的电介质材料断电后无法继续存储电荷,FRAM则使用断电后电荷不会丢失的铁电晶体作为电介质,当在平面电容中加电压时,铁电晶体在电场作用下会形成极化电荷,正向电压下所形成的极化电荷较低,反向电压下所形成的极化电荷较...

微波介质陶瓷材料制备技术的科普

缺点:制粉成本较高,工艺复杂。此法在何种条件下能促进陶瓷的致密化,改善材料的纤维组织,从而提高其微博介电性能,还有待进一步研究。②熔盐法:指通过在常规固相反应中引入低熔点盐作为助溶剂来合成物质的一种新方法。低熔点盐的引入导致合成过程中有液相出现,很大程度上加快了离子的扩散速率。

铁电随机存取存储器 (FeRAM / FRAM) 技术

SBT最大的优点是不存在疲劳退化的问题,而且不含铅,符合欧盟环保标准;但其缺点是工艺温度较高,工艺集成困难,残余极化程度小(www.e993.com)2024年11月17日。两种材料的比较见表1。表1.PZT和SBT的比较目前,从环保的角度来看,PZT已经被禁用,但从铁电存储器的性能和工艺集成以及成本的角度来看,SBT相比PZT没有优势。因此,铁电材料的选择值得...

ReRAM新型存储器如何影响未来存储格局?-钛媒体官方网站

其中SRAM速度高于DRAM,但密度低于DRAM,这是因为一个DRAM存储单元仅需一个晶体管和一个小电容,而每个SRAM单元需要四到六个晶体管。其共同的缺点是容量较低且成本高,一般分别用作主存和缓存。第二类非易失性存储器包括以NORFLASH和NANDFLASH为代表的传统存储器和四种新型存储器。NORFLASH的容量较小且写入速度极...

新型存储之我见(科普长文)

显然,PCM和DRAM相比,除了价格,全他妈是缺点;PCM和NAND相比,除了价格,全他妈是优点。这就尬住了,你是把PCM当硬盘用,还是当内存用???这个定位有点谜啊!企业级用户当内存用嫌它慢,当NAND用,又嫌弃它贵,同理普通消费级用户,花这么贵的价格上PCM相变存储图啥?

基于范德华铁电隧道结的高开关比非易失存储器

这两类铁电材料用于铁电隧道结各有优缺点。基于钙钛矿型铁电体的铁电隧道结,在采用金属/铁电体/半导体三明治结构时能达到较高的隧穿电阻(约106),但是因为这种铁电材料必须生长在特殊衬底上,其与传统的硅工艺很难兼容,大大地影响了应用前景。基于氧化物型铁电体的铁电隧道结具有硅工艺兼容性,但是因为材料本身的性质和...