中国科学院半导体研究所低损耗光波导干法刻蚀系统采购项目公开...

一、项目基本情况项目编号:OITC-G240570365项目名称:中国科学院半导体研究所低损耗光波导干法刻蚀系统采购项目预算金额:520.000000万元(人民币)最高限价(如有):520.000000万元(人民币)采购需求:1、采购项目的名称、数量:投标人可对其中一个包或多个包进行投标,须以包为单位对包中全部内容进行投标,不得拆...

Semicon半导体工艺:干法刻蚀与湿法刻蚀的区别和特点

干法刻蚀的优点是能够实现100纳米以下的精细图形转移,缺点是成本高、产能低、材料选择性不如湿法、等离子体可能对芯片造成电磁辐射损坏。刻蚀方向是各向异性。图:干法刻蚀与湿法刻蚀的区别,来自kingsemi2、湿法刻蚀①定义湿法刻蚀是在大气环境下,利用化学品溶液去除品圆表面的材料的工艺过程。湿法刻蚀主要利用溶液中...

盛合晶微“一种具有应急切换功能的真空管路及其干法刻蚀机台...

本实用新型结构简单,易于对现有的干法刻蚀机台的真空管路进行改造,从而可提高刻蚀过程中的真空安全性,避免晶圆损坏,也避免损失扩大。

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

2.化学刻蚀(ChemicalEtching):化学刻蚀通过化学反应去除材料,形成易于移除的产物。方法:干法刻蚀(DryEtching):在干法刻蚀中,使用等离子体产生的活性离子和自由基与材料发生反应,生成挥发性产物,常用于精确的图案转移。湿法刻蚀(WetEtching):使用液态化学试剂与材料发生反应,形成可溶解的产物,然后通过溶液移除,这...

晶圆制造刻蚀工艺面试常见问题

请解释在刻蚀过程中常用的掩膜材料有哪些,以及它们各自的优缺点。如何应对刻蚀过程中产生的侧壁聚合物沉积问题?在刻蚀工艺中,为什么会出现刻蚀速率不均匀的现象?如何改善?影响干法刻蚀工艺中各向异性的主要参数有哪些?请描述化学机械抛光(CMP)和刻蚀工艺的关系以及如何协同工作。

刻蚀机深度报告:半导体国产替代最优赛道

刻蚀工艺是半导体加工的核心环节之一，多种技术途径各有优缺点，并行发展，先进芯片制造工艺对刻蚀设备的性能和数量上的要求均有提升(www.e993.com)2024年11月25日。薄膜沉积、光刻和刻蚀是半导体制造的三大核心工艺。刻蚀是一种通过物理或化学的方法，有选择地去除部分薄膜层，从而在薄膜上得到所需图形的手段。当前，干法刻蚀占据市场规模的90%左右，...

2025-2030年中国掩膜版行业投资规划及前景预测报告

首先分析了中国掩膜版的发展环境及国内外掩膜版的发展状况;然后报告分析了掩膜版产业链上游的发展状况——玻璃基板、光刻机、刻蚀设备、光刻胶,并深入分析了掩膜版产业链下游的发展状况——半导体、平板显示、印刷电路板及触控;随后,报告分析了国内掩膜版主要企业的经营状况;最后,报告重点分析了中国掩膜版的投融资状况...

玻璃通孔技术研究进展

等离子体法刻蚀TGV可以并行进行,同时进行大面积TGV刻蚀,且侧壁粗糙度小(<150nm),侧壁无损伤,拥有良好的可靠性保证。但是等离子刻蚀TGV的方法也还存在许多缺点。截至目前,阻碍干法刻蚀成孔大范围应用的的难点主要有:1)工艺复杂;2)成本高;3)刻蚀速率慢,速率小于1μm/min。

《新宙邦研究报告》国研政情·谋定论道-经济信息研究智库

全氟聚醚优缺点鲜明,作为最早得到应用的冷却液之一,全氟聚醚具有沸点高、不易蒸发不自燃、介电强度高、惰性强等优良特点,是目前半导体领域主流的冷却液;氢氟醚(HFE):3MNovec系列产品即氢氟醚,通过调节全氟烷基和全氢烷基的链长可以实现氢氟醚沸点及黏度的控制。由于氟元素可极化能力弱,氢氟醚介电常数...

北方华创:公司前期已经发布了首台国产12英寸CCP晶边干法刻蚀设备...

同花顺(300033)金融研究中心9月17日讯,有投资者向北方华创(002371)提问,请问贵公司在国产晶边干法刻蚀设备有何突破?公司回答表示,您好,公司前期已经发布了首台国产12英寸CCP晶边干法刻蚀设备研发成功有关信息,目前已在客户端实现量产,其优秀的工艺均匀性、稳定性赢得客户高度评价。感谢关注!