世铨传感器SQB-1T:什么是SOI高温压力传感器 技术原理是
从原理上来说,SOI高温压力传感器主要利用单晶硅的压阻效应。当力作用于硅晶体上时,晶格发生形变,进而导致载流子的迁移率发生变化,从而改变硅晶体的电阻率。通过在SOI顶层器件层特定方向上刻蚀出4个压敏电阻,构成惠斯通电桥;在SOI的衬底层上刻蚀出压力背腔,形成压力敏感结构。SOI高温压力传感器的制备工艺涉及多道MEMS工艺...
科普| 什么是光伏电池片?光伏电池片的种类有哪些?
等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面,在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应,并形成挥发...
一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
高选择性的刻蚀工艺确保了各层之间的电气隔离和物理完整性,提高了器件的性能和可靠性。4.工艺的可控性和重复性:高精度的刻蚀工艺能够确保制造过程的可控性和重复性,使得大规模生产具有一致性和高良品率。这对于半导体工业的经济效益和市场竞争力至关重要。例如,在大规模生产DRAM芯片时,刻蚀工艺的精确控制能够确...
中国刻蚀设备行业风险评估及前景趋势预测报告2024-2030年
2.2.3全球刻蚀设备行业市场规模测算2.3全球刻蚀设备行业区域发展格局及重点区域市场研究2.3.1全球刻蚀设备行业区域发展格局2.3.2重点区域刻蚀设备行业发展分析(1)荷兰(2)美国(3)日本2.4全球刻蚀设备行业市场竞争格局及代表性企业案例2.4.1全球刻蚀设备行业市场竞争状况2.4.2全球刻蚀设备企业兼并重...
MEMS的原理、分类、常见工艺及工具概述
深反应离子刻蚀(DRIE)深反应离子刻蚀(DeepReactiveIonEtching,DRIE)是一种高精度的干法刻蚀技术,特别适用于制造具有高纵横比的微结构。DRIE通过使用等离子体产生的高能离子轰击硅片表面,刻蚀出所需的微结构。这种方法可以实现非常垂直和平滑的侧壁,是制造微流体设备和三维微结构的理想选择。
半导体制造技术之刻蚀工艺
polyETCH中主要涉及的气体有CF4、O2、AR-S、CL2、CF4、N2、HBR、HEO2,其中主刻步是CL2、CF4、N2、HBR、HEO2,使用CL2,是因为其能产生各向异性的硅侧壁剖面并对氧化硅具有好的选择比,HBR的使用也是相同的原理,另外CL2刻蚀时产生的聚合物淀积在侧壁上,可以控制侧壁形状;CL2和HBR刻蚀的生成物SiCl4和SiBr4具有...
科普| 什么是TOPCon电池?一文带你全面了解!(建议收藏)
目的:刻蚀的主要作用为去除BSG和背结。扩散过程会在硅片表面及周边均形成扩散层,周边扩散层容易形成短路,表面扩散层影响后续钝化,因此需要去除。目前刻蚀主要采用湿法,先在链式设备中去除背面与周边扩散层,之后处理正面。5.制备隧穿氧化层与多晶硅层
集成电路刻蚀(etch)工艺开发学习笔记
一、刻蚀工艺的基本原理刻蚀工艺是通过化学反应和物理反应去除材料的一种技术,通常用于半导体制造中的图案转移。刻蚀工艺主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀两大类。1.干法刻蚀干法刻蚀通常在真空环境中进行,利用等离子体产生的活性离子和中性粒子进行刻蚀。常见的干法刻蚀技术包括反应离子刻蚀(RIE)、等离子体增强化学气相沉积...
未来生物识别的“光谱猎手”:高光谱传感器产业化之路初现
(一)高光谱成像原理高光谱是一种物质区别于其他物质的本质在于其分子、原子的种类及排列方式。每种物质有自身特有的光谱曲线,因此根据吸收或者反射的光谱便能确定物质的种类。高光谱成像技术(HSI)便是基于此种原理,通过获取大量连续窄波段(通常小于10nm)的物体光谱信息,将光谱信息与普通成像信息相结合,最终将数据合成...
第10期特种气体研修班报名开始!
课程目的:本课程通过对半导体基础结构和工艺整合(扩散、光刻、等离子刻蚀、离子注入、薄膜、CMP以及湿法工艺),讲授特种气体在集成电路制造中的作用以和原理,让学员知其然更知其所以然。内容还包括半导体先进工艺、FPD和第三代半导体等内容。课程2:电子特气安全管理课程目的:本课程包括特种气体物化特性、材料兼容性...