周报| IMEC等团队展示了使用工业半导体工艺制造超导transmon量子...

研究人员展示了在IMEC符合晶圆厂标准的洁净室中使用行业标准方法在300毫米互补金属-氧化物-半导体(CMOS)先导线上制造的超导transmon量子比特,实现了高相干性和98.25%的晶圆产量。通过对整个晶圆进行的量子比特弛豫和相干性测量的大规模统计数据,确认了工艺质量,展示了良好的量子比特产量、量子比特相干时间、量子比特频率变化...

CMP:半导体制造工艺的平滑艺术

在硅片制造领域,半导体抛光片生产工艺流程中,在完成拉晶、硅锭加工、切片成型环节后,在抛光环节,为了得到平整洁净的抛光片需要通过CMP设备及工艺来实现。在集成电路制造领域,芯片制造过程按照技术分工主要可分为薄膜淀积、CMP、光刻、刻蚀、离子注入等工艺环节,各工艺环节实施过程中均需要依靠特定类型的半导体专用设备。

我国半导体制造核心技术突破,打破国外垄断

▲工程师进行晶圆离子注入生产据国家电投介绍,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用,该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展,特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的技术突破,打破...

2nm半导体大战一触即发:三星、台积电等积极布局2nm工艺制造

2nm工艺被视为下一代半导体工艺的关键技术突破，其优势在于能为芯片带来更高性能和更低功耗。据媒体报道，三星已拟定计划，预计于明年在韩国启动2nm制程技术的生产。此外，该公司还计划在2047年之前，于韩国投资500万亿韩元，兴建一座超大规模的半导体生产基地，专注于2nm制程技术的制造。而三星电子在近日的2023年四季...

【ICCAD2023】特色工艺将成未来中国半导体制造主旋律

荣芯半导体CEO白鹏具体来说,中国目前终端市场广阔,例如人工智能、5G通信、汽车电子、物联网和工业自动化等领域定制化的芯片解决方案带来巨量需求;其次,在工业自动化、智能制造、医疗设备等领域,特色工艺节点可以提供高性能、低功耗和可靠性的芯片解决方案。

业绩表现卓越、技术行业领先!半导体设备“精密制造专家”先锋精科...

根据公开资料，先锋精科创立于2008年，核心产品包括：腔体、内衬、匀气盘和加热器等关键工艺部件、工艺部件和结构部件，产品重点应用于刻蚀设备和薄膜沉积设备中的晶圆反应区域(www.e993.com)2024年11月9日。半导体制造主要设备中，刻蚀设备和薄膜沉积设备是国际公认的技术难度仅次于光刻设备的两大核心设备，也是在芯片产线投资中与光刻设备价值量占比...

半导体刻蚀设备行业研究:半导体制造核心设备,国产化之典范

一、刻蚀:半导体制造三大核心设备之一刻蚀:半导体图案化关键工艺,重要性凸显刻蚀是半导体图案化过程的核心工艺,刻蚀机被视为半导体制造三大核心设备之一。刻蚀设备主要用于去除特定区域的材料来形成微小的结构图案,与光刻、薄膜沉积并称为半导体制造三大核心设备,重要性凸显,地位举足轻重。

半导体PR Strip(光阻剥离)工艺介绍

1.工艺概述Strip工艺是集成电路制造过程中至关重要的一步,主要用于在芯片制造的多个阶段去除表面上的光阻或其他保护层。2.工艺原理Strip工艺的基本原理是使用化学或物理方法来去除芯片表面的光阻层或其他材料。化学剥离涉及使用溶剂、酸或碱,而物理剥离可能包括干法如等离子体剥离。这需要精确控制各种参数,如温度...

涨知识!氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺

一、器件结构与制造工艺(一)器件结构对比GaNHEMT是基于AlGaN/GaN异质结,目前市面上还未出现GaN的MOSFET,主要是因为同质GaN成本太高,一般采用Si或者SiC作为异质衬底,异质衬底就需要在衬底上生长一层缓冲层(AlN),而缓冲层是绝缘的,因此目前的GaN器件还没有MOSFET结构。

多位院士领衔重磅综述丨制造工艺与装备专栏(创刊70周年纪念专辑)

本专栏包含制造工艺与装备相关的综述文章共8篇,内容覆盖半导体基片超精密磨削技术的研究现状与发展趋势、电化学制造新进展、碳纤维复合材料构件加工技术进展、激光自身空间维度加工系统综述、大尺寸粉末床激光熔融流场分析及在线监控研究进展、激光增材制造连续碳纤维增强复合材料、面向智能制造过程的刀具设计、制备与管控技术...