我国半导体制造核心技术突破,仅次于光刻的重要环节打破国外垄断
据国家电投介绍,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用,该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展,特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的技术突破,打破了国外垄断。核力创芯在遭遇...
国家队加持,芯片制造关键技术首次突破
他表示三菱电机的新型沟槽栅采用三个自研技术:一是倾斜离子注入技术(tiltedionimplantationtechnology),以改进芯片的可生产性;二是Groundedp+BPW(底部P井),在栅极底部“p+”的地方用BPW技术减少栅氧层的电场强度,使芯片具有更高的可靠性;三是在纵向沟道中采用n+JFET掺杂技术,使芯片整体损耗比传统平面...
打破“天花板”!芯片制造关键技术首次突破
而沟槽栅结构的设计比平面栅结构具有明显的性能优势,可实现更低的导通损耗、更好的开关性能、更高的晶圆密度,从而大大降低芯片使用成本,却一直以来受限于制造工艺,沟槽型碳化硅MOSFET芯片产品迟迟未能问世、应用。“关键就在工艺上。”国家第三代半导体技术创新中心(南京)技术总监黄润华介绍,碳化硅材料硬度非常高,改平...
又有新麒麟芯片消息!美国松绑出口关键芯片制造设备?
集成卫星通讯技术和5.5G通信技术、星闪技术并增加L4缓存)运行内存有24G版本预装HarmonyOSNEXT(鸿蒙星河版)华为自研大底高速CMOS昆仑3代玻璃华为自研闪存SFS2.0手机宽度不超过75mm(提升单手握持舒适度)电池容量7000mAh(华为黑磷电池技术,为了电池容量手机厚度可以放宽到8.9mm)100W冰糖氮化家快充...
光刻技术的过去、现在与未来
光刻技术在半导体制造中的关键性在半导体工业中,光刻技术是制造芯片的基石。通过将设计好的微细图案精确地转移到硅片或其他半导体材料表面,光刻技术决定着芯片的结构和性能。它使得我们能够在微米甚至纳米级别上制造电路结构,成为各种电子设备的核心组成部分。每一代芯片制造都依赖于光刻技术的创新,因为其决定着芯片功...
美国敦促盟国禁止企业为中国的关键芯片制造工具提供服务
此次ARPA-E探索性主题为植物超蓄积体开采富镍土壤(PHYTOMINES),意向项目包括:开发优化生物系统的技术,以调节超蓄积植物对镍的可利用性和吸收性;了解影响植物采矿潜力的地质、生态和经济因素的相互关系(www.e993.com)2024年9月14日。先进制造美国研究人员开发出可以与人类进行眼神交流并拥有更多表情的人形机器人...
比纳米还小的原子级制造技术是什么?离我们有多远?
宋凤麒认为,原子级制造面对的挑战中,最关键的还是基础设施与装备部分。目前大部分核心设备仍掌握在发达国家手中,国内研究设备依赖进口。我国需要发展自主知识产权保护的核心技术装备,以及支撑原子级制造发展的特色核心技术装备。例如,在传统制造过程中,制造的精度、范围和效率是互为矛盾的三角,而对原子级制造而言,三者矛...
于淑会:致力于攻关半导体封装基板用介质材料关键技术,助力国产...
人才简介:博士毕业于新加坡国立大学,秉持“材要成料,料要成器,器要可用”的理念,围绕集成电路材料开展工作,基于实际应用场景对材料进行多维度设计研究,深度解析电介质材料微观界面相容性、规模化制备中关键技术问题,以及在封装模块中的应用可靠性机制;带领团队开发的埋容材料进入量产阶段,当前与团队一起攻克半导体封装基...
EUV“光刻厂”?谈谈芯片制造与光刻的工程技术与科学原理
SSMB-EUV光刻机需要突破的技术困难,可能是哪些。千万不能以为找到一个好方向,就能很简单地突破光刻机。一、芯片制造产业常识将四价硅掺杂加入少量三价硼和和五价磷做出PN结,再加上金属氧化物做个控制门,就能做成某类晶体管。海量晶体管密集排列,按特定设计互相连接,就是芯片。芯片制造最关键一步是晶圆加工,在...
亚洲3国的顶尖技术盘点,韩国半导体,日本精密机床,中国有哪些
日本精密机床技术:传承匠心,引领制造业日本一直以其卓越的精密机床技术,在全球制造业中占据重要地位,精密机床是制造业的关键装备,它对产品质量、生产效率等方面起着至关重要的作用,日本企业在数控技术、切削加工技术等方面的不懈创新,使得其精密机床具备高速、高精度、多功能等优势,为全球制造业提供了强有力的支持。