广东阿达半导体申请邦头力常数测量方法及测量装置专利,能够准确...

专利摘要显示,本发明提供一种邦头力常数测量方法及测量装置,其中,测量方法包括:控制升降电机,将高精度压力传感器运动到整个待测行程内选取的多个待测位置,记录邦头机构的位置P(k);输入电流I(t),使瓷嘴压在高精度压力传感器上至压力值产生变化,记录输入电流I(t)与高精度压力传感器的读数F(t);计算位置P(k)的力...

南亚科技申请测量机台与半导体芯片的故障侦测方法专利,大幅度减小...

专利摘要显示,一种测量机台包含光学桌、显微镜、开发板以及两探针。显微镜位于光学桌上方。开发板位于光学桌上且位于显微镜的镜头下,配置以电性连接半导体芯片及提供半导体芯片检查信号,其中半导体芯片定位于显微镜的镜头的正下方。两探针位于光学桌上方,两探针配置以分别接触半导体芯片的两内部接点。由于使用了光学桌跟开发...

【年度专题】2020年半导体有哪些并购案值得关注?2020年手机/...

13、天准科技1818.92万欧元收购德国半导体检测测量设备厂商MueTec6月21日,天准科技公告称,拟以1818.92万欧元收购德国半导体检测测量设备厂商MueTecAutomatedMicroscopyandMesstechnikGmbH公司(下称“MueTec公司”)100%股权,并受让标的公司债权人的债权200万欧元。公告显示,MueTec公司成立于1991年,注册地为德国慕尼黑,...

展讯半导体申请载波测量方法及装置相关专利,降低载波相位测量时...

专利摘要显示,本申请提供了一种载波测量方法及装置、存储介质、终端设备、网络设备,该载波测量方法包括:接收载波指示信息,载波指示信息包括以下至少一项:虚拟载波的候选波长信息,用于载波相位测量的载波频域位置信息,虚拟载波的波长阈值;基于载波指示信息选择多个载波,并对多个载波进行载波相位测量;上报载波相位测量结果。本申...

功率器件热设计基础(三)——功率半导体壳温和散热器温度定义和...

JEP84A推荐做法包括:1.建议的引线温度测量点为距离外壳1.5毫米处或制造商指定的位置,如图绿点位置;2.热电偶测量时,必须注意热电偶与引线表面的牢固接触,建议采用焊接方式;3.热电偶球的横截面积不得大于引线横截面积的二分之一,由于图示封装b3=2.87mm,所以热电偶不要超过1.4mm。

武汉泰朴半导体申请CMOS温度传感器测量方法专利,能够快速准确计算...

武汉泰朴半导体申请CMOS温度传感器测量方法专利,能够快速准确计算出数字温度值,信号,阈值,武汉市,cmos,泰朴半导体,温度传感器

物元半导体申请基于关键尺寸扫描电子显微镜的堆叠误差测量与补偿...

(Overlay)测量与补偿方法,包括如下步骤:按照设定的结构和/或尺寸和/或位置关系在芯片的不同层制备测试结构,该测试结构包含用于量测多个方向尺寸的特征;通过光刻曝光对芯片的前层和后层进行曝光,分别确定测试结构的两部分;刻蚀形成测试结构;使用扫描电子显微镜分别测量前层和后层的测试结构的关键尺寸;根据测量关键尺寸,...

中国科大主导制定半导体线宽检测的首个ISO国际标准

与传统的经验阈值方法相比,该测量方法能够给出准确的CD值,并且把线宽测量从单一参数扩展到包含结构形貌特征的信息,适用于如晶圆上的栅极、光掩模、尺寸小至10nm的单个孤立的或密集的线条特征图案,这不仅为半导体刻蚀线宽的CD-SEM准确评测确定了行业标准,也为一般性纳米级尺寸的其它测量法提供了参考。

利用电容测试方法开创键合线检测新天地

采用电容耦合法检测键合线缺陷的原理相对简单。具体而言,这一方法是通过共享电场,而非直接的电气连接,来在两个导体之间传递电能。如此,即便组件之间没有通过导线实现物理连接,也能进行信息通信或信号传输。这一概念可应用于键合线的测试中,具体方法是测量两个导电物体表面之间的电容:一是键合线区域上方的电容结构,二...

立方砷化硼有潜力成为比硅更优的半导体材料

同期《科学》杂志也刊登了中国科学院联合美国休斯敦大学团队的相关研究成果。该研究用不同的测量方法证实了立方砷化硼的高双极性迁移率,甚至在材料样本中的一些位置发现了比理论计算更高的双极性迁移率。参与研究的中国科学院国家纳米科学中心副研究员岳帅介绍说,双极性迁移率“决定了半导体材料的逻辑运算速度,迁移率越...