...周报】SK海力士HBM销售额大幅增长,台积电将提高5nm以下工艺报价

调整主要针对晶圆代工厂先进的5nm、4nm和3nm工艺制造。根据客户关系、产品类型、订单量和制造能力等因素,拟议的涨幅将超过早先预计的4%,最高可达10%。具体来看,台积电将针对包括人工智能(AI)在内的高性能计算(HPC)产品相关客户订单,将2025年的定价提高8%~10%,针对移动通信客户的定价提高约6%。建议关注晶圆代工相关...

3D DRAM行业研究:3D DRAM时代到来,国产DRAM迎来契机

其中,晶化IGZO是一种物理、化学稳定的材料,在半导体工艺过程中可保持均匀的结构,海力士研究的正是这种材料,其最大优势是其低待机功耗,这种特点适合要求长续航时间的DRAM芯晶体管,改善DRAM的刷新特性。美光3DDRAM专利数量遥遥领先美光在2019年就开始了3DDRAM的研究工作。截止2022年8月,美光已获得了30多项3D...

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

一般光刻工艺的基本步骤光刻环节直接决定芯片的制成水平和性能水平,耗时占整个制造环节的一半,成本占据芯片生产的三分之一。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片,线路图的层数越多,也...

中巨芯:公司产品可以用于DRAM芯片的生产制造的清洗、刻蚀、成膜等...

公司产品可以用于DRAM芯片的生产制造的清洗、刻蚀、成膜等制造工艺环节。感谢您的关注。点击进入互动平台查看更多回复信息

三星研究将MUF应用到服务器DRAM,改善封装工艺并提高生产效率

据TheElec报道,三星正在考虑在其下一代DRAM中使用应用模压填充(MUF)技术。三星最近对3D堆栈(3DS)内存进行了大规模的MRMUF工艺测试,结果显示与现有的TCNCF(热压非导电膜)相比,吞吐量有所提高,但物理特性却有所下降。传闻三星芯片部分的一位高级主管在去年下令对MUF技术进行测试,得出的结论是MUF不适用于高带宽...

韩国半导体厂商研发 ALD 新技术,降低 EUV 工艺步骤需求

IT之家7月16日消息,韩媒TheElec报道,韩国半导体公司周星工程(JusungEngineering)最新研发出原子层沉积(ALD)技术,可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻(EUV)工艺步骤需求(www.e993.com)2024年11月3日。IT之家注:极紫外光刻(EUV)又称作超紫外线平版印刷术,是一种使用极紫外光波长的光刻技术,目前用于7纳米以下的先进制程,于...

韩国成功研发原子层沉积技术 可减少EUV工艺步骤

据韩国半导体公司周星工程最新研发出原子层沉积(ALD)技术,能够在生产先进工艺芯片中减少对极紫外光刻(EUV)工艺步骤的需求。EUV又称作超紫外线平版印刷术,是一种使用极紫外光波长的光刻技术,目前广泛应用于7纳米以下的先进制程。周星工程董事长ChulJooHwang表示当前DRAM和逻辑芯片的扩展已经达到了极限,因此需要像NAND...

周星工程开发更多ALD技术,减少EUV工艺步骤

ChulJooHwang声称,这意味着需要开发更多的原子层沉积(ALD)技术,从而减少先进芯片生产过程中极紫外(EUV)光刻工艺步骤的使用,这是因为堆叠晶体管将减少将晶体管缩小到更小尺寸的需要。EUV是一种由荷兰ASML开发和供应的光刻技术。据报道,深紫外(DUV)光刻设备预计将用于3DDRAM生产。

美光加速 EUV 技术攻坚,1γ DRAM 工艺目标 2025 年量产

目前,美光正在日本广岛工厂开发采用EUV的1γDRAM制造工艺,这也是首批1γ内存的试产地。Mehrotra今年3月还表示:“我们正在不断改进使用极紫外光刻技术的生产能力,并在1α和1β节点上实现了EUV和非EUV工艺流程的等效良率和质量。我们已经开始采用EUV进行1γDRAM试产,并计划于2025...

三星启动平泽P4工厂1c纳米DRAM生产线,计划明年6月量产

1cnmDRAM工艺是10nmDRAM工艺的第六代，主要的1cnm内存产品尚未发布。三星计划在2024年底开始1c纳米生产，并考虑在2025年底推出采用1c纳米DRAM芯片或更先进DRAM工艺的HBM4，以提高HBM4的竞争力，紧跟竞争对手SKHynix的步伐。由于HBM的DRAM晶片消耗量远高于传统内存，有...