搭载天玑9000的手机有哪些 和骁龙888哪个好?

联发科天玑9000SoC集成了10核ArmMali-G710GPU,共有6个第五代APU内核用于AI处理。更详细地说,该芯片组使用了新的Armv9架构CPU,其中包括一个3.05GHz频率的ArmCortex-X2、三个频率高达2.85GHz的ArmCortex-A710和四个ArmCortex-A510CPU。该芯片组还支持LPDDR5x7500Mbps...

iPhone 6s内部芯片揭秘 仍有16GB版本

但根据此次9to5Mac曝光的内部芯片谍照显示,iPhone6s仍以16GB存储容量起步,并且闪存芯片为东芝提供,使用的是19纳米制造工艺。不过,9to5Mac也表示16GB容量版本有可能仅限测试之用,但有可能在正式版本中提供更大的容量。此外,由于苹果高管表示iCloud云服务能够帮助人们存储文档,照片,视频以及音乐,所以16GB容量版本仍能...

国产闪存芯片自给率有待进一步提升

Flash芯片可分为NORFlash(代码型闪存芯片)和NANDFlash(数据型闪存芯片),其中NANDFlash芯片(即NANDFlash存储晶圆颗粒或封装片)是最重要的存储器芯片之一。NANDFlash存储芯片主要用于实现数据信息存储功能,其一般需要与能够对数据信息存储、输入、输出等进行管理的主控芯片结合,闪存主控芯片作为与存储器芯...

复旦大学研究成果:闪存芯片突破8nm,速度提升1000倍

不仅如此，这种闪存芯片，采用全新的二维半导体结构，比现有的闪存速度，快1000倍，实现了纳秒级超快存储闪存技术。资料显示，在原子级薄层沟道支持下，这种8nm工艺的闪存芯片，具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。可以预见的是，一旦这种闪存技术大规模量产，将彻底颠覆现有的闪存芯片格局。

存储芯片业绩反转悄然而至?存储模组龙头细分产品“卖爆”Q4净利...

展望2024全年,集邦咨询认为DRAM和NAND价格有望连续四季看涨,预测2024Q1-Q4DRAM季涨幅中值分别为15.5%/5.5%/10.5%/10.5%、NAND季涨幅中值分别为20.5%/5.5%/10.5%/2.5%。在存储芯片细分产品中,HBM是人工智能AI开发使用的一种关键组件。马天翼在研报中进一步指出,AI服务器的高算力要求推升高带宽存储器HBM需求,据...

闪存芯片将掀起新一轮涨价潮

NORFlash是一种基于NOR门结构的闪存,NOR是逻辑门电路中的"或非"门(www.e993.com)2024年11月22日。NORFlash具有并行访问结构,这意味着每个存储单元都有一个地址,可以直接访问任何存储单元,这使NORFlash具有快速的随机访问能力,适用于执行代码和读取关键数据。与NANDFlash相比,NORFlash具有较低的存储密度和较高的成本,但具有读取速度快、芯片...

存储芯片在复苏中分化

结构性矛盾在存储厂商的主动减产平衡供需以及AI带来了新的增长空间之后,存储芯片行业有机会稳定地走向新一轮的增长周期。但今年下半年以来,存储现货市场的价格持续下调,给全行业好不容易盼来的复苏,蒙上了一层“阴影”。根据CFM闪存市场统计数据,NANDFlash和DRAM现货价格指数自今年5月份触及阶段高点后便开始一路下跌...

存储芯片产业链一文带你了解,这6大龙头股或成核心受益方向

近年来,公司业务结构、营业收入、归母净利润、毛利率与净利率情况如下:兆易创新:中国存储芯片产业龙头,中国大陆领先的闪存芯片设计企业兆易创新创始于2005年4月6日,2016年8月18日在上海证券交易所上市,股票代码603986。公司主营业务为主要业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品和传感器模块的研发、技术支持和销售...

集成芯片与芯粒(Chiplet)技术白皮书

目前这一技术作为2.5D集成芯片的代表性工艺,广泛的应用于高性能处理器芯片产品中。第一个采用CoWoS技术的处理器集成芯片是英伟达公司的GP100GPU芯片,它的结构是通过CoWoS工艺将GPU芯粒和多个HBM芯粒在一个封装体内集成,最大化处理器与存储之间的通信带宽,硅基板尺寸超过1个光罩(858mm2)。我国...

同有科技2023年年度董事会经营评述

公司通过自主研发、联合创新、战略投资等多种方式形成技术积累,形成了从芯片、到部件、到系统的存储全产业链布局,为掌握闪存底层技术、实现底层核心软硬件的互联互通,实现公司集中式、分布式双架构存储系统向自主可控端到端NVMe全闪的全面升级。4、民族自主可控存储领先者...