三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存,用于AI服务器

三星推广NAND时,三星公司副董事长、DS部门主管JunYoung-hyun表示要对公司进行大刀阔斧的改革。尽管三星在整个DRAM市场上处于领先地位,但在HBM市场上却在奋力追赶竞争对手SK海力士,后者是全球第二大存储制造商,也是英伟达高端HBM芯片的主要供应商。据市场研究公司Gartner预计,到2026年,全球存储市场将从2024年的920亿美...

全球第二大NAND闪存芯片供应商铠侠拟于明年中前在日上市,目标市值...

全球第二大NAND闪存芯片供应商铠侠拟于明年中前在日上市,目标市值破万亿日元网界全球NAND闪存芯片领域的佼佼者铠侠,曾以东芝存储之名闻世,现紧随三星电子之后稳坐第二把交椅。近日,该公司向金融厅递交了证券登记声明,揭开了其未来上市计划的神秘面纱。据悉,铠侠已明确表达了在2024年12月至次年6月间,于东京...

由于NAND闪存市场需求低于预期,主要存储器制造商都在考虑减少产量

据DigiTimes报道,由于NAND闪存市况不佳,包括三星、SK海力士、美光和铠侠等主要存储器制造商都在考虑减产,以稳定价格。除了调整NAND闪存的产量,存储器制造商还打算将更多的资源投放到DRAM生产上,趁着人工智能(AI)行业需求高涨,以便更多地通过高附加值DRAM产品获利。在2022年下半年至2023年上半年间,由于PC需求下降,影响...

...长电科技巨资收购全球第二大NAND闪存供应商子公司股权后应声涨停

此外,香农芯创作为SK海力士国内唯一代理商,具备SK海力士HBM分销商资质,太极实业旗下海太半导体为SK海力士DRAM提供后续服务。长电科技亦在互动平台表示,公司推出的XDFOI高性能封装技术平台可以支持HBM的封装要求。值得一提的是,存储芯片另一细分产品SRAM芯片作为一种传统存储方案,近期受到二级市场爆炒。据媒体报道,谷歌新一...

存储暖风惠及材料?三星、SK海力士NAND厂开工率回升 多个供应商扩产

蚀刻液供应商Soulbrain为三星电子提供高选择性氮化物(HSN),作为286层NAND生产工艺净化所必需的蚀刻溶液。电子特气供应商WonikMaterials为三星电子和SK海力士提供NAND生产用的特殊气体,用于3DNAND蚀刻工艺流程中。同为电子特气供应商的TEMC则计划增加NAND蚀刻工艺的核心特殊气体羰基硫化物(COS)的供应,该气体可提高NAND...

TrendForce:预估二季度 NAND 闪存合约价继续上涨 13～18%,带动...

集邦咨询表示,在市场基本面上,虽然第二季度的NAND闪存的采购量小幅低于一季度,但整体市场氛围仍受到上游减产影响,同时供应商库存水位也有降低,所以闪存合约价会继续上涨(www.e993.com)2024年11月22日。▲图源TrendForce集邦咨询分具体品类来看,在eMMC方面,由于部分供应商已降低此类产品的供应,最大需求方中国智能手机品牌开始提升国内模组...

要涨价!传三星电子将与下游厂商就NAND闪存价格谈判

传三星电子将与下游厂商就NAND闪存价格谈判CNMO科技消息3月13日晚,CNMO了解到,有报道称,三星电机(三星集团旗下子公司)计划在本月至下月期间,与主要移动端、PC端及服务器端客户就NAND闪存价格展开新一轮的谈判,旨在将价格提升15~20%。在经历了长达一年多的供过于求的市场环境后,三星电子的NAND闪存售价一度...

603986,华为、三星核心供应商,A股芯片唯一价值洼地!

这其中,兆易创新在存储芯片多个领域排名第一,是华为、三星等的供应商,实力极为强劲。存储芯片分为闪存和内存。比如我们形容的手机存储16GB+512GB,16GB就是内存(DRAM)、512GB就是闪存(Flash)。兆易创新不仅自己是Flash领域的龙头企业,还与国内第一家DRAM厂商--长鑫存储(未上市)是同一控股人,可以说是在存储领域全...

3D闪存哪家强:姜还是三星的辣 长江仅次之

传统的NAND闪存单元采用平面晶体管结构,包括控制栅极(ControlGate)和浮动栅极(FloatGate)。通过向单元施加电压,电子在浮动栅极中存储和移除。多年来,供应商将平面NAND的单元尺寸从120nm缩小到1xnm节点,使容量增加了100倍。然而,当单元尺寸达到了14nm的极限,这意味着该技术不再可扩展,由此NAND原...

NAND市场,激战打响

增加3DNAND器件中的有源层数量是当今提高闪存记录密度的最佳方法,因此所有3DNAND制造商都努力每1.5到2年就推出新的工艺节点来实现这一目标。虽然当下的竞争主要聚焦在200层左右,但是200层远远不是终点,近两年已经有巨头开始瞄准1000层堆叠的3DNAND。