半导体foundry工程师进阶课〖工艺规则DRC/LVS/RCX的Runset开发〗
当采用LVS_CHECK选项时,由于MOS管只有W,L的参数,在底层的hcell单元中就可以计算得到W,L的参数,不需要把该mos管提升到上层单元中。如果选择了RC_CHECK,由于MOS管计算SA,SB,SC等需要用到nwell,nsd,psd等更多的layer图形,这些图形在底层的hcell中并不是完整的,需要把mos管提升到上层cell中才可以提取正确。
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
我们许多初级的设计师,在使用mos管一般就会仅仅只关注这两个参数,即Vgsmax与vgsth。vgsmax在上面参数中,我们已有说明。这里我们重点说明下**vgsth**这个参数:在该mos管中,该值的范围为2v~4v之间,mos工作在放大区域。即mos管的导通沟道没有完全形成,这时的mos管是极其脆弱的。如果此时我们在mos管DS...
如果把开关电源的频率无限提升,会发生什么?
那么对于这个mos管来说,它的极限开关频率(在这种极限情况下,mos管刚开通就关断)fs=1/(16+12+83+5)ns=8.6MHz,当然,在实际应用中,由于要调节占空比,不可能让开关管一开通就关断,所以实际的极限频率是远低于8.6MHz的,所以器件本身的开关速度是限制开关频率的一个因素。开关损耗当然,随着器件的进步,开关管开关...
硬件工程师需要知道的100个问题,你知道几个?
LDO是通过调整三极管或MOS管的输入输出电压差来实现固定的电压输出,基本元件是调整管和电压参考元件,电压转换的过程是连续平滑的,电路上没有开关动作。LDO电路的特点是输出电压纹波很小,带负载能力较弱,转换效率较低。23请问电荷泵升压电路一般应用在什么场合?电荷泵可以胜任大电流的应用吗,为什么?电荷泵通过开关...
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
UART是单片机中最常用的异步串口,它有两根线,分别是TX(数据发送)和RX(数据接收),分别负责通信时发送数据和接收数据。UART通信协议是全双工协议,即可以同时双向收发数据。4、MOS管的工作原理解题思路MOS管是指绝缘栅型场效应管,下面以增强型NMOS来介绍其工作原理。在P型半导体衬底上制作两个高掺杂浓度的N型区,...
硬件基础知识问答大全
DC-DC通过开关斩波、电感的磁电能量转换、电容滤波实现基本平滑的电压输出(www.e993.com)2024年9月22日。关电源输出电流大,带负载能力强,转换效率高,但因为有开关动作会有高频辐射。LDO是通过调整三极管或MOS管的输入输出电压差来实现固定的电压输出,基本元件是调整管和电压参考元件,电压转换的过程是连续平滑的,电路上没有开关动作。LDO电路的特点...
半导体功率循环可靠性怎么试验,功率循环可靠性试验案例
技术参数:内腔尺寸:W1200×H500×D600(mm)1.2.热沉:型号规格:PC15KW功能特点:水冷板,水流速根据降温要求自适应调节;紫铜材质;防凝露处理;气动连接器件技术参数:尺寸尺寸:W300×H200×D400(mm);温度范围:15℃~150℃1.3.试验电源:型号规格:...
科普| 带你看明白MOS管的每一个参数
MOSFET并联后,不同器件之间的击穿电压很难完全相同。通常情况是:某个器件率先发生雪崩击穿,随后所有的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。8、EAR-重复雪崩能量重复雪崩能量已经成为“工业标准”,但是在没有设定频率,其它损耗以及冷却量的情况下,该参数没有任何意义。散热(冷却)状况经常制约着重复雪崩能量。对于雪崩...
干货|技术参数详解,MOS管知识最全收录
和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。MOS管的种类及结构MOS管是FET的一种(另一种为JFET结型场效应管),主要有两种结构形式:N沟道型和P沟道型;又根据场效应...
一文看懂功率MOS管的所有参数!
MOS管的最大额定参数,所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS最大漏-源电压在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。