2024年芬兰千年技术奖授予绝缘栅双极晶体管发明者
绝缘栅双极晶体管可应用于风能和太阳能发电装置、电动汽车和混合动力汽车以及医疗设备如X光机和核磁共振设备等,提升电力和汽油使用效率,减少污染。本文源自:金融界AI电报
以改革促开放、以开放谋发展——国家级经开区40年发展综述
武汉经开区通过与武汉东湖高新区联动,在汽车芯片领域开展联合技术攻关,将高铁绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片技术引入汽车功率芯片开发并实现日均1000只IGBT芯片量产,成功突破汽车“功率芯片”领域困局。聚焦“创新如何转化”,打通科技成果落地“最后一公里”。在东营经开区,中国有研、潍柴动力、国瓷材料等8家行业领军企...
以改革促开放、以开放谋发展
武汉经开区通过与武汉东湖高新区联动,在汽车芯片领域开展联合技术攻关,将高铁绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片技术引入汽车功率芯片开发并实现日均1000只IGBT芯片量产,成功突破汽车“功率芯片”领域困局。聚焦“创新如何转化”,打通科技成果落地“最后一公里”。在东营经开区,中国有研、潍柴动力、国瓷材料等8家行业领军企...
唯捷创芯获得实用新型专利授权:“一种异质结双极晶体管钝化层和...
证券之星消息,根据企查查数据显示唯捷创芯(688153)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“一种异质结双极晶体管钝化层和晶体管产品”,专利申请号为CN202322979044.0,授权日为2024年7月30日。专利摘要:本实用新型涉及集成电路制造领域,具体公开一种异质结双极晶体管钝化层和晶体管产品,该钝化层包括至少二层介质保护层...
低温对电子元器件影响是什么?电子元器件低温失效原因有哪些?
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)在低温环境下会出现功能失效和参数不稳定的问题,导致MOSFET低温失效的原因主要有以下几个方面。2.3.1漏电流低温环境下,MOSFET的漏电流会增加,导致电流电压不稳定,从而导致整个电路失效。2.3.2寄生效应MOSFET中的寄生电容和寄生电阻在低温下会增加,这会影响到MOSFET的...
基础知识之晶体管
NPN和PNP晶体管晶体管大致可以分为“NPN”和“PNP”两种类型(www.e993.com)2024年10月26日。从右图中也可以看出,主要是根据集电极引脚侧在电路中是吸入还是输出电流来区分使用晶体管。如果想根据输入信号进行开关,那么使用NPN型晶体管,发射极接地。如果想在电源侧进行控制,则通常使用PNP型晶体管。
快讯|首批IGBT模块静态动态参数测试设备产线工作站交付
功率半导体是半导体行业的细分领域,虽不像集成电路一样被大众熟知,但其重要性不可忽视。IGBT是功率半导体的一种,它是电子电力装置和系统中的“CPU”、高效节能减排的主力军。IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,封装后的IGBT模块直接应用于...
揭秘半导体:为何这一特定条件下导电的材料能引领世界经济风云?
半导体行业是电子信息硬件产业的重要组成部分,其核心业务包括设计和制造各种半导体产品。这些产品主要用于集成电路,涉及微处理器、存储器、电源管理电路、二极管、晶体管、光电子器件、传感器等。半导体行业的主要流程如下:芯片设计:设计团队使用电子设计自动化(EDA)工具来创建集成电路设计,这些设计可以是全新的或基于现有设...
香港城大研究人员找到开发性能卓越的多功能电子器件的新方法
反双极晶体管的突破性进展反双极器件是一类正(空穴)负(电子)电荷载流子都能在半导通道内同时传输的晶体管。然而,现有的反双极型器件主要使用二维或有机材料,这些材料对于大规模半导体器件集成来说并不稳定。此外,它们的频率特性和能效也很少被探索。针对这些限制,香港城市大学协理副校长(企业)兼材料科学与工程学系...
芯片,到底是如何工作的?-虎嗅网
栅极上很小的电流变化,能引起阳极很大的电流变化。而且,变化波形与栅极电流完全一致。所以,三极管有信号放大的作用。一开始的三极管是单栅,后来变成了两块板子夹在一起的双栅,再后来,干脆变成了整个包起来的围栅。围栅真空三极管的诞生,是电子工业领域的里程碑事件。