普冉股份跌4.22%,短期趋势看,连续3日被主力资金减仓。主力没有控盘

1、据2022年年度报告:公司的主营业务是非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售,目前主要产品包括:NORFlash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片、微控制器芯片以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片属于通用型芯片,可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和...

存储器新技术:FeRAM的高可靠性和无延迟

FeRAM作为一种新型非易失性存储器,与EEPROM、NORFlash、MRAM等存储器产品形成了竞争关系。冯逸新提到,尽管FeRAM在存储市场的占比不大,但在一些利基市场(NicheMarket)中,FeRAM展示了不可替代的优势,尤其是在高频次读写和低功耗需求明显的场景中表现卓越。EEPROM在非易失性存储器市场占有一定地位,但其写入次...

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

FeRAM和ReRAM代表了非易失性存储技术领域内的两项重要创新,旨在提供比传统存储解决方案(如SRAM、DRAM和Flash)更高的性能和更小的尺寸。随着便携式系统市场在过去十多年间的迅速扩张,半导体产业对于大容量非易失性存储器(NVM)技术的兴趣日益浓厚。市场对更高效率、更快的内存访问速度及更低功耗的需求,不断推动着NV...

国产最大容量新型存储器芯片面世 存一部10GB高清电影仅需1秒

使用“NM101”芯片制造的硬盘,存入一部10GB的高清电影仅需1秒。据了解,该芯片采用创新的三维堆叠技术,基于新型材料电阻变化的原理,利用先进工艺制程,在单颗芯片上集成了百亿数量的非易失性存储器件,实现了存储架构上的重大突破。这一芯片做成的固态硬盘,可为数据中心、云计算厂商等提供大容量、高密度、高带宽、低...

...取得嵌入式系统存储域自动划分专利,能根据非易失性存储器不同...

翱捷科技(上海)取得嵌入式系统存储域自动划分专利,能根据非易失性存储器不同分区情况动态完成存储域的自动划分金融界2024年8月23日消息,天眼查知识产权信息显示,翱捷科技股份有限公司取得一项名为“一种嵌入式系统的存储域自动划分方法及装置“,授权公告号CN113485947B,申请日期为2021年6月。

国芯思辰|国产铁电存储器SF25C20( MB85RS2MT)用于输液泵和呼吸机

目前，传统的EEPROM和闪存写入周期耐久度有限，而一些医疗设备需要可靠地存储随时更新的数据日志，例如医疗输液泵和呼吸机(www.e993.com)2024年11月17日。国产铁电存储器SF25C20的存储单元可用于100万次读写，数据保持：10年@85℃（200年@25℃），这样的耐久度使这些医疗设备记录更多的用户数据。此外，即时非易失性也是SF25C20技术的另一大重要...

华虹公司:非易失性存储器相关技术平台是2023年主要营收来源,全...

其中嵌入式非易失性存储器主要包括智能卡芯片和微控制器两大类芯片应用。智能卡方面，具有自主知识产权的嵌入式闪存技术在相关智能卡产品领域继续保持平稳出货，嵌入式非易失性存储器平台竞争力保持在较高水平。在微控制器方面，透过“8英寸+12英寸”嵌入式闪存平台优势，助力客户在汽车电子、大家电、工控等领域稳步...

AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

RRAM阻变存储器是一种新型的非易失性存储器,它通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压,产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。其结构简单,从而简化了制造工艺,同时还可实现低功耗和高速重写等卓越性能。RRAM阻变存储器其实也就是大家熟知的忆阻器,最早是在1971年由华裔科学家,时任教于加州大学伯克利分校的蔡少棠教授提出...

三星申请非易失性存储器件专利,实现多条字线具有阶梯形状,并且...

专利摘要显示,一种非易失性存储器件包括:第一半导体层,包括单元区域和阶梯区域,单元区域具有存储单元阵列,阶梯区域与单元区域相邻;以及第二半导体层,在垂直方向上堆叠在第一半导体层上并且包括行译码器。第一半导体层包括:多条字线,在所述垂直方向上堆叠;包括至少一条串选择线的层,该层堆叠在多条字线上;以及多个...

台积电申请非易失性存储器专利,提供具有改进的栅极结构的闪存及其...

金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法“,公开号CN117545277A,申请日期为2019年9月。专利摘要显示,根据本申请的实施例,各种实施例提供具有改进的栅极结构的闪存及其制造方法。闪存包括多个存储器单元,多个存储器...