为了达到 4N8 的纯度,我国专家采用了哪些提纯技术?
目前我国的工业生产工艺主要有水淬、制砂、磁选、浮选、酸浸和氯化焙烧,等等。实践证明,必须根据不同成因、不同产地、不同种类石英矿原料的矿物材料学特征,尤其是根据矿物原料中杂质矿物、气液包裹体和类质同像杂质3类杂质的特点及其赋存状态,做到一矿一策,提出有针对性的加工工艺与方法,方能达到预期的效果。
国内半导体大佬承认差距:先进芯片很难追上,应优先成熟工艺
对于目前国内的半导体行业来说,无论是芯片代工还是芯片设计,主要都集中在成熟工艺上,预计到2027年全球成熟工艺芯片的出货量,中国将占据半壁江山。这一方面的确是目前国内芯片在成熟工艺上规模已经相当大,同时也能将成本拉得比较低;而另一方面也是因为内外种种原因,国内无法在先进工艺上获得更大的突破,所以也只能...
第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链、下游...
碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点,可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限,开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件,具备广泛应用于5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新...
CMP:半导体制造工艺的平滑艺术
在集成电路制造领域,芯片制造过程按照技术分工主要可分为薄膜淀积、CMP、光刻、刻蚀、离子注入等工艺环节,各工艺环节实施过程中均需要依靠特定类型的半导体专用设备。如果将芯片制造过程比作建造高层楼房,每搭建一层楼都需要让楼层足够平坦齐整,才能在其上方继续搭建另一层,否则楼面就会高低不平,影响整体性能和可靠性。随...
2nm半导体大战一触即发:三星、台积电等积极布局2nm工艺制造
2nm工艺被视为下一代半导体工艺的关键技术突破,其优势在于能为芯片带来更高性能和更低功耗。据媒体报道,三星已拟定计划,预计于明年在韩国启动2nm制程技术的生产。此外,该公司还计划在2047年之前,于韩国投资500万亿韩元,兴建一座超大规模的半导体生产基地,专注于2nm制程技术的制造。而三星电子在近日的2023年四...
RIE反应离子刻蚀机在半导体工艺中的应用
RIE反应离子刻蚀机常用于半导体工艺中去除材料的特定部分(www.e993.com)2024年9月19日。反应离子刻蚀机利用气体放电产生的等离子体对材料表面进行刻蚀。具有高选择性、高速率、各向同性刻蚀等特点。被广泛应用于微纳加工、半导体制造、光学器件制造等领域。可以根据具体的应用要求对刻蚀工艺的参数和条件进行优化和调整,以获得所需的刻蚀效果。它主要由真...
【ICCAD2023】特色工艺将成未来中国半导体制造主旋律
荣芯半导体成立于2021年4月,总部位于中国浙江省宁波市,是一家立足于成熟节点上的特色工艺集成电路制造企业,主要业务涉及为CIS(CMOS图像传感器)、Driver(驱动芯片)以及电源管理等产品提供诸如BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)特色制造工艺平台等服务。“特色工艺制造专注于小众市场,在先进工艺的发展瓶颈越来越凸出的背景下,特色工...
以先进半导体工艺及技术创新引领未来科技赛道发展方向
英飞凌未来三到五年将重点投资下一代更高效、更高电流密度的半导体技术,包括Si及SiC,以提供更高功率密度、更高集成度、更多更灵活的封装模式的新产品。英飞凌采用先进的冷切割技术进行原材料的后续生产,在确保成品率的同时也极大地提升了原材料的利用率,在节能增效方面先人一步。
中金公司:半导体真空零部件国产替代有望加速
半导体制造过程中,需经过光刻、刻蚀、薄膜沉积等多种工艺,我们通常根据其主要使用气体加工还是液体加工,将前道制造设备分为干法设备及湿法设备,其中干法设备主要包含:等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备、去胶/热处理设备等;湿法设备主要包含:清洗设备、电镀设备、CMP设备等。由于干法设备通常需要在真空条件下,利用高频高压使...
成为半导体产业大国,设备要先行
博众半导体的星威系列EH9721型全自动高精度共晶贴片机是光电子器件、光模块封装工艺的理想设备,该设备兼具共晶贴片、蘸胶贴片及FlipChip贴片功能,可满足多芯片、多工艺的贴装场景。先进的设计和高质量的驱动结构使其贴片精度可达±3μm,可满足光模块单芯片及多芯片高密度的贴装需求,兼容CoC、CoB、CoS等多种封装...