揭秘芯片制作全过程:从设计到量产的每一步

光刻是芯片制造过程中最关键的步骤之一。在这一过程中,设计好的电路图会被转移到硅片上。光刻的过程包括以下几个步骤:1.涂覆光敏材料(PhotoresistApplication)首先,硅片表面会涂上一层光敏材料(光刻胶)。光敏材料在紫外光照射下会发生化学变化,形成可被蚀刻的图案。2.曝光(Exposure)然后,使用光刻机将...

深圳市励创微电子取得芯片封装框架及芯片封装专利,减少制作材料...

专利摘要显示,本实用新型公开了一种芯片封装框架及芯片封装,芯片封装框架包括:框架本体,所述框架本体包括:第一基岛和第二基岛,在所述框架本体的两侧设置有多个引脚;其中,所述第一基岛用于设置第一芯片和第二芯片,所述第二基岛用于设置第三芯片;所述第二基岛设置在所述框架本体右上方。本实用新型通过将框架本体...

我国科学家开发出可规模制造的光子芯片材料

钽酸锂薄膜有优异的电光转换特性，可规模化制造，应用价值极高。“相较于被广泛看好的潜在光子芯片材料铌酸锂，钽酸锂薄膜制备效率更高、难度更低、成本更低，同时具有强电光调制、弱双折射、更宽的透明窗口、更强的抗光折变等特性，极大扩展了光学设计自由度。”欧欣说。欧欣团队与瑞士洛桑联邦理工学院托比亚斯·基...

中国制造加速新芯片材料的发展,成本降低七成,芯片将成白菜价

第三代芯片材料之中,普遍认为碳化硅、氮化镓有很大的发展前途,这类芯片材料拥有更低的导通电阻、能量转换效率更高等优点,这些恰恰是当下硅基芯片所面临的重大问题,可以有效提升芯片性能并降低能源损耗。对于手机芯片来说,功耗已越来越成为提升性能的重大障碍,当前手机芯片为了控制功耗往往只能通过降频来防止过热;大型数据...

没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?

目前ArF光刻机的镜头可将sinθ值做到0.93,EUV光刻机目前只能达到0.33,Hyper-NAEUV的目标值是0.75,也是ASML的终极项目。如果未来没有新技术发明出来,这很可能是芯片物理光刻技术的终结。2)缩短波长:材料与镜头的精准搭配缩短波长主要依靠光源的改变,比如g-Line,i-Line的UV(紫外光),KrF,ArF的DUV(深紫外光)...

中金:玻璃基板新材料,孕育TGV设备需求

底板制造工艺:包含熔融、成型、加工等环节玻璃熔制的原材料主要包括二氧化硅、镁氧化物、铝氧化物、碱金属氧化物等物质(www.e993.com)2024年11月15日。根据乐晴智库资料,玻璃基板根据其生产配方的差异,可划分为纳钙玻璃和高铝玻璃两大类:??纳钙玻璃:通过在二氧化硅基质中加入氧化钙和氧化钠等成分而制成,其配方相对简单,技术门槛较低。

第三代半导体碳化硅材料生产基地启用!宝安开启“芯”未来!

昨日启用的第三代半导体碳化硅材料生产基地项目,总投资32.7亿元,占地面积73650.81平方米,建筑面积179080.45平方米,建有研发办公楼、综合楼、衬底和外延生产厂房等建构筑物和道路、管线、绿化等室外工程。其中,围绕生产衬底和外延等制造芯片的基础材料,该项目重点布局了6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线,预计今年衬底和外延产...

【光电集成】光电材料之铌酸锂行业科普

铌酸锂产业链上游材料主要包括铌酸锂晶体及薄膜,上游设备主要包括电子束直写、DUV光刻机等;产业链中游主要是铌酸锂调制器芯片及器件等,包括体材料铌酸锂调制器和薄膜铌酸锂调制器;产业链下游主要应用于光通信、光纤陀螺、超快激光器、有线电视(CATV)等众多领域。

新华社消息|我国科学家开发出可规模制造的光子芯片材料

“穿越时空之旅”系列短视频第三十二集:蒙古包里有了电灯。9月28日,“国社之镜·世纪光影”新华社新闻新华社2024-10-2707:43:370跟贴0婆婆家小妹材料缺失无法购买,法尔从邻居阿姨口中问出霍贾特下落阿莲电影2024-10-2410:33:260跟贴0十万级精装大平层,520km续航+8155芯片,全新启辰...

光刻技术的过去、现在与未来

光刻技术在半导体制造中的关键性在半导体工业中,光刻技术是制造芯片的基石。通过将设计好的微细图案精确地转移到硅片或其他半导体材料表面,光刻技术决定着芯片的结构和性能。它使得我们能够在微米甚至纳米级别上制造电路结构,成为各种电子设备的核心组成部分。每一代芯片制造都依赖于光刻技术的创新,因为其决定着芯片功...