我国半导体制造核心技术突破 自主芯片性能优化,打破国外垄断
这一成就意味着我国现已全面掌握了半导体领域中高能氢离子注入的核心技术与工艺,填补了国内半导体产业链中的一个重要空白。这为将来半导体离子注入设备和工艺实现全面国产化铺平了道路。国家电投强调,氢离子注入作为半导体晶圆制造的关键步骤,对包括集成电路、功率半导体、第三代半导体在内的多种半导体产品的生产至关重要...
中国半导体芯片制造技术突破:仅次于光刻,打破欧美日技术垄断
当下,核力创芯掌握了功率半导体高能氢离子注入的核心技术和工艺,并成功建设了国内首条功率芯片质子辐照生产线。这不仅填补了国内半导体产业链中的一个关键空白,也为我国半导体产业的自主可控奠定了坚实基础,使得我们向芯片制造全环节国产化又迈进了一步。#百家快评#功率半导体器件是电力电子系统的核心元件,广泛应用于新...
我国半导体制造核心技术突破,仅次于光刻的重要环节打破国外垄断
据国家电投介绍,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用,该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展,特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的技术突破,打破了国外垄断。核力创芯在遭遇...
我国半导体制造核心技术突破
氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用,该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展,特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的技术突破,打破了国外垄断。核力创芯在遭遇外国关键技术及装...
打破国外垄断,我国拿下一项“制芯”关键技术
作为芯片的核心材料,光刻胶及光刻胶用树脂的技术曾长期由国外垄断,中国长期依赖进口。1992年,唐一林开始组建团队,着手酚醛树脂的研发,并尝试进行生产,但由于生产装备落后,不掌握核心技术等原因,他们经历了许多挫折,未能做出好的产品。无奈之下,只能将目光投向海外。1997年,经过严谨甄选,多轮谈判,圣泉最终与英国海沃斯矿...
“全面遏制”下的中国芯片产业:培育“创新生态”才是关键
现阶段我国要实现关键领域上的技术突破,应当全面评估我国所具备的内外部条件,并在此基础之上进行战略选择(www.e993.com)2024年9月14日。当前,我国在低端制程芯片领域已经形成了相对完备的“创新生态”。然而,在高端制程芯片已然形成了全球分工的格局,就算美国都很难以一己之力发展起整个高端制程半导体产业链。
效率提升10倍,国产“矿黄金”打破西方垄断,半导体芯片天亮了
打破西方技术垄断,国产石墨烯横空出世面对西方的百般刁难,我们从来不会认输。如今,我国科研团队成功攻克石墨烯关键技术,所建成的石墨烯生产线规模远超他国,能够实现300吨的年产能,并且下探了5000倍的门槛。对此,美媒宣称我们“坏了规矩”。而后,我们又率先研制出8寸的石墨烯芯片,然后又推出5nm制程的碳基半导体芯...
华为完成5G-A技术性能测试,昇腾助力打造国内通用人工智能新底座...
近期市场交易热点主要围绕半导体芯片与卫星通信展开。产业趋势上,华为全面完成IMT-2020(5G)推进组5G-A关键技术测试,多项技术性能取得重大突破;智能算力自主可控势在必行,昇腾助力打造国内通用人工智能新底座。产业政策端,上周新基建及CCER相关政策颁布,建议持续关注数字经济及双碳进展。此外,近期,稳预期政策(活跃资本市场...
我国玻璃基封装技术取得重要突破,为芯片制造业带来弯道超车机遇
6月11日,据报告网消息,武汉市科技创新局官方微信平台近日发布消息,我国科学家团队在玻璃基封装技术研发上取得了重要突破,此创新技术有望为我国芯片制造产业带来“弯道超车”的机遇。而这一技术突破的关键设备玻璃通孔激光设备,正是由帝尔激光自主研发并成功推向市场的。玻璃基封装技术作为半导体封装领域的新兴技术,...
围绕36个重点领域,国家制造业创新中心已达26家!名单+介绍来了!
国家数字化设计与制造创新中心该创新中心面向国家战略和支柱行业,聚焦数字化设计、数字化分析、数字化制造等方面关键共性技术,建设数字化设计与制造创新能力平台,为数字制造和智能制造关键领域研发核心工业软件和核心工艺装备,提供人才和技术支撑,形成我国数字化智能化制造技术的核心竞争力。