单级小信号 RF 放大器设计
当晶体管采用共基配置时,晶体管基极和集电极端的电阻R2和RC将晶体管连接到直流输入电压VCC。电阻R1和RE分别将晶体管的基极和发射极接地。通过选择合适的电阻值,可以固定晶体管放大器的工作点。分压器晶体管偏压使晶体管的工作点几乎不受放大倍数(β值)影响。因此,分压器偏置电路也称为与β值无...
运放可以当比较器使用吗?
运算放大器采用双晶体管推挽输出,而比较器只用一只晶体管,集电极连到输出端,发射极接地。比较器需要外接一个从正电源端到输出端的上拉电阻,该上拉电阻相当于晶体管的集电极电阻。运算放大器可用于线性放大电路(负反馈),也可用于非线性信号电压比较(开环或正反馈)。电压比较器只能用于信号电压比较,不能用于线性...
基础知识之晶体管
※1:hfe晶体管的直流电流放大系数晶体管工作原理晶体管由PN结组成,通过在基极流过电流,而在集电极-发射极间流过电流。在这里,以NPN晶体管为例来说明其工作原理。当在基极和发射极之间施加正向电压(VBE)时,发射极的电子(负电荷)流入基极,部分电子会与基极的空穴(正电荷)结合。这就是基极的微小电流(IB)。
整理分类:晶体管的类型分析
晶体管的工作可以通过控制基极电压来调节发射极和集电极之间的电流。当在基极施加正向偏压时,会引起基区的载流子浓度增加,从而使得发射极和集电极之间的电流增大。反之,当基极施加反向偏压时,会使得基区的载流子浓度减小,从而导致发射极和集电极之间的电流减小。晶体管的工作可以分为两种基本模式:放大模式和开关模式。...
半导体芯片,到底是如何工作的?
█晶体管电子管高速发展和应用的同时,人们也逐渐发现,这款产品存在一些弊端:一方面,电子管容易破损,故障率高;另一方面,电子管需要加热使用,很多能量都浪费在发热上,也带来了极高的功耗。所以,人们开始思考——是否有更好的方式,可以实现电路的检波、整流和信号放大呢?
FD-SOI技术在毫米波雷达芯片中的应用
FD-SOI晶体管具有几个独特特性,比如能够在低电压下工作、抵消PVTA(Process,Voltage,Temperature,Aging)变化、对辐射几乎不敏感,以及表现出非常高的固有晶体管速度,这使其成为优于其他RF-CMOS技术替代方案的理想选择(www.e993.com)2024年9月17日。1)FD-SOI和超低电压由于其固有的低变异性特性和BodyBias技术,FD-SOI能够在非常低的供电...
讲透三极管_手机新浪网
以为只要Vc足够大基区足够薄,集电结就可以反向导通,PN结的单向导电性就会失效。其实这正好与三极管的电流放大原理相矛盾。三极管的电流放大原理恰恰要求在放大状态下Ic与Vc在数量上必须无关,Ic只能受控于Ib。问题2:不能很好地说明三极管的饱和状态。当三极管工作在饱和区时,Vc的值很小甚至还会低于Vb,此时仍然出现了...
NPN型三极管-IC电子元器件
NPN型三极管是一种常用的电子元件,广泛应用于电子电路中。它是一种双极型晶体管,由三个区域组成:发射区、基区和集电区。01NPN型三极管基本结构NPN型三极管由一块P型半导体材料夹在两片N型半导体材料之间组成。其中,夹在中间的P型材料称为基区,两侧的N型材料分别称为发射区和集电区。发射区与基区之间有一个...
深度解析特斯拉Model 3 逆变器的构造
2.VDS(最大漏源电压):650V这表示MOSFET能够承受的最大漏极到源极之间的电压是650伏特。3.RDS(on)(导通电阻最大值):26mΩ4.RDS(on)是MOSFET在导通状态下的漏极到源极电阻,这里的最大值为26毫欧姆。这个值越低,MOSFET在导通时的功率损耗越小。
小小的电容,也能写出一篇干货?
举个例子来讲,晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻,它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合,这个电阻就是产生了耦合的元件,如果在这个电阻两端并联一个电容,由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗,这样就减小了电阻产生的耦合效应,故称此电容为去耦电容。